关于无源晶振负载电容和芯片运行所需震荡频率之间的关系(本文以32.768Khz晶振和DS1302芯片为例解说)

看几个基本参数概念 大概就懂了

Frequency 频率

每秒可产生震荡的频率,直接关系到芯片的运行速度. 可以简易理解为节拍 震荡一次 芯片内部的代码就执行一步. 这个就没什么好说的了 一般芯片需要多少频率的就 用多少频率的晶振就好了.

ESR 内阻 (等效串联电阻)

此参数 一般会影响晶体震荡产生的波形 到 芯片接收波形的 变形程度. 一般芯片都会有一个最大内阻要求 不超过此值即可 (个人见解)

Load Capacitance 负载电容

此参数 会影响晶体震荡的频率 和 起震条件 . 正确的使用方法 举例如下

DS1302对晶振的要求如下(来源于数据手册)

可以看到负载电容要求是6pf 那这样的话 我们选取电容时可以直接选负载电容时6pf 的 这样
我们就不用在处理负载电容影响震荡频率和起震的问题.

我们来看一个合适的电容(来源于某晶振的数据手册)
可以看到 其负载电容就是6pf

那么如果我们找不到合适的负载电容该怎么办呢?

这时我们可以采用 并联增大电容 串联减小电容的 原理来调节晶振的电容 从而达到芯片所要求的负载电容.

附上电容串并联的计算公式(理论计算) CI为负载电容 CS为 串联或并联的电容
1/Cl=1/6pF+1/CS 串联计算公式
CI=6pF+CS 并联计算公式

最后在说一下DS1302时钟精准度 经过测试数据(DS1302芯片+32.768Khz6pf负载电容以及正负20ppm误差的晶振)

1,不并联电容情况下 每天大概慢1-2秒
2,并联2个6pf 电容的情况下 每天大概慢 4-5秒
3,串联未做测试,有做过测试的大佬 小弟可留言 告知…

ppm 误差

百万分的误差值 比如正负20ppm 是指每百万次 会产生20次的上次误差.

最后祝 各位大佬 开发调试 顺利~