第一章-常用半导体器件

场效应管（英语：field-effect transistor，缩写：FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元件。

 

它依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为“单极性晶体管”，以它的单载流子型作用对比双极性晶体管。由于半导体材料的限制，以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造，场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出，但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。[1]

学习最好的方法是比较：用熟悉的东西去学习不熟悉的东西

1. 本征半导体：纯净（无杂质）的晶体（稳定结构）结构 
2. 共价键：相邻的两个原子的最外层电子变成了公用电子
3. 自由电子：由于热运动，挣脱共价键束缚的电子，然后形成空穴
4. 复合：自由电子和空穴在运动过程中有可能相遇，然后消失
5. 自由电子和空穴的浓度受温度影响，温度越高，浓度越大

• 本征半导体的两种载流子，运载电荷的粒子成为载流子
• 自由电子和空穴运动方向相反（空穴实际没动，其实是价电子不断的递补他的位置产生的）
•  温度升高热运动加剧，载流子浓度增大，导电性强

1. 为什么要将半导体变成导电性能很差的本征半导体：因为导电性可控

• 杂质半导体

1. N型半导体：

PN结：

将P型半导体与N型半导体制作在一个硅片上，在他们的交接面会形成PN结

PN结具有单项导电性

1. 漂移运动：由于空间电荷区，在电场力的作用下，