CMOS器件历史浅析-CMOS电路的ESD保护设计结构

CMOS，咱半导体人第一个知道的一定是NMOS，因为大家培训都是用NMOS，但是你知道吗？世界上第一个MOS却是PMOS，发明于1960年，用于简单的数字逻辑器件(digital logic)，但是速度太慢一直没有市场。直到1970年世界上第一颗NMOS出现且速度比PMOS快了2~3倍(因为电子的迁移率/mobility是空穴的2.5倍)，并很快取代了PMOS之后，MOS晶体管才逐渐有了市场。但早期主要应用于手表和计算器。直到1980年，人类发明了Well(阱)，注解: 因为NMOS要在P-Si里面，而PMOS要在N-Si里面，所以一个单一掺杂的硅片(wafer)上无法同时做NMOS和PMOS。才有了CMOS (Complementary MOS: NMOS+PMOS)，此后开始进入摩尔时代 (摩尔定律/moore’s law发表于1975年IEEE)。

MOS的结构如下图，“Well(阱)”/或者Substrate用来装这个MOS的，NMOS必须是P-Well或者P-Substrate，除了well还有“源极(Source)” 和“漏极(drain)”，源极顾名思义类似三极管的发射极，他是载流子(carrier)的源头，那漏极就类似三极管的集电极，用来吸收源极过来的载流子了。还有一个就是“栅极(Gate)”，在台湾的教材叫做闸极。顾名思义Gate就是门或者闸门(知道为啥逻辑电路很多叫做门电路了吧~？)。所以MOS是个四端器件。

从MOS四个端子的命名就知道了，当初人们就是把它等效为一个水龙头或者连通器，Gate就是开关，只要打开开关水流从源端到漏端逐渐增大，当开关开到最大水流自然也就饱和了，所以MOS的电流电压特性曲线(Id-Vg)如下图。那么在半导体器件里面，理论上他是怎么开启的呢？从结构上我们知道，NMOS的衬底是P-Si，而Source和Drain都是N-Si，所以中间的沟道和两边的Source/Drain形成了两个PN节让Source/Drain彼此隔离，而中间的沟道上面与Gate之间有一层薄薄的Oxide (gate oxide，栅氧)，当栅极加正电压(Vg)，由于Gate oxide(GOX)不导电，所以这个电压只能停留在gate上