光学
小韩的科研笔记
这个作者很懒,什么都没留下…
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Franz-Keldysh效应和Wannier-Stark局域化效应
Franz-Keldysh效应在体材料中,光子吸收主要发生在价带电子被受激跃迁到导带的情况。外电场使能带倾斜,当外电场很强时,价带电子通过隧道跃迁到导带的几率大大增加,有效能隙减小,使得吸收边发生红移,这种效应就是Franz-Keldysh效应。由于体材料电吸收调制器的有源层厚度在几百纳米量级,生长控制比较简单;有源层结构对光生载流子的限制减小,光生载流子的溢出相对多量子阱调制器容易,因而在大功率下的调制特性上,体材料调制器有一些优势。另外,和直接调制方式相比,其频率啁啾也比较小。但是,Franz.原创 2020-05-29 15:45:55 · 3344 阅读 · 1 评论 -
量子限制斯塔克效应(QCSE)
在量子阱结构中,在内建极化电场的作用下,半导体的能带会发生倾斜,电子-空穴对发生空间分离,波函数交叠量减少,引起发光效率下降、发光峰(吸收边)红移的现象,称为量子限制斯塔克效应。激子在较低的载流子浓度和较低的温度下,电子和空穴以较长的周期互相围绕运动,形成激子态,类似与氢原子的情况,电子从低能级激发到高能级,但它还属于氢原子。EB为激子的束缚能,meV量级。量子阱材料中的量子限制斯塔克效应在体材料调制器中,由于其激子近似为三维激子,其束缚能 较小,在室温下很容易被离化,激子很少能够存在...原创 2020-05-29 14:19:56 · 12706 阅读 · 1 评论 -
微环调制器(载流子注入型)和电吸收调制器
Google的数据中心(长距离调制)电吸收调制器Franz-Keldysh 效应p-n结在外加电场下有效带宽变窄,吸收变强,使发射波长向长波方向移动;驱动需要提供合适的偏置VB和调制幅度Vs(偏置电压越大,插入损耗越大)(2)EAM的驱动电路硅基光电子调制器MRR调制器(尺寸很小。微米量级,MZM为毫米量级)载流子注入型下图中将微环调制器装在光波导上对信号欲加重,在长时间连0或连1上欲加重。脉冲的持续时间变化的眼图脉冲的偏置电压变化的眼图.原创 2020-05-19 16:26:20 · 4235 阅读 · 0 评论 -
硅基光电子集成
摩尔定律:摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为:当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。1990年以前,RF电路在集成电路中片上需要电感和电容,不可以大规模集成,在21世纪以后;2004年,毫米波、THz波段的收发2012年,在集成芯片上进行光的传输工艺支撑:CMOS一、硅基光电子的发展趋势标准的光电模块,有利于产业化;具有成熟的设计包;硅基电子集成:快速EM仿真设计硅原创 2020-05-19 15:04:20 · 2927 阅读 · 0 评论 -
多普勒频移
多普勒频移多普勒效应是指任何形式的波在传播过程中,波源、传输介质、接收物质或中间反射体等之间的相对移动,都会引起入射波频率或相位的变化。观察者和发射源的频率关系为(此式不适用于光波,光波的多普勒频移效应见下f’为观察者的频率;f为发射源于该介质中的原始发射频率;v为波在介质中的行进速度;v0为观察者移动速度,若接近发射源则前方符号为“+”号,反之为“-”号;Vs为发射源的移动速度,若接近观察者则前方为运算符号为“-”号,反之,为“+”号。光波的多普勒频移具有波动性的光也会出现这种效应,它又被称原创 2020-05-16 09:44:32 · 2852 阅读 · 0 评论