国产32位MCU超频测试

目录

简述 

1 修改PLL

（1）打开启动文件

（2）在启动文件中找到SystemInit

（3）在SystemInit函数中找到SetSysClock函数

（4）在SetSysClock函数中找到SetSysClockTo72函数

（5）进入SetSysClockTo72函数

2 配置Flash等待周期

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简述 

        型号：HK32F103RBT6

        对HK32进行超频测试，发现最大可设置为104MHz。群里有网友说可超频到120M，不知道是不是我修改的位置不对，或者是芯片的问题。只修改PLL，最大可超频至104Mhz。超频至更高频率时，需同时修改PLL和Flash延时周期。

1 修改PLL

在工程中找到修改主频的位置：

（1）打开启动文件

（2）在启动文件中找到SystemInit

        该函数用于设置微控制器系统

1. 初始化嵌入式Flash接口，锁相环和更新
2. SystemCoreClock变量

         双击选中，按F12或右击Go To Definition进入。

（3）在SystemInit函数中找到SetSysClock函数

        该函数是用来：

1. 配置系统时钟频率、HCLK、PCLK2、PCLK1预标器
2. 配置Flash延时周期，并开启预取缓冲区

 

（4）在SetSysClock函数中找到SetSysClockTo72函数

        为什么是SetSysClockTo72函数，不是其他那几个，因为只有 SYSCLK_FREQ_72MHz被声明了。

        双击SYSCLK_FREQ_72MHz，按F12即可看到：

        返回，双击 SetSysClockTo72，按F12：

（5）进入SetSysClockTo72函数

        可以看出原来8*9=72MHz的主频，已经被修改为8*12=96MHz。（8M是晶振的时钟）

        用定时器+GPIO反转+示波器验证一下，确实是这样。

        理论上将RCC_CFGR_PLLMULL12改为RCC_CFGR_PLLMULL13，可超频至8*13=104MHz。实测确实是104M。

        理论上将RCC_CFGR_PLLMULL12改为RCC_CFGR_PLLMULL14，可超频至8*13=112MHz。但是问题出现了，上电就卡死在时钟这里了。更改为更高的，情况也如此，最高只能到104M。将8M晶振换为12M晶振，按上述方法，依旧无法超频到112M以上。

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        2023-1-11

        今天看到有个APM32超频的帖子，里面的前辈是这样说的：

超频首先考虑的是FLASH的读速度。

通常是FLASH等待周期要往向调，你可以认为超频后的主频太快，FLASH不够快，要延时来匹配一下。

FLASH等待周期越大，指令执行速度又会下降，所以超频后的执行速度还要实测一下（至少不是线性提高的）。

        另一位前辈是这样说：

1、实现超频
除了配置PLL外，还需注意依据规格书配置Flash等待周期参数。
2、实现超频后，对外设的影响
外设是挂在AHB、ABP总线上的，实现超频后，如果按照默认代码的频系数，
对应的外设频率也会提高。
（1）USB
如果有用到USB，注意超频后通过配置分频系数保证USB的频率为48MHz。
（2）Timer
注意对Timer的时基单元、死区时间时的影响，对输出的PWM的周期的影响。
（3）ADC
如果超频后，ADC的工作频率超过14MHz，有可能会降低其精度，注意ADC的降频
（4）其它的外设注意最高工作频率、通信速率的限制，以保证工作可靠。
（5）会增大运行模式、sleep模式的功耗
3、软件延时
超频时，会影响软件延时的时间，对时序要求要高的场景有用到软件延时时，得注意对时序的影响。
4、不建议超频应用，尤其是在高温且对产品可靠性要求高的应用场景

原帖链接https://bbs.21ic.com/icview-3206930-1-1.html

之前的超频是只配置了PLL，未配置Flash等待周期。

2 配置Flash等待周期

        同样在SetSysClockTo72函数中，将2个Flash等待周期改为3个：

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         HK32我还未来得及试，不过APM32我试了，原来的2个Flash等待周期，超频至80Mhz便会出现问题：有时候启动不了MCU（概率很高，有时候甚至达到50%）。但改为3个Flash等待周期后，APM32F103RB超频至80Mhz,96Mhz均无问题。