量子限制斯塔克效应（QCSE）

    在量子阱结构中，在内建极化电场的作用下，半导体的能带会发生倾斜，电子-空穴对发生空间分离，波函数交叠量减少，引起发光效率下降、发光峰（吸收边）红移的现象，称为量子限制斯塔克效应。

1. 激子
   在较低的载流子浓度和较低的温度下，电子和空穴以较长的周期互相围绕运动，形成激子态，类似与氢原子的情况，电子从低能级激发到高能级，但它还属于氢原子。EB为激子的束缚能，meV量级。
   
2. 量子阱材料中的量子限制斯塔克效应
   在体材料调制器中，由于其激子近似为三维激子，其束缚能 较小，在室温下很容易被离化，激子很少能够存在。在半导体量子阱材料中，由于电子和空穴的运动受到量子阱势垒的限制，激子为准二维激子，激子在室温下能够得以存在，从而形成吸收曲线带边尖锐的激子吸收峰。激子吸收峰对应的光子能量为：
   hw=Eg-Eel-Ehhl-EB
   其中，Eg为势阱材料的带隙，Eel和Ehhl分别为导带第一电子能级与价带第一空穴能级，Eg为激子束缚能。由于吸收峰的存在，多量子阱材料的吸收曲线具有陡峭的边缘。
   当在垂直与量子阱壁的方向上施加电场时，量子阱能带发生倾斜，电子和空穴的量子能级下降，使得吸收发生红移。同时，电场的存在使构成激子的电子和空穴向相反方向移动，导致激子束缚能降低，对吸收边有蓝移作用。施加垂直方向电场的总效果是使吸收边红移。这种量子阱材料的吸收边随垂直阱臂的电场发生红移的现象称为量子限制Stark效应。
   
   不同外加电场下量子阱材料的室温光吸收谱，从中可以看出激子吸收峰随外加电场的红移。