三极管、mos管放大电路

已于 2024-04-03 12:29:56 修改
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文章标签： 硬件工程
于 2024-04-02 23:16:26 首次发布
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1、P型MOS管

根据您提供的电路图，电流流动过程大致如下：b77789c3c8e293cf79f405e838c700c.png

1.1 电流流向

  1. 当 FAN_SW 闭合时（即当 PWM 控制信号导通时）：
  • 电流从电源通过 R62 流向 MMBT3904 (Q13) 的基极。
  • R65 提供基极电流的路径到地（GND），并且帮助设定基极电流的大小。
  • Q13 开启，导致电流能够从集电极流向发射极（即从上方的电路节点流向GND）。
  1. Q13 导通时的电流流向：
  • 由于 Q13 导通，它的集电极电压下降，这导致 P-Channel MOSFET (Q11) 的栅极电压相对于源极上升。
  • 当 Q11 的栅极-源极电压足够时，Q11 开始导通。
  • 随着 Q11 导通，电流可以从它的漏极流向源极（即从电源通过 Q11 到 FAN_OUT 端子），风扇得到电源并开始转动。
  1. 电容器的作用：
  • 电容 C52 和 C58 可能用于去耦，即它们帮助稳定电源电压，减少电源线上的噪声。
  • C56 的作用可能是在电源开关过程中提供缓冲，减少电压尖峰。
  1. 电阻的作用：
  • R62 和 R65 设定 Q13 的基极电流。
  • R50 和 R54 可能用于设定 Q11 的栅极电压，影响它的导通阈值。
  • R109 可能用作拉下电阻，保证 Q11 在没有控制信号时关闭。

整个电路的工作依赖于 PWM 控制信号的占空比，通过调节占空比，可以控制风扇的转速。PWM信号的高电平时间越长，Q13 导通的时间越长，Q11 导通的时间也越长，风扇获得的平均电压越高，转速越快。相反，PWM信号的高电平时间越短，风扇获得的平均电压越低，转速越慢。

1.2、 简介

在MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）中，有三个主要的引脚：源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
对于您提供的电路图中的 Q11（型号 AO3401，这是一个P-Channel MOSFET），这三个引脚的功能如下：

  1. 源极（Source）：这是P-Channel MOSFET的参考电位端，通常与最高电位（在P-Channel MOSFET的情况下）或者更正的电位相连。
  2. 栅极（Gate）：这是控制引脚，根据栅极和源极之间的电压差来控制晶体管的导通与截止。在P-Channel MOSFET中，当栅极相对于源极为负电压时，晶体管导通。
  3. 漏极（Drain）：这是晶体管的输出端，在P-Channel MOSFET中，当晶体管导通时，电流会从源极流向漏极。

在电路图中，Q11的源极可能连接到电源电压，漏极连接到风扇输出（FAN_OUT），而栅极通过Q13的开关控制来调制电压，从而控制Q11的导通状态。由于电路图没有详细标注这些引脚，您需要参照AO3401的数据手册来确定实际的引脚布局。通常情况下，数据手册会提供详细的封装信息和引脚分配图，您可以据此正确地连接和使用该MOSFET。

2、N型MOS管

对于N型MOSFET，同样有三个主要的引脚，它们的功能与P型MOSFET相似，但由于载流子的类型不同，工作原理有所区别：
image.png

2.1 电流流向：

这个电路图是一个使用PWM信号控制风扇速度的电路。电路的主要组件包括一个N型MOSFET（IRF2907），一个PNP型三极管（A733），一个肖特基二极管（SS14），几个电阻和一个LED指示灯。下面是电路的工作原理：

  1. PWM信号输入：PWM信号连接在电路图左侧的中间，这个信号用来控制风扇的速度。PWM信号的占空比决定了风扇的运行速度，占空比越高，风扇转速越快。
  2. 肖特基二极管D2：在这个电路中，SS14肖特基二极管用来保护三极管Q2免受可能的反向电压损害。
  3. 电阻R1：4.7kΩ的电阻R1用来限制流向三极管Q2基极的电流。
  4. PNP型三极管Q2：A733三极管用来放大PWM信号。当PWM信号为低电平时，Q2导通，当PWM信号为高电平时，Q2截止。
  5. 电阻R2：10Ω的电阻R2用于限制流向MOSFET Q1栅极的电流。
  6. N型MOSFET Q1：IRF2907用来控制风扇电机。MOSFET的栅极通过Q2控制，Q2导通时Q1截止，Q2截止时Q1导通。
  7. 电阻R4：10kΩ的电阻R4是一个下拉电阻，它确保在没有PWM信号输入时，MOSFET Q1保持关闭状态。
  8. LED D1和电阻R3：LED用于指示电路工作状态，与10kΩ的电阻R3串联以限制通过LED的电流。

当PWM信号是高电平时，三极管Q2截止，这时MOSFET Q1得到栅极电压并导通，风扇FAN1运行。当PWM信号是低电平时，三极管Q2导通，拉低MOSFET Q1的栅极电压至接近地电平，使其截止，风扇FAN1停止运行。通过调整PWM信号的占空比，可以控制风扇的转速。
请注意，电路的实际运行还依赖于PWM信号的频率和幅度，以及MOSFET Q1的特性。此外，电路的供电电压标注为12V，而PWM信号的供电电压范围标注为5V至36V，这表明PWM控制器需要的电压范围宽广，可以适应不同的控制器和应用场景。

2.2、 简介

  1. 源极（Source）：这是N-Channel MOSFET的参考电位端，通常与最低电位（在N-Channel MOSFET的情况下）或者更负的电位相连。
  2. 栅极（Gate）：这是控制引脚，通过在栅极和源极之间施加正电压来控制晶体管的导通。在N-Channel MOSFET中，当栅极相对于源极为正电压时，晶体管导通。
  3. 漏极（Drain）：这是晶体管的输出端，在N-Channel MOSFET中，当晶体管导通时，电流会从漏极流向源极。

在使用时，N-Channel MOSFET通常用于低侧开关（即源极接地），它们的栅极需要高于源极电压一定阈值才能导通。这使得N-Channel MOSFET在大多数电路中更容易驱动，因为控制信号相对于地通常是正电压。相比之下，P-Channel MOSFET通常用于高侧开关（即源极接正电源），需要栅极电压低于源极电压才能导通，这使得它们的控制电路相对复杂一些。在设计时，应根据实际应用选择适合的MOSFET类型。

2.3N型mos管应用电路

2.3.1计算过程
  • 要设计一个使用N型MOSFET的PWM放大电路，您需要考虑几个关键的参数：MOSFET的驱动信号、PWM信号的频率、负载的功率和所需的电流。下面是一个基本的设计过程：
  1. 确定MOSFET的规格：
  • 根据负载7.5欧姆和电源电压3.3V，负载电流 ( I = \frac{V}{R} = \frac{3.3}{7.5} \approx 0.44A )。
  • 选择一个能够承受这个电流并有适当余量的MOSFET。
  1. 计算功率消耗：
  • 负载功率 ( P = V \times I = 3.3 \times 0.44 \approx 1.45W )。
  • 确保MOSFET的最大功率耗散高于实际负载消耗的功率，这样可以避免过热。
  1. 选择合适的PWM信号：
  • PWM信号的频率取决于应用。例如，如果是加热应用，频率可以从几百Hz到几kHz。
  • 确保MOSFET能够在该频率下有效工作，有些MOSFET在高频下性能会下降。
  1. 设计PWM信号源：
  • 可以使用微控制器（如Arduino等）生成PWM信号。
  • 确保PWM信号源能提供足够的电流来驱动MOSFET的栅极。
  1. 栅极驱动电路：
  • 因为N型MOSFET需要正向电压在栅极和源极之间开启，您可能需要一个栅极驱动电路来确保MOSFET完全导通。
  • 驱动电路可以简单到一个电阻，复杂到专用的驱动IC。
  1. 确保MOSFET完全导通：
  • 为了减少MOSFET工作在线性区间，造成的热损失，需要确保它在开启时完全导通（即进入饱和区）。
  1. 考虑散热问题：
  • 如果MOSFET在开启状态下还是有相当的导通阻抗，可能会产生热量，需要考虑散热措施，比如散热片。
  1. 实施保护措施：
  • 可能需要在MOSFET的漏极和源极之间加一个自恢复保险丝或保护二极管，以防短路或过载。
  1. 绘制电路图和测试：
  • 在实施之前，绘制完整的电路图，包括所有连接、元件和保护设备。
  • 在连接负载之前，先测试PWM信号和MOSFET的驱动电路，确保一切工作正常。
2.3.2电路示例1：
PWM信号源
  |
  Rg（栅极电阻）
  |
Gate—[N型MOSFET]—Source——GND
  |
Drain
  |
负载（加热膜7.5Ω）
  |
Vcc（3.3V）

在这个电路中，PWM信号源通过栅极电阻Rg驱动MOSFET的栅极，MOSFET控制连接在漏极上的负载，负载的另一端连接到正电源3.3V。这样，PWM信号就可以控制流经加热膜的电流，从而控制其温度。

2.3.3电路示例2，MOSFET驱动IC：

我们可以设计一个基本的PWM控制的N型MOSFET电路，用于驱动您提到的7.5欧姆的加热膜。这个电路将包括一个PWM信号源（比如微控制器），一个MOSFET驱动电路，以及必要的保护元件。下面是一个改进的设计：

  1. MOSFET驱动器：
  • 使用专用的MOSFET驱动IC，如IR2110或类似的驱动器，这些驱动器可以提供更高的栅极驱动电流，并且通常有内置的保护功能。
  1. 保护元件：
  • 在MOSFET的漏极和源极之间添加一个自恢复保险丝，以防止过流。
  • 在MOSFET的栅极和源极之间添加一个下拉电阻，以确保在没有驱动信号时MOSFET关闭。
  • 在MOSFET的漏极和源极之间添加一个飞轮二极管（Flyback Diode），以保护MOSFET免受感性负载产生的反向电压冲击。

电路图示例

PWM信号源（微控制器）
  |
  |（PWM信号）
  |
MOSFET驱动器IC
  |    | 
Gate  Source——GND
  |
[N型MOSFET]
  |
Drain
  |
负载（加热膜7.5Ω）
  |
Vcc（3.3V）

注意事项

  • 确保所有连接正确无误。
  • 确保MOSFET的最大漏极-源极电压（Vds）和最大漏极电流（Id）超过您的应用要求。
  • 检查驱动器IC的规格，确保它适合您的MOSFET和工作频率。
  • 如果负载是感性的（如电机或变压器），飞轮二极管非常重要。
  • 在测试电路前，先不要连接负载，以确保PWM信号和驱动电路工作正常。
  • 根据实际情况和电路要求，可能需要调整元件的值和类型。

这个电路设计是一个基本框架，具体的元件选择和设计细节需要根据实际的应用和要求来调整。设计和测试时务必谨慎，遵循电子电路设计的安全标准和实践。

2.4、 更改电源和负载

如果您要将电路中的风扇更换为阻值为7欧姆的加热膜，并且电源电压从12V改为3.3V，您需要对电路进行一些调整以保证电路可以安全有效地工作。
以下是您需要重新计算的几个电路元件的值：

MOSFET Q1：
  • 如果您的电源电压降低到3.3V，您可能需要选择一个能在3.3V下正常工作的逻辑电平N型MOSFET。IRF2907是为高电压设计的，可能不会在3.3V下完全导通。
计算栅极电阻R2：

  • 这是一个栅极电阻，其主要作用是限制栅极电流并保护MOSFET。如果更换了MOSFET，您可能需要根据新MOSFET的栅极电荷和推荐的驱动电流来重新计算这个电阻的值。

       根据您提供的HX2302A N型MOSFET的参数，我们可以计算栅极电阻R2。但首先，我们要确认MOSFET可以在给定的PWM信号电压下工作。最大栅源电压|Vgs|为12V，而您的PWM信号为3.3V，低于最大值，因此可以使用。

计算栅极电阻R2：

  1. 栅极驱动电压（Vgs）：3.3V
  2. 总栅极电荷（Qg）：1.7 nC

栅极电阻的选择取决于您希望MOSFET开通和关闭的速度。栅极电阻太高会导致开关速度慢，而电阻太低则可能会导致电流过大而损害MOSFET或驱动电路。我们可以使用Qg来估算R2。
栅极电阻影响MOSFET的开关时间（t = R × C），为了确保MOSFET能够快速开通，我们希望栅极电阻R2能够在PWM信号上升时间内对栅极进行充电。由于PWM信号的上升时间通常很短，我们假设充电时间应小于PWM信号的周期的一小部分。
image.png
计算R2的功率耗散：
image.png
这表明100Ω的栅极电阻在PWM信号的上升沿时会有大约0.12W的瞬时功率耗散。由于这是瞬时功率，并且栅极电流会快速衰减，实际的平均功率会更低。但为了安全起见，选择一个能够承受至少四分之一瓦特（0.25W）的电阻是一个好主意。
综上，可以选择100Ω的电阻作为R2，并确保其功率等级
至少为0.25W。这个计算方法是基于估算和简化模型，实际电路中可能需要通过实验来优化R2的具体值。

  1. 电阻R1和R4：
  • 这些电阻的值通常与控制三极管Q2的基极电流和MOSFET Q1的下拉电阻有关。如果您的PWM信号电压保持不变，这些电阻的值可能不需要改变。但如果使用了不同的三极管或MOSFET，这些值可能需要根据新元件的参数进行调整。
  1. 电容C（未显示在提供的电路图中，但在实际应用中可能需要）：
  • 如果您使用的是PWM控制，并且PWM信号频率较高，可能需要在MOSFET的栅极处加入一个小电容来滤波，防止由于高频开关造成的电磁干扰（EMI）。电容值取决于具体应用和PWM频率。
  1. 飞轮二极管D2（如果原电路中有）：
  • 如果负载是感性的（如电机），您需要一个飞轮二极管来保护MOSFET免受反向电压冲击。对于一个纯电阻性的加热膜，飞轮二极管可能不是必需的。但是，如果您决定保留飞轮二极管，确保它能承受新的工作电压和电流。
  1. 负载电流计算：
  • 为了确定加热膜在3.3V下的电流，使用欧姆定律image.png。这意味着您的电路和电源需要能够提供至少这个电流量。

在进行任何更改之前，请确保您理解新组件的规格，并验证新的电路设计不会超出这些组件的最大额定值。还需要注意的是，改变电源电压可能会影响整个电路的功率和热管理需求。您应该考虑是否需要散热器或其他热管理措施来处理加热膜可能产生的热量。在实际测试电路之前，请进行充分的理论计算和仿真。

3、三极管

对于传统的双极型三极管（BJT），无论是NPN型还是PNP型，都有三个基本的引脚：

  1. 发射极（Emitter）：这是电流的出口点，在NPN型三极管中，电流从集电极流向发射极；在PNP型三极管中，电流则是从发射极流向集电极。
  2. 基极（Base）：这是控制引脚，用于控制从集电极到发射极的电流流动。基极电流的大小决定了集电极到发射极的电流流动量。
  3. 集电极（Collector）：在NPN型三极管中，这是电流的入口点；在PNP型三极管中，它是电流的出口点。集电极与发射极之间的电流取决于基极的偏置条件。

对于NPN型三极管，基极相对于发射极需要正偏，即基极电压高于发射极电压，才能使得三极管导通。对于PNP型三极管，则相反，基极相对于发射极需要负偏，即基极电压低于发射极电压。

在三极管的放大应用中，一个小的基极电流可以控制一个较大的集电极到发射极的电流。这种性质使得三极管非常适合作为开关或放大器使用。在开关应用中，三极管要么完全导通（饱和状态），要么完全截止（截止状态）。在放大应用中，三极管则工作在活动区，即部分导通的状态。

4、三极管和mos管的区别

三极管（BJT，双极型晶体管）和MOS管（MOSFET，金属-氧化物-半导体场效应晶体管）都是半导体器件，用于开关和放大电路中，但它们在结构、工作原理和应用上有一些重要的区别：

  1. 工作原理：
  • BJT（三极管）：通过基极到发射极之间的电流（基极电流）来控制集电极到发射极之间的电流。它是一个电流控制的器件。
  • MOSFET：通过栅极到源极之间的电压来控制漏极到源极之间的电流。它是一个电压控制的器件。
  1. 输入阻抗：
  • BJT：因为是通过电流来控制的，所以基极的输入阻抗比较低。
  • MOSFET：栅极几乎不消耗电流，因此有很高的输入阻抗。
  1. 开关速度：
  • BJT：开关速度一般比MOSFET慢，尤其在饱和区工作时。
  • MOSFET：通常可以达到更高的开关速度，特别是在数字电路中。
  1. 功耗：
  • BJT：在放大模式下，基极电流会导致更高的功耗。
  • MOSFET：在开关模式下，因为栅极电流非常小，通常具有较低的静态功耗。
  1. 驱动电路：
  • BJT：需要连续的基极电流，所以驱动电路要能够提供这种电流。
  • MOSFET：只需充放电栅极电容即可，所以驱动电路可以比较简单。
  1. 尺寸和成本：
  • BJT：通常体积较小，成本低廉。
  • MOSFET：在高功率应用中可能较大，但在大规模集成电路中很常见，因为它们可以做得很小。
  1. 热稳定性：
  • BJT：有正温度系数，随着温度升高，导通电流会增加，这可能导致热失控。
  • MOSFET：通常有负温度系数，在高电流工作时，随着温度升高，导通电阻会增加，从而自我稳定。
  1. 应用场景：
  • BJT：由于其低成本和高功率处理能力，通常用于需要连续模拟信号放大的场合。
  • MOSFET：因其高输入阻抗和快速开关特性，经常用于数字电路和高频应用。

选择BJT还是MOSFET，通常取决于具体应用的需求。例如，在需要高输入阻抗和快速开关的场合会选择MOSFET，在成本敏感和模拟信号处理的应用中可能会倾向于选择BJT。

5、阻抗

   电子学中一个重要的概念，它表示电路对电流的阻碍程度。阻抗不仅仅是电阻，它包括了电阻、电感和电容对交流电流的综合阻碍效果。阻抗的概念通常用在交流（AC）电路中，因为在交流电路中，电感和电容会因为电流的变化而在电阻的基础上产生额外的阻碍作用
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