BSIM-CMG学习笔记1

0.背景介绍

BSIM（Berkeley Short-channel IGFET Model）是由加州大学伯克利分校的研究人员开发的一种用于模拟金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的模型。它是一种数学模型，用于描述MOSFET器件的电流与电压之间的关系，因此在集成电路（IC）设计中被广泛使用。

BSIM模型包含了多个版本，每个版本都针对特定的器件制造工艺和应用场景进行了优化，其中包括BSIM1、BSIM2、BSIM3、BSIM4、BSIM6、BSIM-CMG、BSIM-IMG等。这些模型具有不同的精度、计算速度和适用范围，以便能够更好地满足不同的应用需求。

BSIM-CMG (Berkeley Short-Channel IGFET Model – Common Multi-Gate) 是BSIM系列模型的最新版本,旨在更准确地描述现代CMOS器件的特性和行为。相对于以前的BSIM版本，BSIM-CMG在以下几个方面进行了改进：

1. 增加了用于描述低压操作下电流和电压之间关系的新模型。
2. 引入了新的二维材料（如石墨烯）和垂直晶体管等新型器件的模拟。
3. 提高了对低电压器件和快速开关应用的准确性。

1. BSIM-CMG描述

🌟模型描述

BSIM-CMG 在 Verilog-A 中实现。BSIM-CMG 已通过工业实验数据验证。 该模型在 Vds = 0 时是连续且对称的。这种基于物理的模型可扩展并可预测各种器件参数。它主要考虑了一下效应：

1. 量子效应，可以模拟低维材料（如石墨垢）和纳米器的行为；

2. 表面反向散，这对于高温和长时间运行的器具尤为重要；

3. 空间电荷效应，可以描述高效率和高频应用中的非线性能为；

4. 温度效应，包括温度对电压导率、电阻率、载流子浓度和迁移率的影响；

5. 通路长度调节效应，更好地模拟短通路器的行为；

6. 压缩效果，描述多基准器件中基准之间的相互作用对电压密度的影响；

7. 热效应，包括热失配、热漂移和热噪音等。

🌟与spice的关系

SPICE是一种电路仿真器，用于模拟电路中的各种器件和组件的行为和特性，例如电阻、电容、二极管、MOSFET等等。SPICE可以将电路的原理图转换为数学方程，然后使用数值方法对电路进行仿真，以便分析和优化电路的性能。

在电路仿真过程中，SPICE通常需要使用器件模型来描述实际的器件行为。BSIM-CMG就是一种用于MOSFET器件的模型，在SPICE中使用BSIM-CMG可以更准确地模拟MOSFET器件的行为和特性。SPICE支持多种模型类型，在SPICE中使用BSIM-CMG模型，需要在电路原理图中使用MOSFET器件，并为该器件设置模型类型为BSIM-CMG。

BSIM-CMG模型包含一系列参数，可以根据具体器件的制造工艺和特性进行调整。在SPICE中，可以通过设置这些参数来适应特定器件的特性。BSIM-CMG模型中的参数可以通过手动设置或使用自动拟合工具来调整。

🌟与TCAD的关系

TCAD（Technology Computer-Aided Design）是一种基于计算机的工艺技术设计软件，用于模拟、设计和优化半导体器件和电路的性能。TCAD软件通过数学模型和仿真算法，模拟半导体器件和电路在不同工艺条件下的行为和特性，包括电学特性、热学特性等等。

TCAD和BSIM都是用于模拟和设计半导体器件和电路的工具，TCAD和BSIM都是基于数学模型的工具。但它们使用的数学模型有一些不同之处：

        1.TCAD通常使用更为复杂的数学模型来描述半导体器件和电路的行为和特性。例如，它可能使用包括Poisson方程、连续性方程、热传导方程、扩散方程等在内的多个方程来描述器件中的电荷分布、电场分布、电流分布等物理特性。同时，TCAD通常还会使用各种数值方法和算法来求解这些方程以得出准确的仿真结果，如有限元法、有限差分法、谱方法、蒙特卡洛模拟等等。在TCAD模拟中，非线性有限元方程组通常非常大，可能包含成千上万个未知数和方程。对于这种大规模的非线性方程组，牛顿迭代法可能需要大量的计算和存储资源，求解时间会非常长，并且可能会面临数值稳定性问题。

       2. BSIM则是一种更为简化的模型，它使用了更少的数学方程和参数来描述器件的物理特性，以提高模型的简单性和仿真效率。例如，BSIM模型通常使用一些基本的电容、电流和电阻参数来描述MOSFET的行为和特性，如通道长度调制效应、击穿效应、漏电流效应等。BSIM使用的数值方法通常是牛顿迭代法，用于求解非线性方程组，并结合了一些近似公式来简化模型的计算。在BSIM模型中，方程组的规模相对较小，一般只包含几十个未知数和方程。因此，牛顿迭代法等数值方法可以比较方便地求解。

BSIM是一个经验性的模型，它是通过对实验数据进行拟合来确定模型参数，而不是基于物理方程。BSIM模型的设计是以实用性为目标，目的是提供简单、准确和可靠的模型，以便快速预测器件行为。BSIM模型通常包含较少的参数，这些参数具有直接的物理意义，因此更容易理解和使用。相比之下，TCAD是基于物理方程的模拟器，它可以对器件进行更精细的建模和仿真，以及更深入的物理分析。TCAD通常涉及更多的物理参数和模拟方程，因此需要更多的计算资源和时间。TCAD还可以模拟器件的三维结构和复杂的物理效应，例如电子隧穿效应和热效应等，这些都是BSIM模型难以捕捉的。

在具体应用时需要根据实际需求进行选择。如果需要模拟半导体器件和电路的物理特性、工艺特性等，可以选择使用TCAD；如果需要模拟MOSFET器件的特性，则可以选择使用BSIM。

另外，在仿真时间上，TCAD模拟可能需要几分钟或几个小时，甚至几天来完成，具体取决于仿真模型的复杂度和计算机的性能。而BSIM模拟一般来说比较快，可以在几秒钟到几十秒钟内完成，具体取决于模拟器件的规模和计算机的性能。

2. BSIM-CMG参数

🌟主要参数

截至2021年，BSIM最新版本是BSIM-CMG（BSIM-CMG 110.0.0），它包含了大约180个参数。在早期版本的BSIM中，参数数量可能会更少一些，例如BSIM3v3和BSIM4中都包含了约60-70个参数。BSIM模型的参数数量取决于所考虑的物理效应以及模型的精度和复杂度。

需要注意的是，每个版本的BSIM都具有不同的参数集，因此不能将它们的参数混用。以下是BSIM-CMG模型中一些重要的参数:

        1.MOSFET的物理参数，包括沟道长度和沟道宽度等，直接影响MOSFET的电气特性。

        2.器具结构参数，包括沟道深度、栅极氧化层厚度等，直接影响MOSFET的电气特性。

        3.材料参数：包括通道和极材料的特性，例如迁移率、材料密度等。

        4.工艺参数：包括温度、压力、加工时间等，这些参数是制作过程的特性。

        5.电压和电容参数：包括沟槽电阻、栅极电容等，决定了MOSFET的频率响应特性。

BSIM-CMG模型通过将不同的效应进行建模，并采用物理上合理的方式将它们组合起来，来描述MOSFET器件的行为和特性。

具体来说，BSIM-CMG模型通过对每个效应的数学描述进行建模，并将这些效应之间的相互作用考虑在内，来预测器件的行为和特性。例如，对于沟道长度调制效应，BSIM-CMG模型采用了经典的MOSFET模型进行建模，并通过考虑沟道电场对电荷密度的影响来修正沟道长度调制效应。对于量子效应，BSIM-CMG模型采用了自洽的薛定谔-泊松（S-P）方程组进行建模，以考虑量子效应对MOSFET的影响。对于隧道电流效应和热效应，BSIM-CMG模型分别采用了物理模型进行建模，以考虑这些效应对器件的影响。

最终，BSIM-CMG模型将所有的效应组合在一起，并考虑这些效应之间的相互作用，来预测器件的行为和特性。这样，BSIM-CMG模型能够更准确地描述MOSFET器件的实际行为。

🌟获取特性 

使用BSIM模型可以获得MOSFET器件的各种特性，包括静态特性、动态特性和噪声特性等。

静态特性描述器件或电路在稳态工作条件下的特性，即输入信号不随时间变化，器件或电路的输出响应达到稳定状态后的特性。常见的静态特性包括：I-V曲线、特征曲线、传输曲线等。

动态特性描述器件或电路在输入信号变化时的响应特性，通常以时间域或频率域的方式描述。常见的动态特性包括：响应时间、上升时间、下降时间、带宽、相位延迟等。

噪声特性描述器件或电路在工作过程中产生的电噪声、热噪声等，通常以谱密度的方式表示。常见的噪声特性包括：噪声系数、谱密度、等效噪声电阻等。

这三个特性通常都是通过测试、仿真等手段得到的，是评估器件或电路性能的重要指标。

🌟评测指标

BSIM主要用来获取MOSFET器件的电学特性，如电流-电压（I-V）曲线、转移特性曲线、小信号参数等。 -V曲线是描述电子器件电流与电压关系的曲线。对于不同的电子器件，其I-V曲线可能具有不同的特点。常见的对I-V曲线进行评测的指标包括：

1. 开启电压(vth)：器件在正向偏置情况下开始导通时的电压，通常用于评估器件的导通特性。

2. 电流增益(gm)：指MOSFET的输入电压与输出电流之间的增益关系。

3. MOSFET在饱和区时的最大漏电流Idsat.

4. MOSFET在反向工作区时的漏电流Ioff，MOSFET在正向工作区时的漏电流Ion。