CVD的冷热壁指的是什么?

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CVD中,什么是冷热壁?冷热壁机台是怎么划分的?冷热壁机台各有什么优势?各用在什么产品中?相信大家应该也有很多疑问,那么今天就围绕CVD的冷热壁来详细解读一下。

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什么是冷热壁CVD? 冷壁CVD机台(Cold-wall CVD),在这类机台中,加热源主要集中在衬底上,而反应室的壁部分保持相对较低的温度。衬底通常是通过射频或电阻加热的。在高度控制的条件下,含有所需材料的气体被引入到反应室。由于衬底的高温,这些气体会在衬底上发生化学反应,形成所需的薄膜。

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热壁CVD机台(Hot-wall CVD),在热壁CVD机台中,整个反应室,包括壁部分,都会被加热到所需的工作温度。热壁CVD的工作原理是将气体引入到预热的反应室中。这些气体在接触到高温的反应室壁和衬底时分解或发生化学反应,形成所需的薄膜并沉积在衬底上。 冷热壁机台的划分
热壁机台:LPCVD, 冷壁机台:PECVD ,ALD,HDPCVD
冷壁或热壁:SACVD(亚常压化学气相沉积),APCVD(常压化学气相沉积),MOCVD,VPE(气相外延) 冷热壁CVD 的各自优势
  1. 冷壁CVD:
  • 冷壁CVD主要的优势是快速加热和冷却的能力。这是因为只有底座被加热,而腔体壁保持冷却。这可以大大减少不必要的反应和化学物质的积聚,从而改善设备的清洁性和效率。

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  • 冷壁CVD也可以减少气体在腔体壁上的沉积,进一步改善了硅片的均匀性和产品的产量。
  • 这种类型的设备更适用于某些特殊工艺,如某些低温工艺,或者当热预处理可能会破坏薄膜或底片时。


热壁CVD:
  • 热壁CVD的主要优势是更均匀的温度分布和更高的反应效率。因为在热壁CVD中,整个腔体都被加热,因此可以在整个硅片上实现更均匀的薄膜沉积。
  • 热壁CVD也适合在高温下进行的反应,因为整个腔体都是加热的,可以实现更高的反应温度。
  • 此外,由于温度分布的均匀性,热壁CVD通常可以提供更好的薄膜品质和更高的沉积率。

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冷热壁CVD的腔室怎么清理 不论是冷壁还是热壁反应室,都可能会有一部分材料沉积在腔体内壁或其他内部结构上,这可能会影响设备性能,包括制程一致性、腔体内温度分布等。因此,定期清洗反应室是必要的。

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在热壁CVD中,由于整个反应腔体以及衬底都在高温下,使得反应气体在接触腔体壁面都可能发生分解或反应,导致材料在腔体内壁上的沉积。随着生产过程的进行,这种沉积物会逐渐累积,可能会引起设备性能下降,因此要定期清理。 通常来说,清洗热壁腔室的方式有机械清洗(如用刷子或特殊的清洗剂),化学清洗(如使用一些酸性或碱性溶液)和等离子体清洗。具体选择哪种方式需要根据腔室内壁沉积的材料种类和腔室的材质来决定。

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### 回答1: 多晶硅CVD沉积法在反应器中产生高温下的气相反应,生成的硅化合物沉积在衬底表面上,同时产生一些副反应产物,如硅粉、二氧化硅等。在反应器中,这些副产物可能会与沉积物一起沉积在衬底表面上,也可能会在反应器中形成雾状物,被带到衬底表面上形成雾化现象。造成雾化现象的原因有很多,如反应器的温度、压力、气流速度、反应物的浓度和纯度、反应器的设计等都会对雾化现象产生影响。 ### 回答2: 多晶硅CVD沉积法(Chemical Vapor Deposition)是一种常用的制备多晶硅薄膜的方法。在多晶硅CVD沉积过程中可能出现雾化现象,其原因主要有以下几点: 1. 气体流动性差:在CVD沉积过程中,需要将气体通过反应室,较长的管道距离和复杂的几何形状可能导致气体流动不畅,形成气体的积聚和纠缠,从而容易发生部分气体的雾化现象。 2. 反应器内的局部过饱和度:在CVD过程中,反应器内的某些区域可能存在较高的温度和浓度梯度。当高浓度的气体进入较低温区域时,会达到饱和度过高,超越了气体在此温度下的溶解度,发生气体的凝聚和雾化现象。 3. 气体与固体表面的反应:在CVD沉积过程中,气体需要与固体表面发生反应生成薄膜。然而,由于固体表面的不均匀性和杂质的存在,使得某些区域的反应发生不均匀,导致气体的局部过饱和度增加,进一步引发雾化现象。 为了避免多晶硅CVD沉积法中的雾化现象,可以采取以下措施: 1. 优化反应器结构和管道设计,确保气体流动的平稳和均匀。 2. 控制反应器温度和气体流速,避免出现局部过饱和度和过高的气体浓度。 3. 提高固体表面的均匀性和纯度,减少气体与固体表面反应的不均匀性。 4. 定期进行反应器的清洗和维护,去除可能导致雾化的杂质和残留物。 通过以上措施的应用,可以有效减少多晶硅CVD沉积法中的雾化现象,提高沉积效率和产物质量。 ### 回答3: 多晶硅CVD沉积法中的雾化现象是因为在沉积过程中,多晶硅的前体气体(通常为硅烷化合物)在加热后发生分解,生成的硅原子从气相转移到固相,最终沉积在衬底上形成多晶硅薄膜。 雾化是由于硅烷化合物的气体在加热过程中,遇热分解后产生的硅原子与载气(通常为氢气)发生反应,形成气相中的亚氨原子和氨气。这些亚氨原子和氨气在高温的反应室中快速扩散,并在冷却区域与衬底表面相遇。 当亚氨原子和氨气与衬底表面相遇时,由于表面的温度梯度存在,亚氨原子和氨气因为气体分子的自由度较大,会更容易被热表面所吸附,然后在衬底上发生沉积,形成薄膜。 然而,当亚氨原子和氨气遇到冷表面或者表面存在缺陷时,亚氨原子和氨气可能无法被吸附并结合成薄膜,而形成气相中的颗粒。这些气相颗粒由于浓度过高,会导致沉积过程中的雾化现象。 因此,多晶硅CVD沉积法中的雾化现象主要是由于沉积物无法在冷表面或者表面缺陷处正常形成薄膜,而形成气相中的颗粒。为了减少雾化现象,可以通过优化沉积条件、提高衬底温度或者增加清洗步骤来改善沉积过程的控制。

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