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RSS订阅原创 BUCK电路分析设计(二）/备忘
https://blog.csdn.net/Czy1377004611/article/details/124198193?spm=1001.2014.3001.5501由于实际上BUCK电路工作在闭环状态，因此实际控制开关管导通和关闭的信号是由BUCK电路自身反馈形成的，而非外界给定，故需要对BUCK电路添加反馈。实际BUCK电路如图，采用电压反馈的形式，整个反馈回路包括电压采样、单极点-零点补偿、脉宽调制三个部分。工作原理为，电压采样输出的信号，传入反馈网络中，反馈网路另一端输入为参考电
2022-04-15 18:17:46
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原创 BUCK电路分析设计(一）/备忘
用于DC-DC转换的降压型BUCK电路如图所示基本工作原理为：输入一占空比为D的脉冲信号，当信号低电平时PMOS开启，NMOS关闭，电源通过PMOS，流经电感，并对电容与负载充电，电感电流线性上升，斜率为(VIN-VO)/L。当信号为高电平时NMOS开启，PMOS关闭，此时电感电流线性下降，斜率为-VO/L积累在电容上的电荷通过NMOS放电到地。输出与输入的关系表达式为VO/VIN=D仿真时，输入为D=0.5的脉冲，电源电压给定5V，电感L=5u，C=10u，负载r=10Ohm最后输
2022-04-15 17:15:58
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原创 轨对轨运放分析与设计/备忘
基于1830工艺，对https://blog.csdn.net/Czy1377004611/article/details/119241182?spm=1001.2014.3001.5502的折叠式共源共栅放大器进行改进，成为轨对轨运放运放的基本结构如图，相比于pmos输入的折叠式共源共栅，加入了nmos输入当输入电压高于VDD-Von3-Vgs1时，pmos输入差分对截止，nmos输入差分对导通，增益为GmnRout当输入电压低于Von3+Vgs1时，nmos输入差分对截止，pmos输..
2021-08-02 11:03:05
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原创 共源共栅电流镜的分析
如图所示，令左路电流为10u，PM1和PM0宽长比相同，则由电流镜定律，右侧电流也为10u，目标：设计较为精确的电流镜，要求输出（PM3漏端）电压>VDD-0.6采用1830工艺由于输出电压>VDD-0.6，因此Vdsat0+Vdsat3<0.6采用1：1复制，PM1与PM0宽长比相同，为保证PM1与PM0漏压相等，PM2与PM3尺寸相同。0.6V压降平均分给PM0与PM3，为保证设计余量，取Vdsat=0.25V由于饱和时，Vgs-Vth<Vdsat，因此Vsa..
2021-07-16 14:40:09
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原创 峰值电流检测电路设计/自己备忘
采用1830工艺，PM3和PM2采用pch_ldm_40v功率管承受电压和大电流I0为10uA电流源，I12为待检测的电流源，设置为1ANM0-NM5宽长比设置一致，构成共源共栅电流镜，复制10u的电流。PM1，PM0，PM4构成误差放大器，将PM1 PM0的源端电压钳位为相等。PM2与PM3的宽长比为2000：1，故I12上的电流几乎从PM2上流过，为1A，PM3上电流为500u，由于500u远大于10u，故R4上的电压约等于(I12/2000)*R4通过饱和电流方程确定过驱动电压0.2V..
2021-07-16 10:53:20
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原创 双输出基准电压电路/自己备忘
左侧电路为带隙基准电路，https://blog.csdn.net/Czy1377004611/article/details/118670989?spm=1001.2014.3001.5501带隙基准电路输出端Vout接放大器的正输入，放大器负输入端接电阻R3，由运放虚短，放大器的两输入钳位在相同电压Vout，右侧两个放大器用作负反馈，稳定输出电压，两输出Vout1=Vout×R5/(R4+R5)，Vout2=Vout×（R3+R4+R5）/(R4+R5)。温度扫描可以看到具有较好的温漂...
2021-07-15 13:19:18
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原创 比较器设计/自己备忘
采用1830工艺，与二级运放不同的是没有反馈结构，在输出端加入反相器提高驱动能力设计过程：1.确定PM6与PM9上电流分别为100u和200u，过驱动电压为0.2V2.由饱和区电流公式计算PM7与PM8的宽长比为62.53.由饱和区电流公式计算NM5与NM4的宽长比为14，NM6宽长比564.由电流镜比例算得PM6宽长比125，PM9宽长比2505.确定偏置电路电流大小20u，并由饱和电流公式计算NM2宽长比为5.6，设置NM9与NM10宽长比与之相等6.取NM3宽长比为N...
2021-07-15 12:57:52
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原创 带隙基准电流源设计与改进/自己备忘
采用1830工艺设计预设值电流I=10uA，由公式过驱动电压0.2V，得到PMOS宽长比12.5/1由公式过驱动电压0.2V，得到NM8宽长比2.8/1设置K=4，NM7宽长比4×2.8/1由公式带入计算得到R大小为9.96KΩ进行DC仿真，发现电流有偏差，调节R=15K欧姆，得到电流大小为10.07u对其进行VDD从3.5-5V和温度从-40-120℃的直流扫描，仿真图如图随温度变化浮动巨大，同时随电压改变电流不能很好的稳定。
2021-07-14 12:19:48
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原创 带隙基准电路设计仿真/自己备忘
电路结构如图所示，放大器采用二级米勒补偿运算放大器https://blog.csdn.net/Czy1377004611/article/details/118551567?spm=1001.2014.3001.5501所用工艺为1830工艺基本原理是PTAT电流产生电路的PTAT电流在电阻R2上的压降与三极管Q3的BE结电压叠加形成VREF。1.确定工作电流和R1搭建如图仿真电路图，设置idc=i，ADE窗口选择Variables-copy from cellview，如图仿真。..
2021-07-12 13:16:57
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原创 二级米勒补偿运算放大器设计/自己备忘
运放基本结构如图左侧为偏置电路，中间为输入级放大电路，右侧为第二级放大电路以及相位补偿电路。1.确定米勒电容Cc。负载电容CL给定为10pF，米勒电容一般取1/3~1/5的CL，本次取3pF。2.选择过驱动电压，为简化统一取过驱动电压为0.2V。3.分配电流，选择IM5=150uA，IM7=300uA。4.确定nmos与pmos参数。使用1830工艺的nch_svt_iso_nbl_5p0v与pch_svt_iso_nbl_5p0v，搭建如图所示测试电路：选择DC仿真，Save ..
2021-07-08 11:02:44
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空空如也
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