模电技术--三极管

本文探讨了双极型晶体管(BJT)中的NPN型,阐述了三极管的基本结构,包括Base、Collector和Emitter极。重点说明了晶体管的工作条件:发射结正偏,集电结反偏,以及其放大电流的功能。通过特性曲线分析,解释了晶体管如何在放大区放大电流,并指出了非线性区(饱和区和截止区)的特点。
摘要由CSDN通过智能技术生成
三极管

这里主要研究BJT,也就是双极型晶体管,MOS管先不研究,以后再补充,不过两者的道理是大同小异的。

BJT分两种,一种是NPN型,一种是PNP型,

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看上图,B代表Base,三极管的基级;C代表Collector,三极管的集电极;E代表Emitter,三极管的发射极。

发射结指的是Base极偏向Emitter极,集电结指的是Base极偏向Collector极。
晶体管要正常工作,必须发射结正偏,集电结反偏。

NPN-BJT和PNP-BJT唯一的不同在于,NPN-BJT的电流是从C流向E,PNP-BJT的电流是从E流向C。

目前我们只讨论NPN,PNP可以通过类比来学习。

对于NPN-BJT来说,三极管的作用就是:

Base极的微弱电流控制Collector端的电流流向Emitter。

也就是说,晶体管能够放大电流,如果我们把C端作为输入端,把E端作为输出端,那么晶体管的作用就是放大C端的电流,并从E端输出。

根据能量守恒定律,我们知道C端电流不可能无端地被放大,那么一定是有能量加入了,没错,这就是Base极的作用,Base极的电流非常小,但是它起到了放大C端电流的作用。

I E = I B + I C I_E=I_B+I_C IE

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