模电 3 三极管

2020-06-05 模电 3 三极管

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3 三极管

双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT） 俗称三极管

3.1 三极管的结构和符号

图 3.1

有孔 → 方便散热, 方便安装散热器

3.2 晶体管的放大原理

图 3.2
前置知识点(图3.1 图3.2 要放在一起看, 才好理解):

• 0 内电场方向: N区指向P区
• 1 PN结正偏的含意: PN结反向偏置时, 外电场 与 内电场方向 相反
• 2 PN结反偏的含意: PN结反向偏置时, 外电场 与 内电场方向 一致
• 3 英文符号理解
  • ① B b 都代表基极 base
  • ② E e 代表发射极 emitter (发射电子, 个人理解)
  • ③ C c 代表集电极 collector (收集电子, 个人理解)

3.3 晶体管的输入特性与输出特性

① β不是常量, 当i©特别小和特别大的时候, β会减小.
β不变的条件: 在输出特性坐标的某一点有微小变化的时候, β是不变的.
② 理想(达不到)晶体管, 没有穿透电流, β处处相等. 而且从输出特性上反映, 曲线应该是等距离的平行线.
③ 理想晶体管的情况下, β =
随后的近似分析, 经常是在理想晶体管下, 作近似分析的.

1 当输入电压小于三极管的门限电压时，输入基极电流很小，小于基极截止电流 (Base cut-off current)，此时集电极只有很少的漏电流流过（collector cut-off current），三极管工作在截止状态。

2 当输入电压高于三极管的门限电压时，输入基极电流由(Vin-Vbe)/R1决定。此时在正向偏置的基极电压作用下，高掺杂发射区的电子越过发射结扩散到基区。扩散到基区的一小部分自由电子与基区的空穴复合形成基极电流，复合掉的空穴由基极电流补充。当集电结反偏时，基区内的多数电子继续扩散，进入到集电区形成集电极电流。
** 在基极电流一定的情况下，使集射极电压Vce从零开始慢慢增加（因为此时Vbe≈0.7V，当Vce从零开始增加，也就意味着集电结电压Vcb电压从-0.7V开始，慢慢增加到正值。即集电结从0.7V正偏慢慢变为反偏，图9）。 在集电极电压为0时，即集电结正偏电压为0.7V，此时从发射区过来的自由电子被集电结正偏电压0.7V建立起来的势垒完全阻挡。所以集电极电流几乎为零。> 在集电极电压慢慢增加但是集电结电压仍然处于正偏状态，由于集电结势垒的降低，基区的电子开始进入集电区形成集电极电流。集电极正向偏置电压越低，基区电子扩撒到集电区越容易，从而集电极电流越大。所以此时集电极电流随Vce增加而增加。
当集电极电压足够大使得集电结零偏或者反向偏置时，基区的自由电子除了在基区跟空穴复合以外，几乎都可以进入到集电区，形成集电极电流。此时集电极电压再增加，集电极电流不会增加。
当基极电流增加时，由PN结特性知道，电流增加通常伴随电压的增加或者说电压增加引起电流的增加。所以当基极电流增加，对应的发射结电压也增加，发射区扩散到基区的自由电子也增加。当集电结处于反偏时，对应的集电极电流线性增加。这种在集电结反偏或者零偏状态下，基极电流的增加，集电极电流也成线性增加，此时三极管工作在线性放大区**。

3 从2 中的分析可以知道，在集电结正偏时（正向偏置电压<0.7V），基区的电子扩散进入集电区受阻。此时基极电流的增加虽然仍会使进入基区的电子增加，但是基区扩散进入集电区的电子由于受到集电结正偏的影响，集电极电流并不会增加。换句话说，在这种情况下，集电极电流的增加受限于集电结的正偏，而基极电流不再是限制因素。在这种集电结正偏的情况下，随着基极电流的增加，集电极电流并不会增加的现象，称之为饱和。此时三极管工作在饱和状态。
由上面的分析可以知道，三极管工作在饱和状态，和基极电流关系不大，但是和集电结的偏置状态有关系。在图9所示的工作电路中，假设Vce=5V，因为Vbe≈0.7V，此时集电结处于反偏状态，三极管应该工作在线性放大区。理论上说，如果基极电流持续增加，则三极管集电极电流也会一直线性增加。所以对于Vce=5V，如果基极电流足够大，集电极电流也会非常大，一直到器件发热超过其结温导致器件烧毁。
而对于图6的情况，当基极电流从0开始增加，三极管会由截止区进入线性放大区（参照图7）。随着基极电流增加，由于集电结反偏，三极管工作在线性区，集电极电流也随之增加。当基极电流足够大时，Vce电压降低到使集电结正偏，三极管进入饱和区。三极管工作状态沿着图7中红色的曲线由B点移动到A点。Vcc电源串联一个电阻，对集电极电流起到限流作用。

3.4 温度对晶体管特性的影响

3.5 主要参数