计算机组成原理 主存储器2

2.4只读存储器（ROM）

一、掩模ROM（MROM）

二、PROM（一次性编程）

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三、EPROM（多次性编程）

四、EEPROM（多次性编程）

五、Flash Memory（闪速型存储器）

2.5存储器与CPU的连接

一、存储器容量的扩展

1、位扩展（增加存储字长）

2、字扩展（增加存储字的数量）

二、存储器与CPU的连接

1、地址线的连接

2、数据线的连接

3、读/写命令线的连接

4、片选线的连接

5、合理选择芯片

2.6存储器的校验

合法代码集合

一、编码的最小距离

二、汉明码的组成

2.7 提高访存速度的措施

一、单体多字系统

二、多体并行系统

1、高位交叉 顺序编址

2、低位交叉 各个体轮流编址

三、高性能存储芯片

1、SDRAM（同步DRAM）

2、RDRAM

3、带Cashe的DRAM

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2.4只读存储器（ROM）

• 早期只读存储器--厂家提前写好内容
• 改进1 --用户可以自己写--一次性
• 改进2--可以多次写--要能对信息进行擦除
• 改进3--电可擦写--特定设备
• 改进3--电可擦写--直接连接到计算机

一、掩模ROM（MROM）

厂家把信息直接写在ROM上

1. 1K*1的掩模ROM
2. 最上面一排晶体管是预充电管
3. 经过预充电管预充电后（当作限流电阻使用），所有V线都是高电平，在行列交叉点上有的有晶体管，有的没有晶体管
4. 假设某交叉点被选中且有晶体管，若被选中晶体管被导通，两端被导通，V线高电平会变成低电平
5. 输出放大器会对数据进行反向
6. 行列选择线交叉处有MOS管为1否则为0

二、PROM（一次性编程）

1. 熔丝如果进行读出和写入可以用熔丝的通和断来保存信息，如果想保存0用大电流烧断熔丝
2. 编程后如果程序需要修改，只能重新购买芯片

三、EPROM（多次性编程）

N型沟道浮动栅MOS电路

• G 栅极、S 源、D漏
• 若在D加正电压，就会在源和漏之间形成浮动栅，使源和漏不导通，保存的信息认为是0
• 如果在D不加电压，不形成浮动栅 S与D导通 为1
• 如果要进行修改，重新写入，需要驱散浮动栅
• 使用紫外线照射进行擦洗

 

四、EEPROM（多次性编程）

• 电可擦写
• 局部擦写
• 全部擦写

五、Flash Memory（闪速型存储器）

用在u盘或者硬盘，缓存

2.5存储器与CPU的连接

一、存储器容量的扩展

1、位扩展（增加存储字长）

• 用  2片  1K*4位存储芯片组成1K*8位的存储器
• 2114 1K的容量需要10根地址线，将十根地址线输入到每一个2114地址管脚
• 2114是4位的 2个2114提供8位数据 每个2114数据线分别和cpu数据线上的四条进行连接，这样可以满足cpu需要8位数据的要求
• 两个芯片的片选要连接在一起，使两个芯片同时进行工作
• 一旦有读写信号会从两个芯片内部相同的地址单元各读出4位数据信息放在8条不同的数据线上

2、字扩展（增加存储字的数量）

• 用  2片 1K*8位 存储芯片组成2K*8位的存储器 2K需要11条地址线
• 每个芯片用的是A0-A9，系统余了一条地址线A10 
• 若A10=0选择第一个芯片如果A10=1就选择第二个芯片，A10就是片选信号

3、字、位扩展

• 用 8片 1K*4位 存储芯片组成 4K*