STM32 FLASH 写入不成功问题

STM32 FLASH 写入不成功问题

STM32 FLASH 写入不成功问题

遇到一个很奇怪的问题,我从STM32FLASH的0x08024000开始往进些数据,每包1000个字节,前两包写入正常,但是到第三包写入数据的时候发现写入falsh的数据不完整,到0x0247fB这块后后面都是ff没写进去数据,stn32f103rc是256kb啊,为什么写不进去了,很郁闷。
在这里插入图片描述
仔细的查看代码后发现,我的FLASH写入的程序是使用的原子的程序,STM32F103RCT6为256个字节
每一页有2K,前两包没有问题是因为没有超出2K,没有进行跨页操作,所以导致第三包只写进去了48个字节,导致后面全是FF,没有写进去,将代码改为每包1024个字节后,每包数据都正常了,都可以写入FLASH。

代码片.

// An highlighted block
var foo = 'bar';
``void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)	
{
	u32 secpos;	   //扇区地址
	u16 secoff;	   //扇区内偏移地址(16位字计算)
	u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)	   
 	u16 i;    
	u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
	if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
	FLASH_Unlock();						//解锁
	offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;		//实际偏移地址.
	secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;			//扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
	secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;		//在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
	secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;		//扇区剩余空间大小   
	if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
	while(1) 
	{	
		STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
		for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
		{
			if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除  	  
		}
		if(i<secremain)//需要擦除
		{
			FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
			for(i=0;i<secremain;i++)//复制
			{
				STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];	  
			}
			STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
		}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间. 				   
		if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
		else//写入未结束
		{
			secpos++;				//扇区地址增1
			secoff=0;				//偏移位置为0 	 
		   	pBuffer+=secremain;  	//指针偏移
			WriteAddr+=secremain;	//写地址偏移	   
		   	NumToWrite-=secremain;	//字节(16位)数递减
			if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
			else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
		}	 
	};	
	FLASH_Lock();//上锁
}


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### 回答1: STM32L4系列微控制器的Flash写入对齐是指在进行数据写入操作时,需按照特定的对齐规则进行操作。这是由于Flash写入操作必须按照特定的字节顺序进行,否则可能会导致数据写入错误。 STM32L4系列微控制器的Flash写入对齐要求以字为单位进行,即每次写入的数据长度必须是4字节(32位)的整数倍。如果写入的数据长度不满足该要求,就需要进行数据对齐处理,通常是通过在数据前面添加填充字节来使其长度满足要求。 例如,如果要写入长度为5字节的数据到Flash中,就需要进行对齐处理。在此情况下,可以添加3个填充字节,使总长度变为8字节,然后再进行写入操作。这样就满足了Flash写入对齐的要求。 对Flash进行写入对齐操作的目的是确保数据写入的可靠性和正确性。如果不按照要求进行对齐,可能会导致数据写入错位或错误,进而影响系统的稳定性和功能。 总之,STM32L4系列微控制器的Flash写入对齐要求数据长度必须是4字节的整数倍,如果不满足要求,则需要进行数据对齐处理。这样可以保证数据的正确写入,提高系统的可靠性。 ### 回答2: 在进行STM32 L4系列芯片的Flash写入操作时,对齐是非常重要的一个因素。对齐是指在数据写入Flash存储器时,需要按照特定的规则将数据的存储地址与Flash内存的块边界对齐。对齐的目的是提高数据访问效率和保证写入数据的正确性。 在STM32 L4系列芯片中,Flash内存是以块的形式进行管理的,每个块的大小为一个固定的字节数。当进行Flash写入操作时,需要保证待写入数据的存储地址是块大小的倍数,即对齐于块边界。 对齐的好处主要有两点。首先,对齐可以提高数据访问的速度,因为Flash存储器是按块进行操作的,如果数据不对齐,可能会导致读取或写入操作跨越多个块,增加了访问时间。而对齐可以保证数据操作的范围在一个块内,减少了对其他块的访问,提高了效率。 其次,对齐可以确保写入数据的正确性。Flash存储器在进行写入操作时,只能对整个块进行擦除和写入,而不能对部分数据进行操作。如果数据不对齐,可能会导致需要修改的数据与其他数据混杂在同一个块中,从而导致擦除整个块,进而丢失其他数据。而对齐可以保证每个块只包含待写入的数据,避免了数据的损失。 总之,STM32 L4系列芯片的Flash写入对齐非常重要。正确的对齐可以提高数据访问效率和确保数据的正确性。在进行Flash写入操作时,需要根据Flash内存块的大小,保证待写入数据的存储地址是块大小的倍数,以充分利用Flash存储器的性能和功能。 ### 回答3: 在进行STM32 L4系列微控制器的Flash写入时,对齐是一个很重要的概念。 对齐意味着将数据按照特定的边界地址进行整理和存储。在STM32 L4系列中,Flash写入的最小单位是字(Word),每个字大小为4字节(32位)。因此,对齐的概念是基于字节的,要求每次写入的数据长度是4的倍数。 对齐是必要的,因为Flash写入操作必须按照特定的规则进行。如果数据的长度不是4的倍数,并且没有对齐到起始地址,则会导致无效的写入操作,从而导致数据错误或者系统不稳定。 在进行Flash写入操作时,需要确保待写入数据的长度是4的倍数,并且起始地址是对齐的。一个简单的方法是使用字节对齐的数据类型或者使用填充字节(padding bytes)将数据补齐到4的倍数,并确保起始地址是对齐的。 另外,ST提供了一些库函数来帮助进行Flash写入操作的对齐。例如,通过调用HAL_FLASH_Program函数,可以以字节为单位进行连续写入,该函数会自动进行对齐。 总之,对齐是STM32 L4系列Flash写入的一个重要概念,确保数据长度是4的倍数,并且起始地址是对齐的是必要的,以避免写入操作错误和系统不稳定。

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