核心板电路设计四：电源BUCK电路

前言

电源设计是核心板设计的核心和难点，本文将详细介绍选用的MP1482方案，用公式说明外设电路的是如何设计和考虑的。

MP1482方案引脚定义

引脚	名字	功能描述
1	BS	高边栅极驱动升压输入。BS为高压侧N沟道MOSFET开关提供驱动。从SW到BS连接一个0.01μF或更大的电容，为高压侧开关供电。
2	IN	电源输入。为IC以及降压转换器提供电源。用一个4.75V到18V的电源驱动IN。
3	SW	电源开关输出。
4	GND	地。
5	FB	反馈输入。把输出电压反馈到FB引脚以调节该电压。用一个来自输出电压的电阻分压器驱动FB。反馈电压阈值为0.923V。
6	COMP	补偿节点。COMP用于补偿调节控制回路。从COMP到GND连接一个串联RC网络来补偿调节控制回路。控制回路。在某些情况下，需要从COMP到GND的一个额外的电容。
7	EN	启用输入。EN是一个数字输入，用于打开或关闭稳压器。驱动EN高电平以开启调节器，驱动低电平则关闭调节器。用100k电阻拉高以实现自动启动
8	SS	软启动控制输入。SS控制软启动周期，从SS到GND连接一个电容来设置软启动周期。用一个0.1uF的电容将软启动周期设置为15ms。

外设电路设计

电路图

功率电感

电感值

MP1482其开关频率f_sw为340kHz。L1为功率电感，电感值的确定可由以下公式计算：
$$L1=\frac{(V_{IN\_max}-V_{out})\times V_{out}}{2\times f_{sw}\times \Delta I_{out}\times V_{IN\_max}}$$
其中∆I_out为纹波电流，一般取输出电流的20%到60%。评估板满载电流约为1A。假设取电流波动为输出的30%，经计算电感内电流波动峰峰值∆I_PP为0.6A。V_(IN_max)为12V，V_out为5V，计算可得L1的电感值为14.3μH。

峰值电流和RMS电流

电感需要承受的峰值电流和RMS电流以下公式计算：
$$\begin{array}{c}\Delta I_{PP}=2\times \Delta I_{out}\\ I_{L\_peak}=I_{OUT}+\frac{1}{2}\times \Delta I_{PP}\\ I_{L\_RMS}=\sqrt{I_{OUT}^2+\frac{1}{12}\times \Delta I_{PP}^2}\end{array}$$
其中I_OUT为1A，计算可得I_(L_peak)为1.3A，I_(L_RMS)为1A。应选择电感值为15μH，温升电流与饱和电流均大于1.3A的电感。

输出电容和输入电容

• 输出电容一般选择ESR比较小的陶瓷电容，一般在十几毫欧左右，适合用在电源输出端减少纹波噪声。采用C9和C10两个22μF陶瓷电容并联，ESR会变得更小，另外并联一个0.1μF电容，来抑制高频毛刺。
• 输入电容主要有两个作用，一个是作为储能电容，给芯片提供瞬时电流，减少芯片输入电压的电压波动，第二个是起到了退耦的作用，抑制芯片开关环路中的噪声对外传导。采用的C12为一个100μF的电解电容。退耦电容采用一个0.1μF电容。

反馈电阻的计算

FB为反馈输入端，R8和R9为反馈电阻，设置不同的阻值可控制Buck电路的输出电压值。MP1482的基准电压V_REF为0.923V，输出电压的计算公式为：
$$V_{OUT}=(1+\frac{R8}{R9})\times V_{REF}$$

自举电容

BS为高边栅极驱动升压输入端，从SW端接一个0.1μF的自举电容到BS端，为高压侧N沟道MOSFET开关提供驱动，当下管关闭时，自举电容两端维持上管导通电压V_gs，使上管顺利导通。

软启动输入

SS为软启动输入端，从SS到GND连接一个电容来设置软启动周期。使用一个0.1μF的电容将软启动周期设置为15ms。软启动是个重要的功能。当负载有很大的电容时，上电时输出电压需要给电容充电，这就需要很大的快速充电电流，容易触发电源芯片的过流保护，同时过大的瞬间充电电流也可能导致输入电压跌落，造成电源启动失败。因此，软启动在这种负载端有大电容的应用中，通过减缓输出电压的爬坡速度，从而减小电容的充电电流峰值，有效解决上电启动问题。

补偿调节控制回路

COMP为用于补偿调节控制回路。串联一个RC网络来补偿调节控制回路，根据典型应用电路，使用一个3.3nF的电容和一个5.6k的电阻串联到地。C6为第二个补偿电容，如果输出电容的ESR零点的位置小于开关频率的一半，则需要加上C6电容。

总结

本文详细介绍了BUCK电路的设计思路，外设电路里面比较重要的就是功率电感的选型和反馈电阻大小的设计。