nand flash和nor flash的这几点区别你知道吗?

这篇文章讲解nand flash和nor flash的特点和区别,不涉及存储原理的讲解

(一)Flash简介

FLASH是一种存储芯片,全名叫Flash EEPROM Memory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。

(二)Nor Flash的特点

Nor Flash的数据线和地址线是分开的,并允许随机存取存储器上的任何区域,这使的它非常适合取代老式的ROM芯片。当时ROM芯片主要用来存储几乎不需更新的代码,例如电脑的BIOS或机上盒(Set-top Box)的固件。NOR Flash可以忍受一万到一百万次抹写循环,它同时也是早期的可移除式快闪存储媒体的基础。

NOR的特点是芯片内执行( eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR在开发板中应用的非常广泛,通过JTAG/JLINK把boot烧到NOR中,通电后自动运行。
在这里插入图片描述

(三)Nand Flash的特点

Nand Flash的数据线和地址线是公用的,NAND Flash 的I/O接口并没有随机存取外部地址总线,它必须以区块性的方式进行读取,NAND Flash典型的区块大小是数百至数千比特。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息;NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

NAND Flash具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小,这让NAND Flash相较于NOR Flash具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出NOR Flash十倍。

NAND Flash非常适合用于储存卡之类的大量存储设备。第一款创建在NAND Flash基础上的可移除式存储媒体是SmartMedia,此后许多存储媒体也跟着采用NAND Flash,包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick与xD卡。
在这里插入图片描述

(四)两者之间的区别

1)NAND的写入速度比NOR快很多,所以NAND适合用于存储数据

2)NOR的读速度比NAND稍快一些。

3)NAND的4ms擦除速度、编程速度远比NOR的5s快。

4)NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

5)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。

6)NAND器件中的坏块是随机分布的,对介质进行初始化扫描发现坏块,并将坏块标记为不可用。在烧写内核到NAND的时候,经常有发现坏块提示。

7)由于Flash固有的电器特性,在读写数据过程中偶然会产生1位或几位数据错误,即位反转,NAND Flash发生位反转的几率要远大于NOR Flash。位反转无法避免,因此,使用NAND Flash的同时,应采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。

8)NANDFlash与NOR Flash相比容量大。

9)NOR价格高,呵呵,这才是最重要的。

10) 在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存 技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。


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