大多数工程师对于外延这个工艺比较陌生,外延工艺在半导体器件制造中起到了重要的作用。外延工艺可以用在不同的芯片产品中,不同的产品外延的种类也不同,有Si外延,SiC外延,GaN外延等等。
外延工艺在英文中通常被称为 "Epitaxy"。这个词源自希腊语的 "epi"(意为“上面”)和 "taxis"(意为“排列”)。顾名思义,即在某物体的上面整齐排列。外延工艺就是在单晶衬底上沉积一层薄的单晶层。这层新沉积的单晶层被称作外延层。
在半导体中,我们经常会听到单晶硅,多晶硅这种称谓,那么为什么同样是硅,为什么有的硅叫单晶,有的硅却又叫多晶呢?
在硅基集成电路制造中,外延工艺被广泛使用。例如,硅外延用于在硅衬底上生长一个纯净且控制精细的硅层,这对于制造先进的集成电路极其重要,另外在功率器件中,SiC和GaN是两种常用的宽禁带半导体材料,具有出色的电力处理能力。这些材料通常通过外延工艺在硅或其他衬底上生长。在量子通信中,基于半导体的量子比特通常使用硅锗外延结构。等等
一般常用的三种半导体外延方法:
分子束外延(MBE):分子束外延)是一种在超高真空条件下进行的半导体外延生长技术。在此技术中,源材料以原子或分子束的形式被蒸发,然后沉积在晶体衬底上。MBE是一种非常精确且可控的半导体薄膜生长技术,它可以在原子级别精确控制沉积的材料厚度。
外延工艺在英文中通常被称为 "Epitaxy"。这个词源自希腊语的 "epi"(意为“上面”)和 "taxis"(意为“排列”)。顾名思义,即在某物体的上面整齐排列。外延工艺就是在单晶衬底上沉积一层薄的单晶层。这层新沉积的单晶层被称作外延层。
在半导体中,我们经常会听到单晶硅,多晶硅这种称谓,那么为什么同样是硅,为什么有的硅叫单晶,有的硅却又叫多晶呢?
在硅基集成电路制造中,外延工艺被广泛使用。例如,硅外延用于在硅衬底上生长一个纯净且控制精细的硅层,这对于制造先进的集成电路极其重要,另外在功率器件中,SiC和GaN是两种常用的宽禁带半导体材料,具有出色的电力处理能力。这些材料通常通过外延工艺在硅或其他衬底上生长。在量子通信中,基于半导体的量子比特通常使用硅锗外延结构。等等
一般常用的三种半导体外延方法:
分子束外延(MBE):分子束外延)是一种在超高真空条件下进行的半导体外延生长技术。在此技术中,源材料以原子或分子束的形式被蒸发,然后沉积在晶体衬底上。MBE是一种非常精确且可控的半导体薄膜生长技术,它可以在原子级别精确控制沉积的材料厚度。