基本概念
晶体三极管中有两种不同极性电荷的载流子参与导电,称为双极性晶体管(BJT),又称半导体三极管,以下简称晶体管。
并分为两种类型
基本电路
分为输入回路和输出回路,由于发射极是两个回路的公共端,故称该电路为共射放大电路
放大状态条件:发射结正向偏置Ube>Uon ;集电结反向偏置Ucb>=0,即Uce>Ube。其放大的意思是信号放大而不是能量放大,能量由电源提供,是一定的。
内部运动
共射直流放大系数
该系数含义相当于:未被复合的电子数 / 复合掉的电子数
Iceo穿透电流:穿透电流是基极开路,在集电极和发射极之间加电压时,从集电极穿透到发射极的电流。
共射交流放大系数
如图所示,若有输入电压▲u1作用,则晶体管的基极电流将在IB基础上叠加动态电流▲iB。集电流也将在Ic基础上加动态电流▲iC。
手写推导(感觉更容易看)
共基电流放大系数
以发射极电流作为输入电流,以集电极电流作为输出电流
与前面电路对比,可以发现明显不同的,电路中基级接地
α约等于1说明ic与ie相等,即为电流跟随电路。
共射特性曲线
输入特性曲线
当UCE不变时, 输入回路中的电流iB与电压uBE之间的关系曲线称为输入特性
UCE=0时相当于集电极和发射极短路,即发射结和集电结并联。与PN结类似。
UCE增大时,曲线右移,要获得同样的i B 就必须加大u BE
UCE>iV,集电结的电场已经足够强,可将发射区的绝大部分电子都收集到集电区
输出特性曲线
u CE逐渐增大—集电场逐渐增强—i C 逐渐增大—u CE增大到一定数值,集电结的电场已经足够强,可将绝大部分非平衡少子都收集到集电区—再增大,收集能力已经不能明显增强
晶体管有三个工作区:
在放大区,iC与uCE关系极小,输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB,即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。
通常uCE小到0.3V左右进入深度饱和。深度饱和区上任一点,iB增大时,iC不变
深度饱和区是输出曲线上,向右上方的斜直线,此状态下基极电流远大于iC/β,iC服从于三极管的饱和状态下导通电阻rC的欧姆定律,iC=uce/rc,即uCE大小决定iC的大小。
可能有些同学在这里又对正偏与反偏的概念懵了,再次解释一下
正偏、反偏是对于PN结而言的。在开关电路中,三极管工作在饱和导通与截止两种状态。正偏即两极间加的电压与PN结的导通方向一致,即饱和状态,就是两个P-N结都处于正偏的导通状态;截止状态,就是两个P-N结都处于反偏的截止状态。
在放大或饱和状态,如果有电压相差为0.7或0.2伏的两极,它们为基极和发射极,剩下的为集电极。
NPN:集电极电压最高,PNP:集电极电压最低
集电极电压在基极和发射极之间,则为饱和状态
没有两电位差为0.7V或0.2V,必是截止状态
放大:基极电位居中
截止或饱和:基极电位最低或最高
通常会给出三极管处于什么状态
一些参数
直流参数
- 共射直流电流放大系数
- 共基直流电流放大系数
- 极间反向电流
发射极开路时集电结的反向饱和电流ICBO
基极开路时集电极发射极间的穿透电流ICEO
交流参数
- 共射交流电流放大系数
- 共基交流电流放大系数
- 特征频率
当信号频率增加时,三极管的β 将会下降。当β 下降到1时所对应的频率称为特征频率,用 fT 表示。
极限参数
- 最大集电极耗散功率P CM
- 最大集电极电流ICM
- 极间反向击穿电压
温度对晶体管特性及参数的影响
1.温度对I CBO的影响
温度升高—电子-空穴对数量增加—电流ICBO增大,温度上升10℃,ICBO将增加一倍—穿透电流ICEO增加。
由于硅管的ICBO很小,温度对硅管的影响不大。
2.温度对输入特性的影响
与二极管类似,发射结的结电压uBE具有负温度系数
若使IB不变,温度上升1℃,uBE将下降2~2.5mV。
或温度上升,相同的uBE下,IB增加,IC也会相应增加
3.温度对输出特性的影响
使得共射电流放大系数β增加,温度每上升1℃,β值约增大0.1%,从而使得 I C=βI B增加。
相同的uCE下,温度高时β增大,ΔiC增大,曲线斜向右上