STM32如果Flash写入内容错误

通过先擦除flash扇区后写入的方式往Flash中写数据，但再次读出后内容和写入的不同。

此时，应该通过断点调试，重点检测擦除flash是否执行的比较快，如果擦除一闪而过，同时擦除后的对应地址没有变为全0xff，说明未执行擦除，紧接着写入肯定会出问题。

问题的原因就是：擦除函数写的太简单，必须：先解锁flash，然后清除标志位，然后设置各项参数执行擦除，然后上锁（如果紧跟flash写入，且写入后有上锁，则此时上锁貌似不是必须？）。

uint8_t flash_erase(uint32_t StartSector)
{
	FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct;
	uint32_t SECTORError = 0;

  HAL_FLASH_Unlock();
	/* Clear pending flags (if any) */  
  __HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_OPERR | FLASH_FLAG_WRPERR | 
                         FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_PGPERR | FLASH_FLAG_PGSERR);

//  StartSector = GetSector(address);

//  EndSector = GetSector(address+size);

  EraseInitStruct.TypeErase     = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;
  EraseInitStruct.VoltageRange  = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;
  EraseInitStruct.Sector        = StartSector;
  EraseInitStruct.NbSectors     = 1;
	if(HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &SECTORError)!=HAL_OK)
	{
		return 0;
	}
	HAL_FLASH_Lock();
	return 1;
}

没有加清除标志位的话，貌似有时候可以正确写入，估计是刚开始flash没出错。一旦出错，因为没有清除错误标志，后续的擦除操作都会被跳过。