一:发明
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode)的简称是SBD。
它是由贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体 B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件,是一种低功耗、超高速半导体器件。
二:优点
1.最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒);
2.正向导通压降小,仅0.4V左右。
三:缺点
1.反向击穿电压低;
2.反向漏电流大。
四:应用
多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用,在通信电源、变频器等中比较常见。