显示模组TP银离子迁移攻克记

外挂TP银离子迁移攻克取经记

背景：

目前触控行业外挂TP，采用金属银进行导通，"银"的金属特性，在一定触发条件下，容易发生金属迁移，俗称“银迁移”，这也成为困扰业界的疑难杂症。

一.银迁移形成机理

1.何谓银迁移

银迁移，即指：在高湿度、持续性电压或具有吸水、吸附湿气特性的绝缘体等条件下，银从金属氧化变成了银离子，继而在电场的作用下，银离子从正极（ANODE）迁移到负极 （CATHODE），再沉积的这一过程

2.银迁移现象形成机理过程

第1步.  金属银（Ag）因银电极的电位差以及表面存在从周围环境中吸附的水而发生电离；Ag→Ag+  H2O→H++OH-

第2步.  银离子（Ag+ ）和氢氧根离子（OH- ）在阳极端（ANODE）生成氢氧化银（AgOH）析出；Ag++ OH-→AgOH 

第3步.  氢氧化银（AgOH）分解在阳极端形成氧化银（Ag2O）并成胶体状分散；2AgOH⇌Ag2O+ H2O

 第4步.  生成的氧化银（Ag2O）和水（H2O）经反应形成的银离子向阴极（CATHODE）移动析出形成树枝状；Ag2O+ H2O⇌2AgOH⇌2Ag++2OH-

二.不同工艺针对银离子迁移攻克的方式阐述

1.G+G银浆印刷工艺

1）银浆的选择

要求使用致密性球状的粉体，要求大小0.05～0.06um

2）禁止使用块状银浆，并在镭雕过程确认镭雕不能出现银离子外漏

图1镭雕平整，粉体致密性高，密度大且没有银离子外漏

图2镭雕不平整，印刷后成块状，致密性差，且通道之间有银离子外漏

3)镭雕后需要进行超声波清洗并烘烤干净，纯水电阻率≤18.25

镭雕防止银浆异物残留，镭雕参数设定需要进行DOE验证，一般推荐盛雄激光设备

4)GND与TX0线间距尽可能做大到0.15mm

5)绝缘油墨覆盖尺寸设计需要

需要覆盖超出银浆线路0.3mm

2.纳米银工艺

1）纳米银粉选择

需要致密性高度银粉

2）镭雕参数设定

防止纳米银线杂乱分散在聚合物介质中

很容易从介质中蔓延出来

激光会使银层完全被包裹到无机介质里面，很少露出来

3）覆盖介质选型

需要采用无机复合薄膜包裹，金属氧化物薄膜经过镭雕后，整个截面纳米银涂层外露

3.压印银工艺

1）管控压入UV胶槽深度及宽度尺寸

2）控制膜的张力，进行管控银粉与Uv胶高度差5～8um

3)0C胶粘贴完全密封Uv胶槽

4.metal mesh 工艺其管控方式类似，做减法

三.可靠性测试识别工艺风险

测试项目：银离子迁移测试

测试条件：70℃+90%RH，稳压电压（根据选择触控IC最高工作电压，即升压电压），持续240H中间不断电，每2天测试一次，记录功能和电容值

判定结果：采用显微镜Sem结果看是否明显的银离子迁移

四.总结工艺优越性

1.优先选择银浆异物+镭雕工艺（银浆优先通美189&贝特利2772&中科纳通）系列

2.其次metal mesh工艺低阻值优势，银离子迁移风险相对低

3.再次选择纳米银工艺，选择覆盖介质，保证纳米银层包裹在内

以上仅个人观点，欢迎指正，多谢。