MCU“炸机”原因分析（1）

原因1：死区时间 

IGBT为MCU重要的控制对象，作为开关元器件，实际“开/关”动作可能在ns级别内，是需要时间的。所以在驱动门极时需要打开的开关管与关闭的开关管不能重叠。否则可能会出现短路现象，导致IGBT击穿。故开/关确认的时间即称为“死区时间”。当死区时间设计过大过小，都不行。死去时间过大，会影响PWM占空比的精度；死区时间较短，开关极门导致的短暂短路又会增加MCU的发热。

原因2：换挡调速导致电机超速

大部分纯电动商用车都配置有AMT变速箱。AMT控制策略中关键的一环即为调速。目前调速有两种策略，即驱动电机扭矩闭环调速，或者转速闭环调速，且MCU控制策略中，作为基本功能，都会对输出扭矩与转速做一定的保护。

驱动电机控制的三要素：驱动模式、目标扭矩、目标转速。

当为转速闭环时，MCU有效输入命令为转速模式、目标转速；调速的目标扭矩为MCU内部计算，扭矩控制的优先级最高，调速超调时，MCU会第一时间对扭矩采取措施，调速过程出现超调的可能性较小。

当为扭矩闭环时，MCU有效输入命令为扭矩模式、目标扭矩、目标转速。目前大部分通讯基于J1939协议，最小通讯周期基本为10ms，因此由于通讯延时，较转速闭环，同一目标转速，电机扭矩采样有延迟，调速过程更易出现超调的现象，超调的可能性较大。

超调的大小和发生的频次，就会增加电机超速的可能。电机一旦超速，高速状态下反电动势突增，并且MCU在超速状态下可能会关管，最后造成过压过流，增加了出现炸机的可能。

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