BSIM4 and MOSFET Modeling For IC Simulation

第1章bsim和IC仿真

BSIM (Berkeley Short-channel IGFET Model)于1997年成为第一个用于模拟CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)集成电路的国际工业标准紧凑模型。据信，自1998年以来，世界范围内开发的大部分集成电路都是使用BSIM设计的。BSIM已服务于广泛的CMOS技术和IC应用。

1.1电路仿真和紧凑模型
一个集成电路包含数百万到数十亿个晶体管。在进行昂贵的制造之前，电路的功能和性能必须通过计算机模拟来验证。电路是通过一种被称为SPICE(强调集成电路的模拟程序)的方法来模拟的，这个方法是由Ron Rohrer教授和Don Pederson教授和他们的学生在20世纪70年代早期在加州大学伯克利分校开发的。该方法采用数值分析算法求解集成电路的微分和代数节点和分支方程。电路通常是非线性的，因为mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)等晶体管是非线性器件(与偏置无关的电阻或电容相比)。对于MOSFET器件，晶体管漏极电流的复杂行为的一般形式I(V, Va, V，， V, L, W)被精确地表示为一组解析方程称为紧凑模型。如果这些方程印在纸上，它们可能要占用几页纸。然而，当它们在SPICE中实现时，会产生成千上万的计算机代码行的长度和复杂性

BSIM

BSIM3