NandFlash的位反转

Flash位反转

由于Flash固有的特性，在读写数据过程中，偶然会产生一位或几位数据错误（这种概率很低），bit位从“1”变为“0”，或者从“1”变为“0”。

当位反转发生在关键的代码、数据上时，有可能导致系统崩溃。当仅仅是报告位反转，重新读取即可：如果确实发生了位反转，则必须有相应的错误检测/恢复措施。

在NAND Flash上发生位反转的概率很高，推荐使用EDC/ECC进行错误检测和恢复。

Nand比Nor出现概率高，是因为Nand是单浮栅极结构，但是Nor是控制管+浮栅极结构，控制管和浮栅极结构，在对其中浮栅极操作时首先要使得控制管有效，所以相当于增加了单独选中单元，不容易影响到其他地方。

具体原因：

1. 漂移效应（Drifting Effects）
   漂移效应指的是，Nand Flash中cell的电压值，慢慢地变了，变的和原始值不一样了。
2. 编程干扰所产生的错误（Program-Disturb Errors）
   此现象有时候也叫做，过度编程效应（over-program effect）。
   对于某个页面的编程操作，即写操作，引起非相关的其他的页面的某个位跳变了。
3. 读操作干扰产生的错误（Read-Disturb Errors）
   此效应是，对一个页进行数据读取操作，却使得对应的某个位的数据，产生了永久性的变化，即Nand Flash上的该位的值变了。