模拟IC设计入门
本文主要参考复旦大学何红松学长的硕士学位论文《CMOS高性能运算放大器研究与设计》，在准备开始模集课程设计前进行了通读，并将自己认为重要的点提取。
一、基本概念
1、CMOS运算放大器的基本构成
CMOS运算放大器基本由五级组成：输入级、中间级、输出级、偏压电路和补偿电路
1）输入级
输入级一般采用差分放大器，差分输入，可以在有着较高增益的同hi是具有较好的噪声性能，同时抑制共模干扰
2）中间级
中间级是为了获得尽可能大的电压增益和输出摆幅，多选用共源放大器来构成
3）输出级
输出级主要用于和后续电路的缓冲匹配，解决阻抗匹配问题和进行适当功率驱动
4）偏压电路
偏压电路主要是为各级放大电路提供直流电压或者电流，是MOSFET工作在饱和区
5）补偿电路
补偿电路是为了保证运算放大器闭环应用时系统的稳定性，这里主要关注的就是相位裕度
上图为一般的运算放大器结构，当时根据不同应用我们也可能设计成单级运放、二级运放或多级运放等，同时每一种运放又有着多种的物理结构选择，来满足不同应用的需要。
2、CMOS运算放大器的性能指标
以下将粗略介绍在设计时需要关注的指标，这些指标用于衡量运放性能的优劣。
1）直流开环增益
直流开环增益用于表征运放放大低频信号的能力，也就是我们在学习时所期望是无穷的东西，这里注意是在直流的时候，一般来说是运放的最大增益，由于运算放大器的主要功能由外围电路决定，直流开环增益决定了使用运放的反馈系统的精度，越高则稳定性越好。
2）单位增益带宽
单位增益带宽是指运放的开环增益下降到0dB也就是1的时候的频率，决定了运放可以响应的最高信号频率。
3）相位裕度
相位裕度是衡量系统稳定性的指标，指频率特性的回路增益下降到0dB时，也就是单位增益带宽的边界上时，反馈信号总的相位偏移与180°的差。可以看作是系统进入不稳定状态之前可以增加的相位变化，相位裕度越大则系统越稳定，但是时间响应速度会随之变慢，因为综合考虑相位裕度最好是60°，并且最低也要由45°。
4）共模抑制比
共模抑制比用于衡量运放放大器的抗干扰能力，定义为运放差模增益与共模增益的比值（但是实际测的时候很少这样测）。
C M R R = 20 lg ( A v d / A v c ) CMRR=20\lg(A_{vd}/A_{vc}) CMRR=20lg(Avd/Avc)
5）电源抑制比
用于衡量在电源电压变化时运算放大器保持其输出不变的能力，也就是对电源噪声的抑制能力，定义为电源电压变化和由电源电压变化引起的运放输出电压变化的比值再与开环增益的乘积，一般全差分结构的运放的电源抑制能力较强，这个参数是初学接触时很容易忽略的，但是也非常的重要。
P S R R = Δ V D D Δ V O U T A v ( s ) PSRR=\frac{\Delta V_{DD}}{\Delta V_{OUT}}A_v(s) PSRR=ΔVOUTΔVDDAv(s)
6）输入失调电压
就是保证运放输出为0时，运放输入端所加的补偿电压。是一个输入特性参数，用于衡量运放的对称性。
7）输入共模范围
表示运算放大器正常工作时所允许的输入电压的范围，ICMR通常在制定的电源电压下定义。
8）输出电压摆幅
指输出信号不发生失真的条件下能够达到的最大电压摆幅的峰峰值，输出电压摆幅一般定义在给定的负载和电源电压情况下，应用运放的系统通常要求具有较大的电压摆幅，这主要是由中间级影响的。
9）转换速率/压摆率
这也是运放的频率特性参数，就是指把运放连接成单位增益缓冲器时，在给定负载和电源条件下，当输入为大信号阶跃信号时，输出电压的变化量与发生这个变化所需时间之比的最大值，体现了运放的大信号瞬态特性。
10）建立时间
当运放闭环增益为1时，在额定负载下输入小信号激励时输出电压达到制定精度所需要的时间。采样保持运放格外关注这个，因为这个参数关系到ADC的最高采样速率，建立时间越长，电路对模拟信号的处理速度就越慢。
11）直流功耗
其实就是静态功耗，各级静态电流之和与电源电压的乘积。
3、高性能运放类型
1）高精度运放
要求具有低失调、低温漂、低噪声、高增益等特点，以满足对微弱信号的采集放大与精密测量：精密的运算放大器通常不能提供宽带特性，但其失调电压和失调电压漂移非常小，所保证的失调电压通常能够低至1mV。利用自动归零和斩波稳定技术在整个温度范围内保持失调漂移最小。斩波稳定运算放大器在信号通道包括一个“斩波”放大器，可连续修正运算放大器的失调电压，从而在全温范围内获得出色的失调电压指标。
2）高速运放
应用于通讯和视频系统。要求具有单位增益频率(GBW)高、压摆率(SR)大等特点，以满足通信前端以及视频采集ADC应用要求。
3）低电压/低功耗运放
应用于电池供电便携系统。要求具有低电源电压工作，轨对轨压摆输出，低能耗等特点，从而保证电池供电系统的续航能力。电池供电产品的发展需要功耗更低的运算放大器，便携产品中的运算放大器通常工作在较低的单电源电压(正电压)下，消耗极低的电源电流，这无疑是设计人员所面临的一个巨大难题，因为这些设计在要求低功耗同时，还需要工作在较高频率或要求低噪声。另外，便携产品设计对电路板尺寸要求非常苛刻，因此，小的封装尺寸是另外一个关键指标。
4）低噪声、低失真运放
主要应用于高速高分辨率系统。主要依赖工艺技术和设计技术。虽然目前许多高性能运算放大器仍然使用双极型工艺，因为这种工艺可以提供明显的模拟设计优势，而且几乎不需要进行性能折衷。但是通过创新设计技术和改进工艺水平，高性能运放的实现已经有更多的选择。首先，制造商在工艺技术的各个方面都取得了重大进步。这些进步允许放大器设计工程师充分发挥每种工艺的性能和功能。CMOSI艺已经从先进技术(受到数字微处理器推动)的进步中获益，模拟放大器设计工程师们也早利用其获得了低成本下的高性能。过去，超高性能放大器产品都需要利用双极型工艺进行设计：现在，模拟放大器设计工程师能够克服CMOS工艺电压噪声较高的缺点，兼备低噪声和超低偏置电流(可能来自氧化物绝缘栅极)。
4、CMOS运算放大器的设计流程
1）选择合适的运放结构
不同的结构具有不同的性能特点，适合于不同的应用要求，这一部分主要就需要对需要做的放大器进行调研，选择常用的结构类型。
2）确定为满足指标所需要的补偿类型
同样也是，补偿由多种类型，具有不同的特点，因此根据需求不同选择合适结构的补偿电路。
3）设计MOS管几何尺寸
这一部分主要着重计算，根据选择工艺条件和给定的性能指标，手工技能构成运放的每个器件的几何尺寸，包括补偿电路的几何参数。
4）仿真并优化设计
采用合适的仿真工具，设定仿真环境，对所有指标进行仿真验证。
二、CMOS单级运算放大器
单级放大器就是只由一个信号放大级电路构成的运放，特点是：结构简单，响应速度快，功耗低的优点，常用于设计高速宽带运放，但是因为只有一级，所以增益可能不太够，但是听老师说一级他们来调的话还是可以达到30dB多的（采用增益自举技术？）。
1、差分放大器
差分输入都是双端输入，但是输出由单端输出和双端输出两种，其中把差分输出的差分放大器称为全差分放大器，全差分放大器相对于单端输出的差分放大器具有更高的差模增益、更大的输出摆幅并且无镜像极点，同时能很好的消除直流偏移和偶次谐波失真，但需要额外的共模反馈电路以稳定共模输出电平。
差分放大器的负载一般都是电流源负载或者电流镜负载，然后差分放大器的原理就不做过多赘述，仅说明一下差分放大器的特性：
1）差分放大器输出端的最大电平和最小电平是完全确定的，就是 V D D V_{DD} VDD和 V D D − I D R S V_{DD}-I_DR_{S} VDD−IDRS，他们的值和输入共模电平无关。
2）随着输入电压摆幅的增大，电路将变得更加非线性。
2、共源共栅放大器
共源共栅放大器是最为常用的一种结构，它易于在实现很高电压增益的同时具有良好的频率特性，但是该种放大器的使用会使得输出电压摆幅减小，因为虽然它可以通过增大MOS管的沟道长度从而提高电压增益，但是为了保证电流相等，必须同时增大过驱动电压。
关于具体的共源共栅放大器有以下类型：
1）伸缩共源共栅放大器
由CMOS差分放大器改进而来，因此也一般两种，一种是以共源共栅电流源做负载，另一种是由共源共栅电流镜做负载。
伸缩性共源共栅放大器最大的缺点是输入输出不能直接连接二实现单位增益缓冲器的应用，因此又产生了折叠型共源共栅放大器。
2）折叠型共源共栅放大器
我们常选择以NMOS管做输入对的折叠共源共栅放大器，因为对于相同尺寸的器件和工作电流，PMOS管空穴迁移率低于NMOS中电子的，因此跨导要小一些。
优点：可以构成单位增益缓冲器
缺点：由于输入对管需要额外的偏置，因此功耗更大，增益更小
然后下面对增益自举技术进行介绍：
3、增益自举技术
因为普通的单级运放增益有限，多级运放难以实现高速，所以我们用带增益自举的共源共栅放大器来实现高速度、高增益的应用。
增益自举技术可以在不影响放大器带宽的前提下有效的提高运放的开环增益，现在已经有了较多的结构，但其实的大多数在理论上其实就是在基本共源共栅结构的基础上级联更多的共源共栅器件来提升输出阻抗，从而获得更大的增益，比如采用三级共源共栅结构，这在之前其实也说过，但是这样会损失更多的“过驱动电压”，从而导致更小的输出电压摆幅。
而目前广泛采用的电源电压小于3V的低电压设计，这样的多级级联是不可取的，而对于可植入式设备来说更是如此。
而增益自举技术则可以克服这样的局限，在不额外加共源共栅器件的情况下提高输出阻抗从而增大增益，其基本的原理图如下：
就是在原有的共源共栅级联管M2的栅源之间加入了一个放大器，这个放大器称为“增益自举辅助放大器”，假设其增益为 A b A_b Ab，如果M2的源极交流电位变化，则栅源之间的电压变化为 V g s = ( A b − 1 ) Δ V V_{gs}=(A_b-1)\Delta V Vgs=(Ab−1)ΔV，此时M2的漏电流变为 I &
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