ECR干法刻蚀介绍

     电子回旋共振（Electron Cyclotron Resonance，ECR）利用电磁波（通常是微波）在磁场中产生的电子回旋共振来产生等离子体，然后利用这个等离子体来对半导体材料进行刻蚀。

     2.45GHz的微波 微波是一种电磁波，其波长在1毫米到1米之间，对应的频率范围约为300兆赫（MHz）至300千兆赫（GHz）。而半导体制造中常用的微波为2.45 GHz。

     这个频率的微波最为人所知的应用可能就是微波炉了。微波炉中的微波发生器产生2.45 GHz的微波，这些微波能够被待加热物品的吸收，使它们振动并产生热，从而加热和烹饪食物。 2.45 GHz的频率也在一些无线通信技术中被使用，例如Wi-Fi和蓝牙。这个频率范围由于在大多数国家/地区都不需要许可证就能使用，因此在消费电子产品中非常流行。 2.45 GHz的微波也被用于一些特定的应用，比如在电子回旋共振（ECR）系统中被用于激发电子和产生等离子体，用于半导体制程中的刻蚀过程。

       使用2.45 GHz的微波在ECR系统中产生等离子体的主要优点是，这个频率的微波能量可以被等离子体中的电子有效地吸收，而且微波的能量相对较低，不会对半导体材料造成大的损伤。 ECR工作原理

      首先，2.45 GHz的微波被注入到一个ECR-RIE机台腔体中，这个腔体中充满了需要刻蚀的气体（如氟或氯）。在腔体中，微波和磁场相互作用，产生电子回旋共振，其中电子在微波的影响下在磁场中进行螺旋上升运动。这个过程会使电子获得能量，形成高能电子。高能电子与腔体中的气体分子相撞，使气体分子激发，产生等离子体。这个等离子体包含了高能电子和离子，自由基等活性物质。等离子体被引导到半导体材料的表面，其中的活性物种与半导体材料发生反应，进行刻蚀。整个过程可以通过改变微波的功率、气体的压力和类型、以及磁场的强度来控制。 ECR的优势
1，高选择性 2，高方向性 3，低伤害

         ECR的缺点 设备复杂：ECR 技术的主要缺点是商用微波电源的限制，以及产生均匀磁化等离子体所需的磁铁的物理限制，例如，要产生 875 高斯的磁场，磁铁又大又重。体积庞大的 ECR 源难以聚集用于多腔室工艺，而且它们难以处理大于 200 毫米的晶圆。

刻蚀速率相对较低： ECR刻蚀中生成的等离子体的离子能量相对较低。 这有利于减少对材料的损伤，但也意味着离子轰击的效率可能较低，因此刻蚀速率也较低。 ECR的应用 浅槽隔离（Hard Mask, Si Trench） 栅电极(Hard Mask, PolySi, Side Wall, Metal) 自对准接触和互连（金属回蚀、金属硬掩模、双镶嵌沟槽）

1. 转载需注明出自本处。

我建了一个知识分享的社区，陆续上传一些芯片制造各工序，封装与测试各工序，建厂方面的知识，供应商信息，以及大量的半导体行业资料，针对性地解答一些疑问，内容远远丰富于日常发的文章，帮助各位抓住目前半导体的风口。当然也可仅关注本号，我定期都有发文章在上面，可以满足小需求的读者。