模电笔记（一）| 第一章常用半导体器件1

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1. 第一章常用半导体器件

1.1. 半导体基础知识

1.1.1. 本征半导体

半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间，硅，锗，特点，最外层价电子数为4。

本征半导体：完全纯净、不含杂质且具有晶体结构的半导体被称为本征半导体。

共价键：其中两个价电子会构成稳定的结构，被称为共价键。

当有温度和光照时，价电子会挣脱共价键的束缚，变成自由电子，于是形成了空穴（这个过程叫做本征激发，或者热激发，说明该过程与温度和光照有关），这两种带电粒子统称为载流子。

自由电子：在热运动作用下，价电子可能逃跃共价键的束缚，成为自由电子。自由电子可以导电，但由于数量较少，导电性能较弱。

空穴：电子脱离共价键成为自由电子后，在原来共价键位置留下一个空穴。价电子（共价键中的电子）在电场的作用下发生移动，填补空穴，而原位置又多了一个空穴。从而，空穴的位置不断地发生相对移动，因此空穴也能够导电。

载流子：运载电荷的粒子称为载流子。载流子包括带负电的自由电子和带正电的空穴。

复合 → 本征激发的逆过程：自由电子在脱离空穴后运动的过程中，可能会回到空穴。此时，空穴被填补，同时自由电子重新被共价键束缚，这一对载流子就失效了。

载流子的浓度 → 决定本征半导体的导电能力： 由于是热运动，因此随着温度的升高，本征激发的速率加快，从而导致了更多的自由电子以及空穴的出现。因此，载流子浓度也逐渐增大（导电能力增加），同时，复合的速率也随之增加。在一定温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。

1.1.2. 杂质半导体

杂质半导体：通过扩散工艺，在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素，便可得到杂质半导体。

N型半导体 → negative 负电：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。由于硅为五价元素，外围空间存在五个电子。其中四个电子与Si原子的电子组成共价键，另外一个成为自由电子。（此时固定在晶格里的P成为带正电的磷离子，不导电）

N型半导体的多子和少子：N型半导体中，自由电子的浓度大于空穴的浓度，故称自由电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子；N型半导体主要靠自由电子导电，掺入的杂质越多，多姿（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

P型半导体 → positive 正电：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。由于硼为三价元素，外围空间存在三个电子。三个电子与Si的外围电子组合成为共价键，Si剩余的一个共价键作为空穴存在。

P型半导体的多子和少子： 其中，空穴为多子，自由电子为少子。

杂质半导体的导电性能：由于掺入的杂质使得多子的数目大大增加，从而使多子与少子复合的机会大大增多。因此对于杂质半导体，多子的浓度越高，少子的浓度就越低。多子的浓度约等于所掺杂质原子的浓度，受温度影响小；少子是本征激发形成的，虽浓度低，但对温度非常敏感。

1.1.3. PN结

1.1.3.1. 相关概念

PN结：采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性。

扩散运动：物质总是从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种由于浓度差而产生的运动称为扩散运动。

漂移运动：在电场力的作用下，P区少子（自由电子）能够很快地进入N区。

空间电荷区：当P型与N型放一起时，P型中空穴不断朝低浓度N区移动，N型自由电子向P区移动，在中间相遇，互相结合形成空间电荷区，从而形成内电场。随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，其方向由N区指向P区，正好阻止扩散运动的进行。空间电荷区又称为：耗尽层、阻挡层以及PN结。

耗尽层：绝大部分空间电荷区内自由电子和空穴都非常少，在分析PN结特性时常忽略载流子的作用，而只考虑离子区的电荷，这种方法称为“耗尽层近似”，故把空间电荷区也称为耗尽层。

对称结：当P区、N区掺杂浓度相同时，PN结中正离子区和负离子区的宽度也一样。

不对称结：当P区、N区掺杂浓度不同时，浓度高的一边PN结宽度变窄。因为浓度高向浓度低扩散，浓度越高，扩散地越多，对面的PN结也就越宽。

1.1.3.2. PN结的单向导电性

如果在PN结的两端外加电压，就将破坏原来的平衡状态，此时，扩散电流不再等于漂移电流，因此PN结将有电流流过。当外加电压极性不同时，PN结表现出截然不同的导电性能，即呈现出单向导电性。

1、PN结外加正向电压时处于导通状态

电源正极接PN结的P端，电源负极接PN结的N端，称PN结外加正向电压，也称正向接法或正向偏置。

2、PN结外加反向电压时处于截止状态

电源正极接PN结的N端，电源负极接PN结的P端，称PN结外加反向电压，也称反向接法或反向偏置。

此时外电场使空间电荷区变宽，加强了内电场，阻止扩散运动的进行，而加剧漂移运动的进行，形成反向电流，也称为漂移电流。因为少子数目极少，即使所有的少子运动都参与漂移运动，反向电流也非常小，所以在近似分析中常将它忽略不计，认为PN结外加反向电压时处于截止状态。

1.1.3.3. PN结的电流方程

1.1.3.4. PN结的伏安特性

当PN结外加正向电压时，i随u按指数规律变化；

当PN结外加反向电压时，i≈-Is

反向击穿：当反向电压超过一定数值Ubr后，反向电流急剧增加，称之为反向击穿。击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿。

齐纳击穿：高掺杂时，耗尽层较窄，不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场，而直接破坏共价键，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，被称为齐纳击穿。齐纳击穿电压较低。 温度越高，齐纳击穿需要的电压越低。（温度越高，价电子越容易拉出来）

反向击穿后，PN结电流导致了其温度升高，导致PN结烧毁。当反向击穿时温度不高，并马上恢复正常状态时，PN结还能使用。

雪崩击穿：低掺杂时，耗尽层较宽，不会发生齐纳击穿；反向电压增加到较大数值时，耗尽层电场使少子加速，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对。新产生的电子与空穴被电场加速后又撞出其他价电子，载流子雪崩式地倍增，致使电流急剧增加，被称为雪崩击穿。温度越高，雪崩击穿需要的电压越高。