002 反相器的动态特性

反相器

• 速度受$R_{on}$和$C_{load}$限制
• $C_{load}$依赖于扇出、扇入

延时

• $t_r：上升时间$
• $t_f：下降时间$
• $t_{pLH}：上升延迟$
• $t_{pHL}：下降延迟$
• $t_p：传输延迟，t_p=\frac{(t_{pLH}+t_{pHL})}{2}$
• $t_{cdLH}：上升污染延迟$
• $t_{cdHL}：下降污染延迟$
• $t_{cd}：污染延迟，t_{cd}=\frac{(t_{cdLH}+t_{cdHL})}{2}$

米勒效应和电容归一化

负载电容$C_{load}$

$t_p\approx 0.69R_{eq}(C_{int}+C_{ext})\approx 0.69R_{eq}{C}_{int}(1+\frac{C_{ext}}{C_{int}})$

$S=\frac{W_{pmos}}{W_{nmos}},C_{int}=S{C}_{ref}=\gamma C_g,R_{eq}=R_{ref}/S,f=\frac{C_{ext}}{C_g}$

$t_p\approx 0.69R_{eq}{C}_{int}(1+\frac{C_{ext}}{S{C}_{ref}})\approx t_{p0}(1+\frac{C_{ext}}{S{C}_{ref}})\approx t_{p0}(1+\frac{C_{ext}}{\gamma C_g})\approx t_{p0}(1+\frac{f}{\gamma })$

• $C_{int}：固有电容$
• $C_{ext}：外部电容，包括扇出和连线等$
• $R_{ref}，C_{ref}：单元尺寸的电阻，电容$
• $C_g：栅极电容$
• $S：尺寸因子$
• $\gamma ：依赖于工艺，\approx 1$
• $f：扇出$
• $t_{p0}：固有延迟$
• $S\uparrow ,t_p\downarrow (good),C_{int}\uparrow (bad)$

N个反相器链的电容延迟优化

等效电阻$R_{eq}$

• $W\uparrow ,I_{DSATn}\uparrow ,R_{eq}\downarrow$
• $L\downarrow ,I_{DSATn}\downarrow ,R_{eq}\uparrow$
• $V_{DD}\to V_t,I_{DSATn}\downarrow ,R_{eq}\uparrow$

降低传播延迟$r_p$

• $V_{DD}\uparrow ,t_p\downarrow ,f\uparrow ：提高V_{DD}可以提高电路工作频率，但会增加功耗$
• $C_L\downarrow ：降低扇出，优化互联$
• $\frac{W}{L}\uparrow$
• $T\downarrow ,\mu \uparrow ：降低温度，提高载流子迁移率$
  
• $通过调整pmos和nmos的\frac{W}{L}可以获得对称的VTC和min(t_p)$