三电平，内管保护，I（1）字形NPC三电平

要点：I字形NPC三电平保护时，必须先关外管再关内管，所以内管的IGBT不能用驱动芯片自带的保护，我的想法是用比较器自己搭建电路。我搭建了样板，电路实测通过了，但是没做后续类似双脉冲实验和整机实际短路实验。

1、外管用驱动芯片自带的保护，如SID1182，内管把芯片自带保护屏蔽掉，用比较器自己搭建电路，见下图。

①保护点自己定义，如可以用高精电阻分压，或者431芯片搭建稳压基准。

②C3通过二极管链接到IGBT的C极。

③G3链接到驱动芯片输出，IGBT截至时给后级比较器屏蔽掉，也就是IGBT关断时不检测Vce电压。

④我打样板，弱电实测电路完全正确，就是由于项目封停了，后续没有做双脉冲实验验证和整机验证。电路完全原创，请尊重原创的成果和努力，如果对你有借鉴作用，并且您后续实验验证了，欢迎回复我交流。