STM32F4单片机内部FLASH编程时间

前言

单片机内部的flash除了存储固件以外，经常将其分为多个区域，用来存储一些参数或存储OTA升级等待更新的固件，这时就会涉及单片机内部flash的编程和擦除操作。STM32同系列的单片机内部flash特性和扇区大小都不太一样，以下基于STM32F407VET6此型号进行简单介绍。

参考文档

STM32F4xx中文参考手册
STM32F407VET6数据手册

一、STM32F4的FLASH分区及扇区大小

不同型号的STM32F40xx/41xx，其 FLASH容量也有所不同，最小的只有 128K字节，最大的则达到了 1024K字节。 而STM32F407VET6的 FLASH容量为 512K字节， STM32F40xx/41xx的闪存模块组织如下：

• STM32F4的闪存模块由：主存储器、系统存储器、 OTP区域和选项字节等 4部分组成。
• 主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。分为 12个扇区，前 4个扇区为 16KB大小，然后扇区4是 64KB大小，扇区 5~11是 128K大小。
• 不同容量的 STM32F4拥有的扇区数不一样，比如我们使用的 STM32F407VET6，则拥有 8个扇区。

二、FLASH的读取

STM32F4可通过内部的 I Code指令总线或 D Code数据总线访问内置闪存模块， 为了准确读取 Flash 数据，必须根据 CPU 时钟 (HCLK) 频率和器件电源电压在 Flash 存取控制寄存器 (FLASH_ACR) 中正确地设置等待周期数 (LATENCY)。当电源电压低于 2.1V 时 ，必须关闭预取缓冲器。 Flash 等待周期与 CPU时钟频率之间的对应关系如下：

• 等待周期通过FLASH_ACR寄存器的 LATENCY[2:0]三个位设置。系统复位后， CPU时钟
  频率为内部 16M RC振荡器， LATENCY默认是 0，即 1个等待周期。
• 供电电压，我们一般是3.3V，所以，在我们设置 168Mhz频率作为 CPU时钟之前，必须先设置 LATENCY为 5，否则
  FLASH读写可能出错，导致死机。

三、FLASH的编程位数

STM32F4闪存的编程位数可以通过 FLASH_CR的 PSIZE字段配置， PSIZE的设置必须和电源电压匹配，如下：

• 由于我们开发板用的电压是3.3V，所以 PSIZE必须设置为 10，即32位并行位数。擦除或者编程，都必须以 32位为基础进行。

四、FLASH的擦除

• STM32F4的 FLASH编程的时候，要先判断所写地址是否被擦除了（也就是其值必须是 0XFFFFFFFF），否则无法写入。
• STM32F4的闪存擦除分为两种：扇区擦除和整片擦除。

五、FLASH内部编程时间

如下图所示：

可以看出不同扇区擦除时间也是不同的，字写入时间为16us,比如按字写入1024字节数据，只需要4ms，非常快。

由以上可总结出我们使用的 STM32F407VET6：

• 字写入时间：
  典型值16us 最大值100us
• 扇区擦除时间：
  16KB：典型值250ms 最大值500ms
  64KB：典型值550ms 最大值1100ms
  128KB：典型值1s 最大值2s

六、总结

由此可大致得出我们使用STM32F407VET6的FLASH时，FLASH的擦除和写入时间，具体实际时间可以通过测试得出。