半导体物理

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1. 原子中的电子和晶体中的电子运动情况有何不同

• 原子中的电子是在原子核和其余电子的束缚作用下以电子云形式存在，没有固定轨道；
• 晶体中的电子是在整个晶体内运动的共有化电子，在周期性势场内运动。内层电子共有化运动较弱，行为与孤立原子的电子相似；外层电子共有化运动较强，行为与自由电子相似，称准自由电子。

2.有效质量

• 与惯性质量不同，有效质量概括了半导体内部势场对于电子的作用。在计算外力作用下电子运动规律时，使用有效质量可以不涉及内部势场对其影响。
• 内层电子有效质量大，能带窄；外层电子有效质量小，能带宽。
• 能带底，电子有效质量是正值；能带顶，电子有效质量是负的。

3.能带、禁带的宽窄

• 能带的宽窄取决于其能级高低，能级越高，能级越密，能带越宽；
• 掺杂浓度越高，禁带越窄。沿着不同晶向，禁带宽度不同。

4. 电子、空穴

• 空穴和电子：可以用水池的气泡比喻。
• 空穴是一个假象的带正电的例子，空穴在电场中运动，本质上是电子在电场中运动的另一种表述。

5. 半导体的晶格结构

• 金刚石结构：S, Si, SiC, Ge
• 闪锌矿结构:GaN, GaP
  跟金刚石结构类似，不过由两种原子组成
• 纤锌矿：ZnO
  六方密堆积结构

6.杂质能级

• 被杂质束缚住的电子/空穴的能量状态称为杂质能级，又细分为施主能级和受主能级。电子脱离杂质原子束缚跑到导带上的过程称电离，需要的能量称为杂质电离能，一般数值不大。
• 深能级杂质，指的是杂质电离能大的杂质原子。一般来说，这种杂质可以产生多次电离。
  浅能级一般起施主/受主作用；
  深能级一般起复合中心/陷阱作用。
• 若半导体中既掺入受主，又掺入施主，这种现象叫做杂质的补偿。如果作用正好相互抵消，即为高度补偿。我们可以利用这种效应改变半导体中某个区域的导电类型，制造各种器件。

7.热平衡态

• 指的是一定温度下，载流子激发和载流子复合之间建立起动态平衡，空穴和电子的浓度保持一个稳定值的情况。
• 能量状态密度：能带中能量E附近单位能量间隔内的量子态数。
• 统计分布函数：热平衡状态下，电子子允许的量子态下如何分布的描述。
  分为费米分布和玻尔兹曼分布，当(E-E_F)>>(k_0*T)时，费米分布（简并）可以进化到玻尔兹曼分布（非简并）。是因为满足这个条件时，量子态被电子占据的概率很小，泡利原理失去作用，二者统计结果相近。
• 费米能级：绝对零度下， 半导体内部能量最大的电子所占据的能级。电子浓度越高，E_F越高。
  影响因素：掺杂浓度、掺杂能级，导带有效态密度
• 简并：费米能级靠近导带底/价带顶，甚至进到了能带里

8.散射

• 包括：电离杂质散射、晶格散射（声子、光学波），缺陷散射，多能谷散射
• 迁移率随温度上升而降低
  （1）电导迁移率
  电导迁移率是通过半导体材料的电导率或者电阻率得到的迁移率，计算结果为1/(nqρ)。其中q是元电荷，n是载流子浓度，ρ是电阻率。
  增加电导率的方法，增加迁移率或本征载流子浓度
  （2）霍尔迁移率
  霍尔迁移率是利用霍尔效应测量得到的迁移率，它跟电导迁移率的不同在于其需要测量其霍尔系数。利用霍尔效应测量迁移率的优势在于它可以适用于大多数常见半导体，其缺点在于需要对待测样品进行特殊设计，并且在计算过程中，无法精确的对霍尔散射因子进行赋值。
  （3）漂移迁移率
  漂移迁移率一般是用来测量少数载流子在电场中的迁移率，其数值等于单位电场下载流子的漂移速度。
• 电阻率随温度变化：先下降再上升，再下降
• 光学波散射：弹性散射，散射前后电子能量基本不变，离子性晶体
  声学波散射：非弹性散射，散射前后电子能量改变，共价性晶体
• 导带底的等能面不是球面的时候，不同方向的电导的有效质量不同，态密度分布不同。
• 多能谷散射：多能谷之间有效质量不同，导致迁移率不同，当电子从一个能谷跃迁到另一个能谷时，迁移率可能降低，导致导电性下降

9.声子

• 是晶格震动的能量量子，可以产生和消灭。电子在半导体中传输时如果发生了晶格振动散射，就会发出或者吸收声子，使得电子动量改变，从而影响电导率。
• 平均自由程：电子在两次散射之间走过的平均距离
• 平均自由时间：电子在两次散射之间运动的平均时间

10.非平衡载流子

• 对半导体施加外界作用，如光照，破坏了热平衡条件，就会让其处于非平衡状态。与平衡态相比，多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。
• 准费米能级：价带和导带各自处于平衡态，但是二者不平衡，所以分别具有各自的准费米能级。如果平衡，那么两者费米能级就会重合。
• 载流子寿命：非平衡载流子浓度减少到1/e的时间。
• 直接复合：导带和价带之间直接跃迁
  间接复合：电子空穴通过禁带中的能级复合
• 间接复合理论：非平衡载流子通过位于禁带中特别是位于禁带中央的杂质或缺陷能级复合，可以大大促进载流子复合，降低少子寿命
  陷阱效应是指非平衡载流子落入位于禁带中的杂质或缺陷能级Et中，使在Et上的电子或空穴的填充情况比热平衡时有较大的变化，从引起Δn≠Δp，一般陷阱都是针对少子，可以提高少子寿命，提高电导率
  此外，最有效的复合中心在禁带中央，而最有效的陷阱能级在费米能级附近。复合中心能同时俘获两种载流子，常为深能级杂质。而陷阱中心只存储一种载流子，常为浅能级杂质。

11.金半接触

• 金半接触分为欧姆接触和整流接触，主要看金属和半导体的功函数差哪个大。
• 整流接触：金属接正，半导体接负。