模电知识总结（二）
PN结
利用掺杂工艺，把P型半导体和N型半导体在原子级上紧密结合，P区与N区的交界面就形成了PN结。
1.2.1 动态平衡下的PN结
PN结形成的物理过程
注意： PN结处于动态平衡时，扩散电流与漂移电流相抵消，通过PN结的电流为零。
注意：掺杂浓度（Na、Nd）越大，内建电位差 VB 越大，阻挡层宽度 l0越小。
1.2.2 PN结的伏安特性
PN结的单向导电性
所以，PN结具有反方向导电性。
PN结的伏安特性曲线
PN结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述：
I
=
I
s
(
e
V
/
V
T
−
1
)
I=Is(e^{V/V_T}-1)
I=Is(eV/VT−1)
其中，
V
T
=
k
t
q
=
26
m
v
V_T=\frac{kt}{q}=26mv
VT=qkt=26mv
IS为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。
温度每升高10℃，IS约增加一倍。
温度每升高1℃， VD(on)约减小2.5mV。
1.2.3 PN结的击穿特性
当
∣
V
反
∣
=
V
(
B
R
)
|V_反|=V_{(BR)}
∣V反∣=V(BR)时，IR急剧上升，PN结发生反向击穿。
击穿类型：
雪崩击穿
随着反向电压的提高，空间电荷区内电场增强，通过势垒区的载流子获得的能量也随之增加。当反向电压接近击穿电压UB时，这些有较高能量的载流子与空间电荷区内的中性原子相遇发生碰撞电离，产生新的电子一空穴对。这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离，再产生更多的电子一空穴对。这种连锁反应继续下去，使空间电荷区内的载流子数量剧增，就像雪崩一样，使反向电流急剧增大，产生击穿。所以把这种击穿称为雪崩击穿。
雪崩击穿一般发生在掺杂浓度较低、外加电压又较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较低的PN结，空间电荷区宽度较宽，发生碰撞电离的机会较多。
齐纳击穿
当反向电压增大到一定值时，势垒区内就能建立起很强的电场，它能够直接将束缚在共价键中的价电子拉出来，使势垒区产生大量的电子一空穴对，形成较大的反向电流，产生击穿。
把这种在强电场作用下，使势垒区中原子直接激发的击穿现象称为齐纳击穿。
齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度较窄，只要加不大的反向电压，就能建立起很强的电场，发生齐纳击穿。
两者的区别：
PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于5-6V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于5-6V时的击穿以雪崩击穿为主。
两者的区别对于稳压管来说，主要是：
电压低于5-6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。电压高于5-6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。电压在5-6V之间的稳压管，两种击穿程度相近，齐纳击穿温度系数最好，这就是为什么许多电路使用5-6V稳压管的原因。稳压管的原理决定了它的反应速度是不可能很快的，速度要求高的场合都用二极管+基准电压。
如果只是要做保护，用TVS稳压管主要用于稳压，通过的电流越小越好，当瞬时电压超过电路正常工作电压后，TVS二极管便发生雪崩，提供给瞬时电流一个超低电阻通路，其结果是瞬时电流通过二极管被引开，避开被保护器件，并且在电压恢复正常值之前使被保护回路一直保持截止电压，当瞬时脉冲结束以后，TVS二极管自动回复高阻状态，整个回路进入正常电压，TVS管的失效模式主要是短路，但当通过的过电流太大时，也可能造成TVS管被炸裂而开路。
1.2.4 PN结的电容特性
二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。
势垒电容CT
PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质;而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容"放电"，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量增多，相当于电容"充电"。这种现象可以用一个电容来模拟，称为势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处，在于它的电容量并非常数，而是与外加电压有关。当外加反向电压增大时，势垒电容减小;反向电压减小时，势垒电容增大。目前广泛应用的变容二极管，就是利用PN结电容随外加电压变化的特性制成的。
扩散电容CD
PN结正向偏置时，N区的电子向P区扩散，在P区形成一定的非平衡载流子的浓度分布，即靠近PN结一侧浓度高，远离PN结的一侧浓度低。显然，在P区积累了电子，即存贮了一定数量的负电荷;同样，在N区也积累了空穴，即存贮了一定数的正电荷。当正向电压加大时，扩散增强，这时由N区扩散到P区的电子数和由P区扩散到N区的空穴数将增多，致使在两个区域内形成了电荷堆积，相当于电容器的充电。相反，当正向电压减小时，扩散减弱，即由N区扩散到P区的电子数和由P区扩散到N区的空穴数减少，造成两个区域内电荷的减少，这相当于电容器放电。因此，可以用一个电容来模拟，称为扩散电容。
总之，二极管呈现出两种电容，它的总电容Cj相当于两者的并联，即Cj=CT + CD。二极管正向偏置时，扩散电容远大于势垒电容 Cj≈CD ;而反向偏置时，扩散电容可以忽略，势垒电容起主要作用，Cj≈CT 。
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