STM32CUBEMX-读写内部Flash

1、STM32内部Flash

1.1 Flash介绍

  在STM32芯片内部有一个 FLASH 存储器，它主要用于存储代码，我们在电脑上编写好应用程序后，使用下载器把编译后的代码文件烧录到该内部 FLASH 中，由于 FLASH 存储器的内容在掉电后不会丢失，芯片重新上电复位后，内核可从内部 FLASH 中加载代码并运行。

1.2 STM32内部Flash详解

  STM32 的内部 FLASH 包含主存储器、系统存储器以及选项字节区域，它们的地址分布及大小见下表：

1.2.1 主存储器

  一般我们说 STM32 内部 FLASH 的时候，都是指这个主存储器区域，它是存储用户应用程序的空间，芯片型号说明中的 256K FLASH、512K FLASH 都是指这个区域的大小。
  主存储器分为 256 页，每页大小为 2KB，共 512KB。这个分页的概念，实质就是 FLASH 存储器的扇区，与其它 FLASH 一样，在写入数据前，要先按页（扇区）擦除。
  注意上表中的主存储器是本实验板使用的 STM32VET6 型号芯片的参数，即 STM32F1 大容量产品。若使用超大容量、中容量或小容量产品，它们主存储器的页数量、页大小均有不同，使用的时候要注意区分。
  主存储器是以页为单位划分的。stm32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。

• 小容量产品：主存储块1-32KB， 每页1KB。系统存储器2KB
• 中容量产品：主存储块64-128KB， 每页1KB。系统存储器2KB
• 大容量产品：主存储块256KB以上， 每页2KB。系统存储器2KB
• 互联型产品：主存储块256KB以上， 每页2KB。系统存储器18KB

1.2.2 系统存储区

  系统存储区是用户不能访问的区域，它在芯片出厂时已经固化了启动代码，它负责实现串口、USB 以及 CAN 等 ISP 烧录功能。

1.2.3 选型字节

  选项字节用于配置 FLASH 的读写保护、待机/停机复位、软件/硬件看门狗等功能，这部分共 16 字节。可以通过修改 FLASH 的选项控制寄存器修改。

2、STM32CUBEMX配置

  本工程采用的芯片型号是STM32F103C8T6，CUBEMX的配置按照这个行骗型号进行配置。

2.1 时钟源配置

2.2 调试接口配置

2.3 工程配置

2.4 工程文件配置

2.5 时钟配置

3、代码讲解

3.1 flash读写代码的.h文件

#ifndef __FLASH_H__
#define __FLASH_H__

#include "main.h"
#include "string.h"

#define       STM32_FLASH_SIZE 64   //所选STM32的FLASH容量大小(单位为K)；本产品选用的型号为：STM32F103C8T6；FALSH大小为64K

     #if      STM32_FLASH_SIZE < 256
		 #define  STM32_SECTOR_SIZE 1024  //一页为1K
		 #else
		 #define  STM32_SECTOR_SIZE 2048   //一页为2K
		 #endif
		 
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 //STM32 FLASH起始地址

//写入的FLASH地址，这里为从倒数第一个扇区地址(0x807f800)开始写
//STM32_FLASH_BASE + STM32_SECTOR_SIZE*255 = 0x08000000 + (2048*255) = 0x0807f800
#define FLASH_SAVE_ADDR  STM32_FLASH_BASE+STM32_SECTOR_SIZE*255
		 

void FLASH_WriteData(uint32_t FLASH_Addr, uint16_t *FLASH_Data, uint16_t Size);
uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t faddr);
void FLASH_ReadData(uint32_t ReadAddr,uint16_t *pBuffer,uint16_t NumToRead);


#endif

3.2 flash读写代码的.c文件

#include "flash.h"

/*从指定地址开始写入数据*/
//FLASH_Addr:起始地址
//FLASH_Data:写入数据指针(写入的数据为16位，至少都要16位)
//Size:写入数据长度

void FLASH_WriteData(uint32_t FLASH_Addr, uint16_t *FLASH_Data, uint16_t Size)
{
	/*内部FLASH测试*/
	//1.解锁FLASH
	HAL_FLASH_Unlock();
	
	//2.擦除FALSH
	//初始化FLASH_EraseInitTypeDef
	FLASH_EraseInitTypeDef FLASH_Init;
	FLASH_Init.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
	FLASH_Init.PageAddress = FLASH_Addr;
	FLASH_Init.NbPages = 1;
	
	uint32_t PageError = 0;
	
	//3.调用擦除函数
	HAL_FLASHEx_Erase(&FLASH_Init,&PageError);
	
	//4.对FLASH烧写
	uint16_t TempBuf = 0;
	for(uint16_t i=0;i<Size;i++)
	{
		TempBuf = *(FLASH_Data+i);
		HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,(FLASH_Addr + (i*2)),TempBuf);
	}
	
	//5.锁住FLASH
	HAL_FLASH_Lock();
}

//从指定地址读出数据
//faddr：地址
uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t faddr)
{
	return *(__IO uint16_t*)faddr;
}

//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始指针
//pBuffer:数据指针
//NumToRead:大小（至少半字(16位)数）
void FLASH_ReadData(uint32_t ReadAddr,uint16_t *pBuffer,uint16_t NumToRead)
{
	for(uint16_t i=0;i<NumToRead;i++)
	{
		pBuffer[i] = FLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);
		ReadAddr+=2;
	}
}

3.3 代码的主函数(main)

int main(void)
{
  /* USER CODE BEGIN 1 */
   char Write_Data[10]="0123456789";
  /* USER CODE END 1 */

  /* MCU Configuration--------------------------------------------------------*/

  /* Reset of all peripherals, Initializes the Flash interface and the Systick. */
  HAL_Init();
  /* USER CODE BEGIN Init */

  /* USER CODE END Init */

  /* Configure the system clock */
  SystemClock_Config();

  /* USER CODE BEGIN SysInit */

  /* USER CODE END SysInit */

  /* Initialize all configured peripherals */
  MX_GPIO_Init();
  MX_USART1_UART_Init();
  /* USER CODE BEGIN 2 */
	
	/*将Write_Data数据的内容写进FLASH*/
	FLASH_WriteData(FLASH_SAVE_ADDR,(uint16_t *)&Write_Data,10);
	
	/*从STM32 FLASH中读出写入的数据，将数据储存在Read_Data中*/
	FLASH_ReadData(FLASH_SAVE_ADDR,(uint16_t *)&Read_Data,10);
	
  /* USER CODE END 2 */

  /* Infinite loop */
  /* USER CODE BEGIN WHILE */
  while (1)
  {
		printf("FALSH = %s\r\n",Read_Data);
		HAL_Delay(1000);
    /* USER CODE END WHILE */

    /* USER CODE BEGIN 3 */
  }
  /* USER CODE END 3 */
}