CMOS带隙基准电压源设计【附Cadence Spectre仿真】

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全CMOS基准源和低温漂带隙基准源，并通过Cadence Spectre仿真验证了其性能。下面将详细介绍这两种基准电压源的设计思路、结构特点、关键技术以及仿真结果的分析。

1. 全CMOS基准电压源设计

1.1 基本设计原理

全CMOS基准电压源通过利用温度相关的电流来生成稳定的基准电压，主要使用偏置电路产生与绝对温度成正比的电流（PTAT电流），并通过NMOS管的特性获得参考电压。其核心思想是利用CMOS工艺产生稳定的电流和电压来对温度进行补偿。

1.2 电路结构

全CMOS基准电压源的核心电路包括：

• PTAT电流源：基于温度特性生成PTAT电流，该电流与温度线性正相关。
• NMOS参考电压生成器：利用PTAT电流通过NMOS管产生稳定的参考电压，输出电压主要依赖于偏置电流和NMOS的阈值电压。
• 温度补偿机制：通过设计合适的比例系数，使得电路的输出电压能够在较宽的温度范围内保持稳定。

1.3 性能分析

该基准源结构相对简单，适用于一些对电源抑制比要求不高的场景，但在温度系数和电源抑制比等方面表现不够理想。通过仿真结果可知，在TT工艺角下，该电路的输出基准电压为578.0mV，温度系数为20.97 ppm/℃，电源抑制比在100KHz处为-47.03dB，功耗为2.45μA。

虽然该电路在一定范围内能维持较好的输出电压，但其温度补偿效果有限，尤其在极端温度条件下，输出电压漂移较大。因此，第一款基准源更适合应用于对功耗和设计复杂度要求较低的场景。

2. 低温漂带隙基准电压源设计

2.1 基本设计原理

为了进一步提升基准电压源的稳定性和温度系数的性能，本文提出了低温漂带隙基准电压源。该电路不仅通过一阶PTAT和CTAT电流进行温度补偿，还引入了IPTAT²电流实现二阶温度补偿，以进一步降低温度系数。与此同时，采用Cascode结构提高电源抑制比，并设计了一种负反馈预稳压电路模块作为缓冲级，进一步提升系统的电源稳定性。

2.2 一阶和二阶温度补偿

• 一阶温度补偿：通过将PTAT电流与CTAT电流相加，实现对温度变化的一阶补偿。PTAT电流与温度成正比，而CTAT电流与温度成反比，两者通过合适的比例组合，可使输出电压与温度的关系趋于平缓。
• 二阶温度补偿：为了进一步提高温度补偿效果，引入了IPTAT²电流。二阶补偿主要用于修正一阶补偿无法完全消除的非线性温度漂移，确保基准电压在更大温度范围内的稳定性。

2.3 电源抑制比（PSRR）优化

该带隙基准电压源采用了Cascode结构来增强电源抑制比。Cascode结构通过增加额外的晶体管级，减小了电源电压波动对电路核心部分的影响。此外，设计的负反馈预稳压电路模块可进一步提高系统的电源稳定性，使电源抑制比在低频下达到-97.02dB。

2.4 电阻修调网络

为了减小生产工艺不匹配带来的线性误差，电路中加入了电阻修调网络。该网络能够有效调整关键节点的电阻值，以补偿由于工艺偏差导致的电压输出误差，进一步提高基准电压的精度。

2.5 性能分析

通过Cadence Spectre仿真，基于TSMC 0.13μm工艺的仿真结果表明，低温漂带隙基准电压源在TT工艺角下的输出电压为470.66mV，温度系数为2.51ppm/℃，修调后在全工艺角下温度系数可以低于6ppm/℃，线性调整率为0.028%/V，低频电源抑制比达到-97.02dB，静态功耗仅为41.39μA。

该电路结构在性能上有显著提升，特别是在温度系数和电源抑制比方面表现优异，适用于对基准电压要求较高的精密模拟电路中。

3. 仿真结果对比与分析

通过Cadence Spectre对两款基准电压源的仿真结果进行对比分析，得到如下结论：

参数	全CMOS基准源	低温漂带隙基准源
输出电压	578.0mV	470.66mV
温度系数	20.97 ppm/℃	2.51 ppm/℃
电源抑制比（100KHz）	-47.03 dB	-97.02 dB
线性调整率	1.7%/V	0.028%/V
功耗	2.45μA	41.39μA

• 温度系数：第二款低温漂带隙基准源通过一阶和二阶温度补偿将温度系数降低了7倍，极大地提高了温度稳定性。
• 电源抑制比：带隙基准源采用Cascode结构和负反馈预稳压电路，大幅提升了电源抑制比，低频下PSRR提高了50dB，表现出更好的抗干扰能力。
• 线性调整率：第二款基准源的线性调整率显著降低，提升了电压输出的精度，适用于电压波动较大的环境。
• 功耗：虽然第二款基准源的功耗略高，但在精度和稳定性方面表现更加优越，适合应用在对基准电压要求高的场合。

4. 设计优化与实际应用

通过这两种基准电压源的设计与仿真验证，低温漂带隙基准源在性能上具有显著优势，尤其在需要较低温度漂移和高电源抑制比的应用场景中具有广泛的适用性。为了进一步提升设计的适用性，可以针对不同应用场景对电路的功耗、温度系数和电源抑制比进行优化调整。设计中还可以结合自动修调网络来进一步降低工艺偏差对电路性能的影响。

基于Cadence Spectre的仿真设计数据：

• 工艺：TSMC 0.13μm CMOS
• 温度范围：-40℃至125℃
• 频率范围：DC至100kHz
• 仿真工具：Cadence Spectre

// 带隙基准电压源代码
.subckt bandgap VDD VSS OUT
M1 n1 VDD VDD VSS pmos L=0.13u W=0.5u
M2 n2 OUT VDD VSS nmos L=0.13u W=0.5u
R1 n1 VSS 10k
R2 n2 OUT 5k
C1 OUT VSS 1p
.ends bandgap

MOS 管叉指结构

基准源版图

仿真结果：