CMOS,咱半导体人第一个知道的一定是NMOS,因为大家培训都是用NMOS,但是你知道吗?世界上第一个MOS却是PMOS,发明于1960年,用于简单的数字逻辑器件(digital logic),但是速度太慢一直没有市场。直到1970年世界上第一颗NMOS出现且速度比PMOS快了2~3倍(因为电子的迁移率/mobility是空穴的2.5倍),并很快取代了PMOS之后,MOS晶体管才逐渐有了市场。但早期主要应用于手表和计算器。直到1980年,人类发明了Well(阱),注解: 因为NMOS要在P-Si里面,而PMOS要在N-Si里面,所以一个单一掺杂的硅片(wafer)上无法同时做NMOS和PMOS。才有了CMOS (Complementary MOS: NMOS+PMOS),此后开始进入摩尔时代 (摩尔定律/moore’s law发表于1975年IEEE)。
MOS的结构如下图,“Well(阱)”/或者Substrate用来装这个MOS的,NMOS必须是P-Well或者P-Substrate,除了well还有“源极(Source)” 和“漏极(drain)”,源极顾名思义类似三极管的发射极,他是载流子(carrier)的源头,那漏极就类似三极管的集电极,用来吸收源极过来的载流子了。还有一个就是“栅极(Gate)”,在台湾的教材叫做闸极。顾名思义Gate就是门或者闸门(知道为啥逻辑电路很多叫做门电路了吧~?)。所以MOS是个四端器件。
从MOS四个端子的命名就知道了,当初人们就是把它等效为一个水龙头或者连通器,Gate就是开关,只要打开开关水流从源端到漏端逐渐增大,当开关开到最大水流自然也就饱和了,所以MOS的电流电压特性曲线(Id-Vg)如下图。那么在半导体器件里面,理论上他是怎么开启的呢?从结构上我们知道,NMOS的衬底是P-Si,而Source和Drain都是N-Si,所以中间的沟道和两边的Source/Drain形成了两个PN节让Source/Drain彼此隔离,而中间的沟道上面与Gate之间有一层薄薄的Oxide (gate oxide,栅氧),当栅极加正电压(Vg),由于Gate oxide(GOX)不导电,所以这个电压只能停留在gate上