带隙基准电压的仿真实现

一、理论准备

理论分析的具体细节请参考于拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》第十二章，本文主要介绍如何将书中最基础的Bandgap结构在Cadence仿真软件进行复现。

Vref = VBE + α*(VT lnn)

其中VBE为双极晶体管的基极（B）到发射极（E）电压，该电压为负温度系数，即

。

而VT lnn为两工作在不同电流密度下双极晶体管的VBE的差值（请参考拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》P463）,该电压为正温系数，即

。

将两电压以合适的比例α相加，从而将正温系数和负温系数相抵消就可得到一个零温系数的电压

。

接下来通过Cadence来仿真出负温系数和正温系数的的具体值，再使用最基础的结构将两电压相加并找出合适的α值。

二、仿真实现

请选择你能使用的一家工艺来实现，这里是SMIC的工艺。

step 1:VBE及其负温系数

Testbench如上图所示，这里用的是PNP型二极管，注意其电位的连接方式，其中发射结要正偏。用一个10u的理想电流源（理想电流的电压取决于外部电路的限制条件）来作为偏执电流，注意电流源的电流方向，如果是上图所示电流源箭头朝向地，则在properties中设置为-10u，而二极管这里的尺寸按默认不动。

添加好仿真所需的Model文件，选择dc仿真，这里选择从-40-125℃的温度范围来扫描，输出Ve的波形。

这里明显看出Ve = |VBE| 是随着温度增加而降低的。

选中Ve波形，将其送入calculator中使用deriv函数让其相对于温度求导，再输出如下波形。

上图中下半部的波形即为|VBE|相对于T（T和℃的换算关系为线性）的导函数波形即我们最开始要求的负温度系数，不过这里是相对于温度的函数。

这里列出26℃下的|VBE| = 779.49mV 负温系数 = -1.545mV/T。

Step 2:VT lnn及其正温系数

上图二极管Q1的尺寸在properties中设置为Q0的8倍，也即lnn中的n = 8，两个二极管都用10u的电流源来偏执。

同step1从-40-125℃进行dc扫描，输出Veb1和Veb2的波形后，送入calculator中作差，再输出△VBE = VT lnn ，再对△VBE的波形进行求导，输出波形。

可观察到VT lnn 随温度升高增加，以及正温度系数的函数。

这里列出26℃下的 VT lnn = 54.83mV 正温度系数 = 175.436uV/T

step 3:正温电压加负温电压

将负温系数 = -1.545mV/T 与正温度系数 = 175.436uV/T代入下面的式子。

计算出α = 8.80663 ，再将α 的值、|VBE| = 779.49mV和VT lnn = 54.83mV代入下面的式子。

Vref = VBE + α*(VT lnn)

计算出Vref = 1.262V。

采用上图所示的电路结构，电路的细节请参考拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》P470页，其中Q2的尺寸与Q0相同。PM0 - PM2三个PMOS管的W = 2u,L = 1u,不同工艺可能有所区别，请保证在10uA的偏执电流下所有的MOS管都能够工作在饱和区就行，暂时不考虑面积等因素限制，而NM0 - NM1两个NMOS管的W = 1u, L = 0.55u。由于P管的载流子迁移率更小，在与N管偏置在同样电流时P管的W/L应稍大一些，而三个P管作为电流镜结构，它们的L应相对取大一些，进而减小沟道长度调制效应的影响来保证电流复制的更加精准一些。

关于电阻R0 和 R4的取值。

参考拉扎维书中的分析过程，电阻R0上的电压就是 △VBE 也就是 VT lnn，而I = 10u。

R0 = VT lnn / 10u = 54.83mV / 10u = 5.483KΩ

而这里：Vref = VBE + R4/R0 * VT lnn， 其中α = R4/R0

R4 = α * R0 = 8.80663 * 5.483KΩ = 48.2868KΩ

先在-40-125℃，扫描5个管子的region，都在2即饱和区。

按如上参数设置R0= 5.483KΩ ，R4 = 48.2868KΩ，跑一个dc仿真，并查看静态工作点。

发现偏置电流偏大为11.35u，于是扫描R0的值，输出偏执电流得到以下波形。

重新设置R0 = 6.225638KΩ，再跑一个dc仿真。

这时扫描温度从-40-125℃，输出Vref，波形如下。

观察Vref的波形发现，其随温度升高在增加，根据下面的式子，也就是正温系数α稍大了，在-40-125℃下，△Vref = 10.894mv。

而α = R4/R0 也就是要稍微减小R4的值，使用ADE L中的Tools => Parametric Analysis来扫描R4的值。

输出波形如下：

这里选择R4 = 46.41K，当然可以不断缩小R0的范围来获得更精确的R4值。

重新输出Vref，在-40-125℃下，△Vref = 2.952mV。

三、小结

后面会采用运放的形式来实现，性能估计会更好，还有关于Vref的温漂系数仿真，以及PSRR仿真等放在后续的文章展开。