电力电子部分硬件模块调试心得

线性电源和开关电源(LDO和开关电源)

线性稳压电源和开关电源最大的区别是线性稳压电源中管子(无论是双极型还是MOSFET)工作于线性状态,而开关电源中管子工作于开关状态。

Buck电路

工作原理

BUCK电路原理图:
在这里插入图片描述

Buck电路降压的原理:是让电源周期性给负载供电而不是一直供电。所以需要开关管不停的开断。为了避免突然的大电压和电流对负载的冲击,所以需要L来控制电流的上升,先让电能储存在电感中,通过电感来给负载供电,当开关断开时,L的电流会减小,为了保持负载电压恒定,在L电流减小时,C补充减小的电流,以维持负载电流的恒定。

电路参数计算

开关频率占空比D:D=Ton/Toff=Uo/Uin
电感L:L=ULDT/△IL;其中△IL为电流纹波,可取0.25A
电容C:C=△ILT/(8△UC) ;其中△UC为电压纹波,可取0.1V

Boost电路

工作原理

Boost电路原理图:
在这里插入图片描述

Boost电路升压的原理是通过先给电感L充电,当L储满能量后,让电路中有两个电源给负载供电。先让开关闭合,电源给L充电,接着,断开开关,L反向,电源和L相当于两个电源串联给R充电,以此达到提升电压的目的。

电路参数计算

开关频率占空比D:D=Ton/Toff=(Uo-Uin)/Uo
电感L:L=ULDT/△IL;其中△IL为电流纹波,可取0.25A
电容C:C=IoTD/△UC ;其中△UC为电压纹波,可取0.1V

全桥逆变电路

工作原理

逆变电路原理(直流电是怎么变成交流电的):
逆变电路如图所示:
在这里插入图片描述
该电路有两种工作状态:
①第一种是S1、S4导通,电路回路如下图所示
在这里插入图片描述
此时,负载两端电压上+下-,电流从上到下流经负载。
②第二种是S2、S3导通,电路回路如下图所示
在这里插入图片描述
此时,负载两端电压上-下+,电流从下到上流经负载。
逆变将直流电变成交流,开关管是重要部件,NMOS和PMOS的区别?为何经常使用NMOS?
NMOS的导通电阻小。
MOS管的选型需要注意哪些参数:①管子能够承受的最大电压:漏源极Vds的最大值②管子最大能通过的最大电流:Id③导通电阻Rds,这决定了管子的导通损耗④管子一般有米勒效,也就是开通阶段阻碍驱动电压的上升,关断阶段阻碍驱动电压的下降,米勒电容越小越好,会减小管子的开关损耗⑤栅源极最大阈值是多少,大于此值才能让管子导通⑥随温度变化这些参数的最差情况

光耦隔离的原理:

光耦一般用于信号的隔离,其内部可以看做一个特殊的“三极管”,一般的三极管是通过基极B和发射极E间的电流,去控制集电极C和发射极E间的电流;而光耦可以看做是用输入端发光管的光强度控制输出端的电流,都是电流控制,只是一个由电流回路控制,一个由光强度控制。
在这里插入图片描述

三极管工作的原理
以NPN型为例:两个N结不一样厚,集电极薄,发射极厚,三极管正常工作时,有两个回路的电流。只有当BE回路有电流,P和发射极的N结才会导通,发射极的负电子才会到集电极,集电极CE回路才有电流。而BE回路有电流的条件就是BE电压大于PN结电压(0.7V)
在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

驱动芯片:

单片机输出的电压电流很小(STM32输出电压一般不超过3.3,电流一般不超过30mA),一般不能直接连接到MOSFET的门极作驱动,需要驱动芯片将单片机的电压放大。驱动芯片之后是大功率,驱动芯片前是小功率,需要光耦隔离。
全桥逆变自举电路的作用
当NMOS需要做高端开关时,需要引入自举电路。
Q1、Q2导通条件为:VGS>VGate,对于Q2而言,S接地,只要VG>VGate就行,Q2很容易导通;对于Q1而言,其S未接地,而是接的Q2得D,如果Q1的S为0V,则Q1的VG大于Vgate就行,那此时,Q2的S必须得为负,Q1、Q2才能导通;如果Q2的S接地,那Q2的VG大于VGate,此时,Q1的VG得大于2VGate;以具体数值来说,如果Q2的VG为5V,那Q1的VG就要为10V,但要知道,一般而言,不超过5V。所以,就需要引入自举电路。先让Q2导通,然后通过5V、二极管、Cboost、Q2形成回路给Cboost充电,此时Cboost的电压近似等于5V,于是不用额外加10V的电压,Q1也能导通。
Cboost的值如何选取:Cboost>=10Cg=Qg/(5V-Vdiode);其中,Qg是需要在NMOS的Datasheet中找。Cboost不能太小,太小了,不能开通NMOS,也不能太大,NMOS不能完全打开。
此外,芯片供电对地的电容必须要>=10
Cboost 。
此外,一般会在电源和Cboost之间串联一个电阻Rboost,串联电阻能降低尖峰电压对NMOS的损耗,一般取5~10Ω。
此外,一般会在SW与地之间依次串联R、C吸收电路,SW(Q1的S与Q2的D之间)处易产生尖峰,用于保护NMOS。
https://www.bilibili.com/video/BV1Sv4y1E7z9/?spm_id_from=333.337.search-card.all.click&vd_source=845273a9efce603add87ad2d53be0027
在这里插入图片描述

全桥整流电路

工作原理

在这里插入图片描述
输入电压Uac与输出电压Uout的波形:
在这里插入图片描述
可以看出,整流电路能将交流变成脉动直流电,且脉动直流电的频率是交流频率的两倍。
为什么要稳压?
脉动直流电对电子器件的冲击很大,所以希望负载两端的电压是恒定的,需要在负载两端并联一个大电容或者二极管。大电容和稳压二极管能够起到稳压的作用。
在这里插入图片描述
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全桥整流电路输出电压Uo与输入电压Uin的关系:
全桥整流后的脉动直流电U脉=0.9xUin;半波为0.45xUin
全桥整流+滤波电容后的电压Uo=1.414xUin;
例如:输入交流电压220V(交流电压的平均值),那么脉动直流电的电压平均值为0.9x220V,滤波后的电压为1.414x220V。

可以看出,给脉动直流电并联一个稳压器件,脉动直流电不在波动,电压稳定了,注意电容的选取要稍大一点。
滤波电容具体怎么选择?
①耐压值:高于脉动直流电的1.5-2倍;
②电容大小的取值:滤波电容C≥3T/R

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