肖特基二极管

1、概述
肖特基二极管是一种利用金属与半导体接触形成的势垒(肖特基势垒),而非PN结进行工作的二极管。它以德国物理学家瓦尔特·肖特基命名。
1. 核心结构与工作原理
- 结构:传统的PN结二极管是半导体(硅Si)与半导体(硅Si)结合。而肖特基二极管是金属(如钼、铂、钨、金等)与N型半导体(通常是硅或砷化镓GaAs)接触形成的。
- 工作原理:当金属与N型半导体接触时,由于两者费米能级的不同,电子会从半导体流向金属,在接触面附近形成一个空间电荷区(耗尽层)和内建电场,这个区域的势垒就是肖特基势垒。
- 正向偏压:当外加电压使金属接正极,半导体接负极时,内建电场被削弱,半导体中的电子可以轻易地越过这个相对较低的势垒流向金属,形成较大的正向电流。
- 反向偏压:当金属接负极,半导体接正极时,内建电场增强,势垒增高,只有极少数的电子能从金属流向半导体,形成极小的反向漏电流。
2. 主要特点
肖特基二极管最显著的特点都源于其金属-半导体结的结构,与普通PN结二极管相比:
| 特性 | 肖特基二极管 | 普通PN结二极管(快恢复二极管) |
|---|---|---|
| 开启/正向电压 (Vf) | 很低 (约0.15V - 0.45V) | 较高 (约0.7V - 1.1V) |
| 开关速度 | 极快 (反向恢复时间trr非常短) | 较慢 (有少数载流子的存储效应,需要恢复时间) |
| 反向恢复时间 (trr) |

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