07 - Nor Flash

声明：

本文是本人在韦东山笔记的基础上加了一些注释，方便理解。原文地址：http://wiki.100ask.org/%E7%AC%AC015%E8%AF%BE_Nor_Flash#.E7.AC.AC001.E8.8A.82_Nor_Flash.E5.8E.9F.E7.90.86.E5.8F.8A.E7.A1.AC.E4.BB.B6.E6.93.8D.E4.BD.9C

第01节 Nor Flash原理及硬件操作

1 Nor Flash芯片原理图分析。

Nor Flash芯片的连接线有地址线，数据线，片选信号读写信号等，Nor Flash的接口属于内存类接口，Nor Flash可以向内存一样读，但是不能像内存一样写，需要做一些特殊的操作才能进行写操作（其实是不让你写，以防止你破坏了程序，这是它的一个优点），读只需像内存一样读很简单。
Nor Flash原理图如图：

2 Flash介绍

常用的Flash类型有Nor Flash和NAND Flash两种。
Nor Flash由Intel公司在1988年发明，以替代当时在市场上占据主要地位的EPROM和E2PROM。NAND Flash由Toshiba公司在1989年发明。两者的主要差别如下表：

（1）Nor Flash支持XIP，即代码可以直接在Nor Flash上执行，无需复制到内存中。这是由于NorF lash的接口与RAM完全相同，可以随机访问任意地址的数据。Nor Flash进行读操作的效率非常高，但是擦除和写操作的效率很低，另外，Nor Flash的容量一般比较小。NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高，并且容量更大。一般而言，Nor Flash用于存储程序，NAND Flash用于存储数据。基于NAND Flash的设备通常也要搭配Nor Flash以存储程字。

（2）Flash存储器件由擦除单元（也称为块）组成，当要写某个块时，需要确保这个块己经 被擦除（擦除是将 位 置一）。Nor Flash的块大小范围为64kB、128kB：NAND Flash的块大小范围为8kB，64kB，擦/写一个Nor Flash块需4s，而擦／写一个NAND Flash块仅需2ms。Nor Flash的块太大，不仅增加了擦写时间，对于给定的写操作，Nor Flash也需要更多的擦除操作——特别是小文件，比如一个文件只有IkB，但是为了保存它却需要擦除人小为64kB—128kB的Nor Flash块。

（3）Nor Flash的接口与RAM完全相同，可以随意访问任意地址的数据。而NAND Flash的 接口仅仅包含几个I/O引脚，需要串行地访问。NAND Flash一般以512字节为单位进行读写。这使得Nor Flash适合于运行程序，而NAND Flash更适合于存储数据。

（4）容量相同的情况下，NAND Flash的体积更小，对于空间有严格要求的系统，NAND Flash可以节省更多空间。市场上Nor Flash的容量通常为1MB至4MB(当然最大也有32MB的Nor Flash)，NAND Flash的容量为8MB~512MB。容量的差别也使得Nor Flash多用于存储程序，NAND Flash多用于存储数据。

（5）对于Flash存储器件的可靠性需要考虑3点：位反转、坏块和可擦除次数。所有Flash器件都遭遇位反转的问题：由于Flash固有的电器特性，在读写数据过程中，偶然会产生一位或几位数据错误（这种概率很低），而NAND Flash出现的概率远大于Nor Flash，当位反转发生在关键的代码、数据上时，有可能导致系统崩溃。当仅仅是报告位反转，重新读取即可：如果确实发生了位反转，则必须有相应的错误检测/恢复措施。在NAND Flash上发生位反转的概率史高，推荐使用EDC/ECC进行错误检测和恢复。NAND Flash上面会有坏块随机分布，在使用前需要将坏块扫描出来，确保不再使用它们，否则会使产品含有严重的故障。NAND Flash每块的可擦除次数通常在100000次左右，是Nor Flash的10倍。另外，因为NAND Flash的块大小通常是NorF lash的1/8，所以NAND Flash的寿命远远超过Nor Flash。

（6）嵌入式Linux对Nor、NAND Flash的软件支持都很成熟。在Nor Flash上常用jffs2文 件系统，而在NAND Flash常用yaffs文件系统。在更底层，有MTD驱动程序实现对它们的读、写、擦除操仵，它也实现了EDC/ECC校验。

3 Nor Flash的几个操作示例

下面我们使用u-boot来体验Nor Flash的操作(开发板设置Nor启动，进入u-boot)。
1).第一步：使用OpenJTAG烧写UBOOT到Nor Flash，开发板设置Nor启动，打开串口助手并进入u-boot。
那么我们怎么用u-boot来操作呢？
Nor Flash手册里会有一个命令的表格，如图：
这个表格什么意思怎么用的呢？简单的举一些例子：
（1）复位(reset)：往任何一个地址写入F0。
（2）读ID(ReadSiliconID)：很多的Nor Flash可以配置成位宽16bit(Word)，位宽8bit(Byte)。对于我们使用的jz2440开发板使用是位宽16bit，怎样读ID呢？
根据前面得图可知，往Nor Flash的555地址写AA，再往2AA的地址写入55，再往555的地址写入90，然后就可以读ADI地址，就可以读到DDI数据了。

3.1 实例1

读数据：
在u-boot上执行：md.b 0
串口显示结果：

00000000:170000ea14f09fe514f09fe514f09fe5................
00000010:14f09fe514f09fe514f09fe514f09fe5................
00000020:6001f833c001f8332002f8337002f833`..3...3..3...3
00000030:e002f8330004f8332004f833efbeadde...3...3..3....

(这些代码就是u-boot程序的机器码，即我们烧写在Nor flash上的程序。我们用UltraEdit打开u-boot程序的机器码，发现和我们烧进去的数据完全一样。
可以得出结论：u-boot可以像读内存一样来读nor flash。

3.2 实例2

读ID
参考Nor 芯片手册（即上面的图片），读ID步骤为：

往地址555H写入AAH(解锁)
往地址2AAH写入55H(解锁)
往地址555H写入90H（命令）
读0地址得到厂家ID(C2H)
读1地址得到设备ID(22DAH或225BH)
退出读ID状态：给任意地址写F0H就可以了。

这里插入补充一下知识点，下图为2440和Nor Flash的简易连接图：

即：2440的A1接到Nor的A0，所以2440发出的地址是Nor Flash收到的地址左移一位。比如：2440发出(555H<<1)地址，Nor Flash才能收到555H这个地址。下面这个表，对在Nor Flash的操作，2440的操作，U-BOOT上的操作进行比较，如下表：

U-BOOT上的操作（即在串口输入如下代码）：

mw.waaaaa
mw.w 554 55
mw.w aaa 90
md.w 0 1 
md.w 2 1
mw.w 0 f0

1）.当执行过
md.w  0  1
结果(输出厂家ID)：
00000000:00c2..(00c2就是厂家ID)

2）.当执行过
md.w  2  1
结果(输出设备ID)：
00000002:2249I"(2249就是设备ID)

3）.当执行
mw.w  0  f0
就退出读ID的状态，

4）执行：
md.b 0
结果：
00000000:17.（读到的就是Nor Flash地址 0 上的数据）

3.3Nor Flash的两种规范

通常内核里面要识别一个 Nor Flash 有两种方法：
一种是 jedec 探测，就是在内核里面事先定义一个数组，该数组里面放有不同厂家各个芯片的一些参数，探测的时候将 flash 的 ID 和 数组里面的 ID 一 一比较，如果发现相同的，就使用该数组的参数。 jedec 探测的优点就是简单，缺点是如果内核要支持的 flash 种类很多，这个数组就会很庞大。内核里面用 jedec 探测一个芯片时，是先通过发命令来获取 flash 的 ID，然后和数组比较，但是 flash.c 中连 ID 都是自己通过宏配置的。
另一种是 CFI(common flash interface)探测，就是直接发各种命令来读取芯片的信息，比如 ID、容量等，芯片本身就包含了电压有多大，容量有有多少等信息。

下面对在Nor Flash上操作，2440上操作，U-BOOT上操作cfi 探测（读取芯片信息）进行比较参考芯片手册。

3.4 Nor Flash写数据

我们在Nor Flash的10000的地址读数据，
md.w 100000 1
结果：
00100000:ffff…

在Nor flash的10000的地址写数据下0x1234，
mw.w 100000 1234

然后在这个地址读数据，
md.w 100000 1
结果：
00100000:ffff(即说明 ： 这个地址上的数据没有被修改，写操作无效)。

那么怎样把数据写进Nor Flash进去呢？
写数据之前必须保证，要写的地址是擦除的。
下面是Nor Flash的写操作，如下表：

1).U-BOOT执行完上述指令后，0x1234，就被写到0x100000地址处，我们读一下看看1234是否被写进去：
执行：
md.w1000001
结果(1234被写进去)：
00100000:1234 4

从这里可以看出来U-BOOT的操作不是很复杂。

2）.我们再次往0x100000地址处，写入0x5678,执行如下命令：

mw.w  aaa  aa
mw.w  554  55
mw.w  aaa  a0
mw.w  100000  5678

查看0x100000地址处的数据
md.w 100000 1

结果：
00100000:12300.
即0x100000地址处的数据不是0x5678，说明写操作失败，失败的原因是：原来的数据已经是0x1234不是全0xffff，再次写操作失败，(Nor Flash只有先擦出，才能烧写)。

第一步：先擦除(参考Nor Flash芯片手册)

Nor Flash操作	u-boot操作
555H AAH//解锁	mw.w aaa aa
2AAH 55H//解锁	mw.w 554 55
555H 80H	mw.w aaa 80
555H AAH//解锁	mw.w aaa aa
2AAH 55H//解锁	mw.w 554 55
SA 30H //往扇区地址写入30	mw.w 100000 30//即将100000处擦除

执行完上述指令后测试
执行：
md.w 100000 1
结果：
00100000:ffff…
说明地址100000已被擦除，这个时候再次烧写就不会有问题了。

再烧写

mw.w  aaa   aa
mw.w  554   55
mw.w  aaa   a0
mw.w  100000  5678

测试烧写结果 执行：
md.w 100000 1
结果：
00100000:5678 xV
数据被烧写进去，烧写成功。

总结：我们烧写时，如果上面的数据，不是0ffff，没有被擦除过，我们就要先擦出，擦除完后，才可以烧写，擦除烧写的命令可以从芯片手册里面获得。

第02节 Nor Flash编程_识别

本节源码见F:\韦东山\005_ARM裸机1期加强版(又叫新1期，151节，23节免费，已完结)\源码文档图片\源码\源码_20180321_添加传感器\018_nor_flash_015_002_0032文件夹

我们来做一个测试，测