STM32读取内部FLASH

从下方的存储器映像可知，FLASH闪存（ROM，掉电不丢失）包含三个部分，即系统存储器，选项字节，程序存储器FLASH，其中的系统存储是不可更改的，相当于电脑的系统文件。
RAM是掉电丢失的存储器。

FLASH的操作方式：
上图中的黄色方框内即为FLASH区，其包括三部分，即系统存储器（启动程序代码），主存储器（程序存储器），选项字节（用户选项字节）。红色方框为闪存存储器接口，此接口即为读写FLASH而存在，实际上是SRAM外设，专为读写FLASH而设计。
FLASH的基本单位是页，每页的大小是1k，闪存的容量指的是主存储器的容量，擦除也是按页来擦除的。其遵循以下规则：
1.写入前必须擦除
2.擦除必须以最小单位进行
3.擦除后数据位全变为1
4.数据只能1写0，不能0写1
5.擦除和写入都需等待相应的寄存器空闲

注意：选项字节存储的数据是为了配置程序存储器中的程序

FPEC的控制；
锁寄存器，用来锁定FLASH不能被写入,解锁需要先写入KEY1=0x45670123
再写入KEY2=0XCDEF89AB,加锁即FLASH_CR的LOCK位写1
读的话直接读，不用解锁，用指针的方式：
uint16_t Data=(__IO uint16_t*)(0x08000000)
其中define _IO volatile
volatile的作用，避免变量被优化，FLASH不能直接写入的原因就是需要解锁

全擦除和页擦除的区别是页擦除需要知道是哪一页。写入过程如下，只能以半字写入，即16字



文中图参考江科大STM32教程