基板集成波导SIW 学习自用

基板集成波导

基板集成波导(SIW)是在介质板上下表面为金属,添加两排金属柱来模拟金属波导的壁面,形成类似于矩形波导的结构。

基板集成波导在PCB加工时,PCB钻孔后,将金属引脚插入,需要将引脚和PCB的金属板焊接在一起。否则SIW的性能大幅降低,这表明金属柱不仅起到了屏蔽电磁波的作用,还负责连接表面电流保持导播传播。[1]

导波模式

结论: SIW中仅支持传播TEn0TE_{n0}TEn0模式

反证:假设SIW中存在TM模式,横磁场一定会在传播方向上激发表面电流,而金属柱之间的缝隙截断了表面电流。
垂直电流的缝隙会产生大量辐射,造成能量泄露。所以,TM模式的SIW无法有效传输能量。

SIW等效宽度

SIW中两排金属柱之间的间距WSIWW_{SIW}WSIW并不能直接计算,而是需要计算其等效宽度WeqW_{eq}Weq
Weq=WSIW−d20.95p W_{\text{eq}} = W_{\text{SIW}} - \frac{d^2}{0.95p} Weq=WSIW0.95pd2
d为通孔的直径 、p为两通孔的中心距离,但是其要求两金属柱之间的距离足够小。

在文献[1]中 ,对上述公式进行了优化,当p/d<3 && d/w<15p/d<3 \ \&\&\ d/w<\frac 1 5p/d<3 && d/w<51,结果较为准确
weff=w−1.08⋅d2p+0.1⋅d2w w_{eff}=w-1.08\cdot \frac{d^2}{p}+0.1\cdot \frac{d^2}{w} weff=w1.08pd2+0.1wd2
上述等效宽度是计算基模,若需要计算高阶模等效宽度,与上述公式计算略有不同。

衰减常数

TE10TE_{10}TE10模式衰减常数

在这里插入图片描述

TE20TE_{20}TE20模式衰减常数

在这里插入图片描述

TE30TE_{30}TE30模式衰减常数

在这里插入图片描述

SIW设计原则

**Step1)**选择p/d<2p/d<2p/d<2

Step2) 选择d/w<15d/w<\frac1 5d/w<51

Step3) 根据频率计算所需有效宽度WeffW_{eff}Weff

Step4) 根据上述公式计算实际宽度W

Step5) 根据W计算出d和p

当设计的d/w<18d/w<\frac1 8d/w<81

在这里插入图片描述

截止频率

SIW是等效为矩形波导的,其截止频率的计算与矩形波导类似,将矩形波导中a、b替换为WeqW_{eq}Weq和基板高度h,由于基板介电常数的存在,在计算中要考虑其影响。
fcTEmn=c2(mWeq)2+(nh)2⋅1εr f_{c}^{TEmn} = \frac{c}{2} \sqrt{ \left( \frac{m}{W_{\text{eq}}} \right)^2 + \left( \frac{n}{h} \right)^2 } \cdot \frac{1}{\sqrt{\varepsilon_r}} fcTEmn=2c(Weqm)2+(hn)2εr1
其常用主模截止频率为:
fcTE10=c2Weqεr f_c^{TE10} = \frac{c}{2W_{\text{eq}}\sqrt{\varepsilon_r}} fcTE10=2Weqεrc

参考文献

[1] Feng Xu和Wu, 《Guided-Wave and Leakage Characteristics of Substrate Integrated Waveguide》.

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