PMOS管和NMOS的详细对比

一、简介：

增强型（Enhancement-mode）（分P|N）和耗尽型（Depletion-mode）（分P|N）MOSFET是两种不同类型的金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）。

1.1、增强型MOSFET：

• 工作原理：增强型MOSFET默认是处于“关闭”状态的。对于N沟道增强型MOSFET，当栅极相对于源极的电压高于阈值电压时，晶体管导通；对于P沟道增强型MOSFET，则是当栅极电压低于（更负于）阈值电压时导通。
• 结构：在栅极下方，半导体中不存在一个天然的N型或P型通道，而是在栅极电压施加后形成一个导电通道。
• 应用：增强型MOSFET是最常见的类型，广泛应用于开关和放大电路。

1.2、耗尽型MOSFET：

• 工作原理：耗尽型MOSFET默认是“开启”状态的。对于N沟道耗尽型MOSFET，通道在没有栅极电压时就已经存在；当施加负电压到栅极上时，通道的电导会减少，电压增加到一定程度时可以完全关闭通道。对于P沟道耗尽型MOSFET，则是施加正电压来减少通道电导。
• 结构：在栅极下方，半导体中天然存在一个N型或P型的通道，这个通道可以通过栅极电压来调整其电导。
• 应用：耗尽型MOSFET通常用于模拟电路和电源管理电路中作为恒流源或开关。

1.3、总结

增强型MOSFET需要正向电压（N沟道）或负向电压（P沟道）来创建导电通道，而耗尽型MOSFET在没有栅极电压的情况下自然导电，通过逆向电压来抑制或关闭通道。选择哪种类型的MOSFET取决于特定的应用需求。

二、增强型MOS

记忆要点：

2.1、特点：

NMOS管常用（便宜、型号多、接无源），PMOS管不常用（接芯片等、当源极电压高于单片机IO承受能力时需要在栅极加入三极管）

2.2、原理图记忆

箭头向外是PMOS（PNP）管，向内是NMOS（NPN）。

2.3、导通条件的比较

都是栅极与源极进行比较，通俗的理解，NMOS是栅极电压比源极高，PMOS是栅极电压比源极低（通常栅极上拉源极）