前言
低频下,按电池理解二极管即可,但是当高频信号加在二极管两端时,就要考虑二极管的动态特性了。
二极管的单向导电特性并不十分理想,这是因为二极管的本质是有P型半导体和N型半导体接触形成的PN结。
PN结除了除了构成单向到点的二极管外,还存在一个结电容:

结电容导致"双向"导电
结电容对二极管当然不是什么好事,这实际上使二极管可以流过一定量的反向电荷。
实际二极管需要一定的时间来恢复反向阻断能力。Trr称为反向恢复时间(reverse revovery)。

二极管的结电容大小
不同工艺结构可以使结电容的大小不一样。
1、点接触的PN结,可以减小结电容,但会降低二极管的通流能力。
2、面接触,通流能力强,但是结电容更大。
看下面两个例子:
1N4007 (面接触型)

1N4148(点接触型)

结电容对单向导电性的影响
1、低频时,反向导电占整个周期的比例很小,二极管仍可以看成是单向导电的。

本文深入探讨了二极管在高频信号作用下的动态特性,包括结电容的影响、反向恢复过程及时间,以及这些特性如何决定二极管的适用频率范围。以1N4148为例,分析了其4ns的反向恢复时间。
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