Nature 正刊丨非均匀应变抑制硅纳米带中的热输运

最新推荐文章于 2024-11-16 13:52:27 发布

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分类专栏：文献分享文章标签：人工智能算法

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作者：Lin Yang, Shengying Yue, Yi Tao, Shuo Qiao, Hang Li, Zhaohe Dai, Bai Song,Yunfei Chen, Jinlong Du, Deyu Li & Peng Gao

单位：北京大学

01 摘要

纳米级结构可以产生极端应变，从而实现前所未有的材料性能，如定制的电子带隙升高的超导温度和增强的电催化活性。虽然已知均匀应变对热流的影响有限，但由于界面，和缺陷的共存，不均匀应变的影响仍然难以捉摸。在这里，我们通过在定制的微器件上弯曲单个硅纳米带引入不均匀应变，并测量其对热传输的影响，同时以亚纳米分辨率表征应变相关的振动光谱，来解决这一差距。我们的结果表明，每纳米0.112%的应变梯度可能导致热导率急剧下降34 ± 5%，与在均匀应变下测得的几乎恒定的值形成鲜明对比。我们使用电子能量损失谱进一步绘制了局部晶格振动谱，该谱揭示了几个毫电子伏特的声子峰沿应变梯度的位移。正如第一性原理计算所证明的那样，这种独特的声子光谱增宽效应增强了声子散射，并显著阻碍了热传输。我们的工作揭示了非均匀应变下晶格动力学这一长期难题的一个关键部分，这在均匀应变下是不存在的，也无法得到传统的理解。

02 图表简介

图：a、 κ变化作为均匀和不均匀弹性应变的函数，高达约6%。均匀应变下，体硅（参考文献13，14）和硅纳米线12，15的实验测量（填充符号）和理论建模（空符号）κ变化几乎保持不变，而弯曲硅纳米带的测量数据随着应变（半填充）的增加而急剧上升。请注意，在小于1%的均匀应变下，几个数据点的κ变化较大，这可能是由于测量的不确定性14，15。b、悬挂式微桥装置的示意图，其中放置弯曲的硅纳米带以桥接间隙，放大视图突出显示了由于不均匀应变而扭曲的晶格。c、高分辨率透射电子显微镜图像显示了弯曲的Si纳米带的晶格，其中插图显示了沿[110]区轴截取的选定区域电子衍射图案。d、 e，在0.65%（d）和1.23%（e）的最大应变下没有扭结的两个弯曲的Si纳米带的SEM图像。将计算的应变轮廓叠加在SEM图像的顶部，以可视化应变分布。比例尺，2 nm（c），500 nm（d，e）。

图：a、无扭结的弯曲SiNR的测量κ，其中也绘制了无应力对应物的测量结果以进行比较。b、 κ中两个弯曲SiNR相对于无应力对应物的减少。实线是考虑应变梯度诱导的声子散射的模拟结果。c–f，在最大应变为2.04%（c）、3.12%（d）、3.91%（e）和4.77%（f）下具有扭结的四个弯曲SiNR的SEM图像。将计算的应变轮廓叠加在SEM图像的顶部，以可视化应变分布。g、测量了无应力和弯曲SiNR（带扭结）的κ。h、与无应力对应物相比，具有扭结的四个弯曲带状物的减少量（g），其中实线为模拟结果。a和g中的误差条表示纳米带的热导率、长度和横截面积测量的不确定性（补充注释2）。比例尺，1 μm（c，d，e，f）。

图：a、 STEM-EELS沿着弯曲的硅纳米带的应变梯度探测振动模式的示意图。b、 c，具有扭结的弯曲Si纳米带的HAADF图像（b），并放大了EELS测量区域的视图（c），其中计算的应变轮廓覆盖在顶部。d、沿应变梯度在不同位置（P1至P5）测量的横向声学（TA）和横向光学（TO）声子模式的EELS分布，其中横向声学模式表现出约2.2的蓝移 meV，而横向光学模式显示出大约6.0的红移 meV，弹性应变在-3.14%到3.26%之间变化。通过高斯拟合提取峰值位置。e、没有扭结的弯曲SiNR的HAADF图像。黄色矩形表示通过沿轴向（垂直于应变梯度）对三维数据集的每个列频谱求和以增强信噪比来获取EELS信号的区域。f、横向声学模式和横向光学模式沿光束偏移方向的振动光谱图。g、在e中标记的区域沿着应变梯度测量的EELS线轮廓。（d）和（g）中的顶部x轴表示以THz为单位的声子频率。比例尺，200 nm（b），50 nm（c，e）。a.u.，任意单位。

图：a、应变梯度作用下声子色散调制的示意图。b、左图，计算了硅在不同弹性应变状态下的声子色散。右图，应变梯度引起的声子散射率，在300 在0.118%的应变梯度下每个声子模的K nm−1（超过85的10%应变差 nm宽度）。右y轴表示以meV为单位的声子频率。300时的特征声子频率 K估计为，其中kB和？分别是玻尔兹曼常数和简化普朗克常数。插入，使用密度泛函理论计算原子相互作用截止距离。c、在300的不同应变梯度下，由应变梯度引起的声子模式相关散射率 K.d，应变梯度诱导的声子散射与总声子散射率的比值，对于300下的每个声子模式 K.（c）和（d）中的顶部x轴表示以meV为单位的声子频率。

03 结论

通过开发从微米到原子尺度的实验表征工具，并与从头算理论建模相结合，我们的研究为长期以来关于不均匀应变对声子输运的影响的难题提供了一个关键部分。因此，这项研究不仅明确揭示了不均匀应变对热传输的显著影响，而且为应变工程功能器件的创新设计提供了见解。例如，应变梯度引起的晶格κ的减少和先前证明的载流子迁移率的增强之间的协同作用27，48为开发高性能热电能转换器提供了一种新的策略。此外，这种程度的κ调制可以通过弹性调节纳米带阵列中的不均匀应变来实现功能性热开关，用于动态热通量控制。

03 参考文献

Yang L, Yue S, Tao Y, et al. Suppressed thermal transport in silicon nanoribbons by inhomogeneous strain[J]. Nature, 2024: 1-6.