对于逻辑努力的一点理解

逻辑努力的定义是逻辑门的本征时间常数与对称反相器的时间常数之比。也就是说，g相当于对标准反相器本征时间常数的一个归一化。其中，逻辑努力g越小越好。

那么本征时间常数又是个啥呢？公式如下
τ=Rd×Cgin
Rd等效输出电阻体现输出的驱动能力，而Cgin表示输入电容对前级的负载。

本征时间常数只与逻辑门的结构有关，从公式可以看出尺寸系数S不影响τ的结果，一旦逻辑门的结构确定了，与尺寸大小无关。

在确定NOR和NAND的尺寸时，我们考虑的是让他们电阻与对称反相器相等，但是并没有考虑电容前后相等，增加宽长比势必会改变输入电容。对于NAND来说，输入电容变为4Cuint，也就是反相器的三分之四，NOR为反相器输入电容的三分之五。根据前面等效的方法，两个逻辑门的输出电阻相同，g不同，那么他对前级的负载是不同的，显然，NOR的负载更大一些。

假设输入电容相同，由于逻辑努力g是一定的，那么反映在输出电阻上的Rd是不同的，对于NOR和NAND来说，NOR的Rd为5/3，NAND的Rd为4/3，所以NAND的等效输出电阻小，驱动能力强与NOR，这也是在进行电路设计过程中，为什么使用二输入的与非门的原因。

在这个图中，也涉及到了逻辑努力的概念。NOR的逻辑努力>NAND>INV，
表现在驱动能力上，NOR的等效输出电阻最大，带负载能力最弱，延迟也越大。