CMOS工艺，Al/Si接触中的尖楔现象

最新推荐文章于 2024-11-06 09:15:27 发布
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分类专栏： 芯片 工艺 文章标签： 经验分享 其他
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本文链接：https://blog.csdn.net/weixin_43244937/article/details/107627434
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本文探讨了Si在Al中的扩散过程，详细解释了Al/Si接触时出现的尖楔现象，该现象可能导致pn结失效。提出了三种解决方法：1) Al中掺杂Si；2) 使用铝-重磷掺杂多晶硅双层结构；3) 应用扩散阻挡层如TiN、TiW。其中，采用扩散阻挡层配合Ti或TiSi2被证明是有效的方法。
摘要由CSDN通过智能技术生成

1. Si在Al中的扩散

Si在Al中的溶解度比较高，在400-500℃退火温度范围内，Si在Al薄膜中的扩散系数比在晶体Al中大40倍。这是因为Al薄膜通常为多晶，杂质在晶界的扩散系数远大于在晶粒内的扩散系数。

 2. Al/

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CMOS器件历史浅析-CMOS电路的ESD保护设计结构
树卡花
12-06 4730
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X射线光电子能谱法原位研究Er2O3 / Al2O3 / Si多层膜的热稳定性和界面性质
05-08
本研究中所提及的Er2O3/Al2O3/Si结构，代表了高k介质材料在半导体器件中的应用研究。由于这一结构涉及到金属氧化物半导体，其热稳定性研究尤为重要，因为这类材料的稳定性会直接影响到器件的性能以及可靠性。 X射线...
TiN覆盖层可有效降低TiSix / Si功率二极管的肖特基势垒高度
03-06
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CMOS基本工艺流程
lmoto的博客
08-29 2万+
（1）选择衬底： 晶圆的选择需要考虑三个参数：掺杂类型（N或P）、电阻率（掺杂浓度）、晶向。这里选择P型高掺杂的Si晶圆（Silicon Substrate P+）、低掺杂的Si外延层（Silicon Epi Layer P-）。 （2）隔离浅槽（Shallow Trench Isolation，简称STI）制作： ①热氧化：形成一个SiO2薄层，厚度约20nm，高温水蒸气或氧气气氛生长，用于缓解后续步骤形成的Si3N4对Si衬底造成的应力。 ②Si3N4沉积：厚度约250nm，化学气相沉积（CVD），作为
集成电路制造工艺及设备
weixin_42868595的博客
12-25 4213
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集成电路工艺专题复习
Frederick_Bala的博客
12-31 4615
期末码一下集成电路工艺知识点，课本是施敏的《半导体器件与物理工艺》，课上只选讲了第三部分工艺。 填空题 在单晶衬底上生长另一单晶半导体层的生长技术叫做外延。 用于生长单晶砷化镓的双温区炉管叫做布里吉曼系统。 有多少分子在单位时间里撞击在单位面积的衬底上的参数叫做分子撞击率。 分子在连续两次碰撞期间，平均经过的距离叫做平均自由程。 合金的熔点比任何一种组成材料的熔点都低，最低熔点...
从CMOS到触发器（一）
weixin_34124939的博客
02-25 388
PS：转载请标明出处：http://www.cnblogs.com/IClearner/ 　　作为一个微电子专业的IC learner，这个学期也有一门课：《微电子器件》，今天我就来聊聊基本的器件：CMOS器件及其电路。在后面会聊聊锁存器和触发器。 　　今天的主要内容如下所示： 　　　　·MOS晶体管结构与工作原理简述 　　　　·CMOS单元电路与版图 　　　　·CMOS门电路 　　　...
大马士革工艺简述
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http://www.icfgblog.com/
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光刻PN结CMOS工艺流程详解说
生活需要深度
05-02 4362
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数电基础：CMOS
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10-27 1605
……
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02-07
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显示/光电技术中的LED外延片介绍
11-19
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他们负责优化生产流程，提高生产效率和质量。例如，通过应用六西格玛方法，生产与制造工程师可以识别并消除生产过程中的瓶颈和浪费，优化生产流程，从而提高生产效率和质量水平。通过六西格玛培训，质量管理人员能够掌握DMAIC（定义、测量、分析、改进、控制）等核心方法和工具，如FMEA（失效模式与影响分析）、控制图等，从而更有效地识别和控制质量变异，提高产品和服务的质量水平。通过六西格玛方法，供应链管理人员可以更好地管理供应商，优化库存水平，提高供应链的可靠性和响应速度，从而降低企业的运营成本和提高客户满意度。
QT属性动画--设置样式属性(其他属性)
lizequan的博客
03-02 6339
这里写自定义目录标题故事背景遇到的问题解决过程最终方法感悟 故事背景   最近在制作一个按钮切换的动画特效中接触了属性动画这部分内容，并由此产生了一些思考。 遇到的问题 解决过程 最终方法 感悟 ...
Volatile的其他特性
我想月薪过万的博客
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2.1 volatile总体概览 在上一节中，我们已经研究完了volatile可以实现并发下共享变量的可见性，volatile除了保证可见性外，volatile还具备如下一些突出的特性： volatile的原子性问题：volatile不能保证原子性操作 禁止指令重排序：volatile可以防止指令重排序操作 2.2 volatile不保证原子性 2.3 代码测试 package Ls; /** * 目标：研究Volatile的原子性操作 * <p> * 基本观点：V.
【安卓基础】Android直接通过路径来操作其他应用的私有目录，可以吗？
m0_48179608的博客
03-02 8016
在上篇文章[【安卓基础】一文搞懂Android历代版本文件访问权限变化](https://blog.csdn.net/m0_48179608/article/details/122838494)我们对同一个应用的的文件访问权限做了比较。 那么不同应用之间文件访问又有什么限制呢？我们准备分二到三篇文件来阐述。 这篇文章，主要来看下不同系统版本下，我们直接通过路径来访问其它应用的**内部存储、外部存储私有目录**，看看能不能访问以及不同系统版本的区别。
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皮埃尔的博客
03-03 3457
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