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本文是本人在韦东山笔记的基础上加了一些注释,方便理解。原文地址:http://wiki.100ask.org/%E7%AC%AC015%E8%AF%BE_Nor_Flash#.E7.AC.AC001.E8.8A.82_Nor_Flash.E5.8E.9F.E7.90.86.E5.8F.8A.E7.A1.AC.E4.BB.B6.E6.93.8D.E4.BD.9C
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第01节 Nor Flash原理及硬件操作
1 Nor Flash芯片原理图分析。
Nor Flash芯片的连接线有地址线,数据线,片选信号读写信号等,Nor Flash的接口属于内存类接口,Nor Flash可以向内存一样读,但是不能像内存一样写,需要做一些特殊的操作才能进行写操作(其实是不让你写,以防止你破坏了程序,这是它的一个优点),读只需像内存一样读很简单。
Nor Flash原理图如图:
2 Flash介绍
常用的Flash类型有Nor Flash和NAND Flash两种。
Nor Flash由Intel公司在1988年发明,以替代当时在市场上占据主要地位的EPROM和E2PROM。NAND Flash由Toshiba公司在1989年发明。两者的主要差别如下表:
(1)Nor Flash支持XIP,即代码可以直接在Nor Flash上执行,无需复制到内存中。这是由于NorF lash的接口与RAM完全相同,可以随机访问任意地址的数据。Nor Flash进行读操作的效率非常高,但是擦除和写操作的效率很低,另外,Nor Flash的容量一般比较小。NAND Flash进行擦除和写操作的效率更高,并且容量更大。一般而言,Nor Flash用于存储程序,NAND Flash用于存储数据。基于NAND Flash的设备通常也要搭配Nor Flash以存储程字。
(2)Flash存储器件由擦除单元(也称为块)组成,当要写某个块时,需要确保这个块己经 被擦除(擦除是将 位 置一)。Nor Flash的块大小范围为64kB、128kB:NAND Flash的块大小范围为8kB,64kB,擦/写一个Nor Flash块需4s,而擦/写一个NAND Flash块仅需2ms。Nor Flash的块太大,不仅增加了擦写时间,对于给定的写操作,Nor Flash也需要更多的擦除操作——特别是小文件,比如一个文件只有IkB,但是为了保存它却需要擦除人小为64kB—128kB的Nor Flash块。
(3)Nor Flash的接口与RAM完全相同,可以随意访问任意地址的数据。而NAND Flash的 接口仅仅包含几个I/O引脚,需要串行地访问。NAND Flash一般以512字节为单位进行读写。这使得Nor Flash适合于运行程序,而NAND Flash更适合于存储数据。
(4)容量相同的情况下,NAND Flash的体积更小,对于空间有严格要求的系统,NAND Flash可以节省更多空间。市场上Nor Flash的容量通常为1MB至4MB(当然最大也有32MB的Nor Flash),NAND Flash的容量为8MB~512MB。容量的差别也使得Nor Flash多用于存储程序,NAND Flash多用于存储数据。
(5)对于Flash存储器件的可靠性需要考虑3点:位反转、坏块和可擦除次数。所有Flash器件都遭遇位反转的问题:由于Flash固有的电器特性,在读写数据过程中,偶然会产生一位或几位数据错误(这种概率很低),而NAND Flash出现的概率远大于Nor Flash,当位反转发生在关键的代码、数据上时,有可能导致系统崩溃。当仅仅是报告位反转,重新读取即可:如果确实发生了位反转,则必须有相应的错误检测/恢复措施。在NAND Flash上发生位反转的概率史高,推荐使用EDC/ECC进行错误检测和恢复。NAND Flash上面会有坏块随机分布,在使用前需要将坏块扫描出来,确保不再使用它们,否则会使产品含有严重的故障。NAND Flash每块的可擦除次数通常在100000次左右,是Nor Flash的10倍。另外,因为NAND Flash的块大小通常是NorF lash的1/8,所以NAND Flash的寿命远远超过Nor Flash。
(6)嵌入式Linux对Nor、NAND Flash的软件支持都很成熟。在Nor Flash上常用jffs2文 件系统,而在NAND Flash常用yaffs文件系统。在更底层,有MTD驱动程序实现对它们的读、写、擦除操仵,它也实现了EDC/ECC校验。
3 Nor Flash的几个操作示例
下面我们使用u-boot来体验Nor Flash的操作(开发板设置Nor启动,进入u-boot)。
1).第一步:使用OpenJTAG烧写UBOOT到Nor Flash,开发板设置Nor启动,打开串口助手并进入u-boot。
那么我们怎么用u-boot来操作呢?
Nor Flash手册里会有一个命令的表格,如图:
这个表格什么意思怎么用的呢?简单的举一些例子:
(1)复位(reset):往任何一个地址写入F0。
(2)读ID(ReadSiliconID):很多的Nor Flash可以配置成位宽16bit(Word),位宽8bit(Byte)。对于我们使用的jz2440开发板使用是位宽16bit,怎样读ID呢?
根据前面得图可知,往Nor Flash的555地址写AA,再往2AA的地址写入55,再往555的地址写入90,然后就可以读ADI地址,就可以读到DDI数据了。
3.1 实例1
读数据:
在u-boot上执行:md.b 0
串口显示结果:
00000000:170000ea14f09fe514f09fe514f09fe5................
00000010:14f09fe514f09fe514f09fe514f09fe5................
00000020:6001f833c001f8332002f8337002f833`..3...3..3...3
00000030:e002f8330004f8332004f833efbeadde...3...3..3....
(这些代码就是u-boot程序的机器码,即我们烧写在Nor flash上的程序。我们用UltraEdit打开u-boot程序的机器码,发现和我们烧进去的数据完全一样。
可以得出结论:u-boot可以像读内存一样来读nor flash。
3.2 实例2
读ID
参考Nor 芯片手册(即上面的图片),读ID步骤为:
往地址555H写入AAH(解锁)
往地址2AAH写入55H(解锁)
往地址555H写入90H(命令)
读0地址得到厂家ID(C2H)
读1地址得到设备ID(22DAH或225BH)
退出读ID状态:给任意地址写F0H就可以了。
这里插入补充一下知识点,下图为2440和Nor Flash的简易连接图:
即:2440的A1接到Nor的A0,所以2440发出的地址是Nor Flash收到的地址左移一位。比如:2440发出(555H<<1)地址,Nor Flash才能收到555H这个地址。下面这个表,对在Nor Flash的操作,2440的操作,U-BOOT上的操作进行比较,如下表:
U-BOOT上的操作(即在串口输入如下代码):
mw.waaaaa
mw.w 554 55
mw.w aaa 90
md.w 0 1
md.w 2 1
mw.w 0 f0
1).当执行过
md.w 0 1
结果(输出厂家ID):
00000000:00c2..(00c2就是厂家ID)
2).当执行过
md.w 2 1
结果(输出设备ID):
00000002:2249I"(2249就是设备ID)
3).当执行
mw.w 0 f0
就退出读ID的状态,
4)执行:
md.b 0
结果:
00000000:17.(读到的就是Nor Flash地址 0 上的数据)
3.3Nor Flash的两种规范
通常内核里面要识别一个 Nor Flash 有两种方法:
一种是 jedec 探测,就是在内核里面事先定义一个数组,该数组里面放有不同厂家各个芯片的一些参数,探测的时候将 flash 的 ID 和 数组里面的 ID 一 一比较,如果发现相同的,就使用该数组的参数。 jedec 探测的优点就是简单,缺点是如果内核要支持的 flash 种类很多,这个数组就会很庞大。内核里面用 jedec 探测一个芯片时,是先通过发命令来获取 flash 的 ID,然后和数组比较,但是 flash.c 中连 ID 都是自己通过宏配置的。
另一种是 CFI(common flash interface)探测,就是直接发各种命令来读取芯片的信息,比如 ID、容量等,芯片本身就包含了电压有多大,容量有有多少等信息。
下面对在Nor Flash上操作,2440上操作,U-BOOT上操作cfi 探测(读取芯片信息)进行比较参考芯片手册。
3.4 Nor Flash写数据
我们在Nor Flash的10000的地址读数据,
md.w 100000 1
结果:
00100000:ffff…
在Nor flash的10000的地址写数据下0x1234,
mw.w 100000 1234
然后在这个地址读数据,
md.w 100000 1
结果:
00100000:ffff(即说明 : 这个地址上的数据没有被修改,写操作无效)。
那么怎样把数据写进Nor Flash进去呢?
写数据之前必须保证,要写的地址是擦除的。
下面是Nor Flash的写操作,如下表:
1).U-BOOT执行完上述指令后,0x1234,就被写到0x100000地址处,我们读一下看看1234是否被写进去:
执行:
md.w1000001
结果(1234被写进去):
00100000:1234 4
从这里可以看出来U-BOOT的操作不是很复杂。
2).我们再次往0x100000地址处,写入0x5678,执行如下命令:
mw.w aaa aa
mw.w 554 55
mw.w aaa a0
mw.w 100000 5678
查看0x100000地址处的数据
md.w 100000 1
结果:
00100000:12300.
即0x100000地址处的数据不是0x5678,说明写操作失败,失败的原因是:原来的数据已经是0x1234不是全0xffff,再次写操作失败,(Nor Flash只有先擦出,才能烧写)。
第一步:先擦除(参考Nor Flash芯片手册)
Nor Flash操作 | u-boot操作 |
---|---|
555H AAH//解锁 | mw.w aaa aa |
2AAH 55H//解锁 | mw.w 554 55 |
555H 80H | mw.w aaa 80 |
555H AAH//解锁 | mw.w aaa aa |
2AAH 55H//解锁 | mw.w 554 55 |
SA 30H //往扇区地址写入30 | mw.w 100000 30//即将100000处擦除 |
执行完上述指令后测试
执行:
md.w 100000 1
结果:
00100000:ffff…
说明地址100000已被擦除,这个时候再次烧写就不会有问题了。
再烧写
mw.w aaa aa
mw.w 554 55
mw.w aaa a0
mw.w 100000 5678
测试烧写结果 执行:
md.w 100000 1
结果:
00100000:5678 xV
数据被烧写进去,烧写成功。
总结:我们烧写时,如果上面的数据,不是0ffff,没有被擦除过,我们就要先擦出,擦除完后,才可以烧写,擦除烧写的命令可以从芯片手册里面获得。
第02节 Nor Flash编程_识别
本节源码见F:\韦东山\005_ARM裸机1期加强版(又叫新1期,151节,23节免费,已完结)\源码文档图片\源码\源码_20180321_添加传感器\018_nor_flash_015_002_0032文件夹
我们来做一个测试,测