什么是化合物半导体？

在日常读新闻报道或行业资料中，我们经常会遇见化合物半导体这个词汇。由于半导体行细分行业实在太多太杂，大多数人又不太清楚化合物半导体是什么。仿佛是LED中用到的？仿佛又只是SiC,GaN这两种目前比较火的行业？化合物半导体是第三代半导体？等等。今天就来详细讲讲什么是化合物半导体，这样以后再遇到这类词汇就不会迷糊。

什么是化合物半导体？ 半导体材料分为单质半导体与化合物半导体。

单质半导体指的是单一元素构成的半导体材料。这两种元素均属于元素周期表中的IV族，因此它们有四个价电子，能形成稳定的共价键。最常见的单质半导体是硅（Si）和锗（Ge），这两种半导体在微电子设备中被广泛使用。锗是早期半导体工业中使用的一种材料，虽然它的电子迁移率优于硅，但是它对温度的敏感度较高，且比硅更稀有，成本更高，所以后来被硅取代。硅是目前半导体工业最常用的材料，我们目前大部分芯片产品的材料是以硅为主。硅的带隙宽度适中，对温度的敏感度较低，且可以通过掺杂调整其导电性。此外，硅在地壳中的含量较大，提取较便宜。

除了单质半导体之外的半导体材料就叫做，化合物半导体。一类主要的化合物半导体是由ⅢA与ⅤA元素组成，即Ⅲ-Ⅴ族化合物，包括：砷化镓（GaAs），磷化铟(InP)，氮化镓（GaN）等。一类来自于ⅡB族与ⅥA族元素，被称为Ⅱ-Ⅵ族化合物，包括硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）、碲化镉（CdTe）、硫化锌（ZnS）、硒化锌（ZnSe）、碲化锌（ZnTe）等。另一类则是Ⅳ-Ⅳ族化合物，碳化硅（SiC），硅锗合金（SiGe）等。

化合物半导体的优势？
以SiC为例，其他化合物半导体普遍具有以下特点：

1. 宽带隙：它描述的是半导体中价带最高能级与导带最低能级之间的能量差。这个能量差决定了电子从价带跃迁到导带所需要的能量。碳化硅有着约3.0-3.2电子伏特的带隙宽度。远大于许多常见半导体，（如硅，带隙宽度约1.1电子伏特）。宽带隙意味着SiC可以在更高的电场下工作，而不会发生击穿。

2. 

3. 高温稳定性：碳化硅的熔点约在2700°C，使得它能在高温环境下工作。
4. 高热导率：碳化硅的热导率高于大多数半导体和金属，有利于设备的散热。
5. 化学稳定性：碳化硅具有极好的化学稳定性，抗氧化和耐腐蚀能力强。

化合物半导体的应用？

GaAs，InP,GaN：光子集成电路、激光器、LED、光探测器、光伏器件等功率放大器(PA),LNA,射频开关滤波器，单片微波集成电路等 GaN,SiC:肖特基势生二极管(SBD)、MOSFET、IGBT等。

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