微机原理笔记分享
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存储器
存储器
存储器分类
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内存
- 主存储器,位于主机内部
- 存放当前或经常使用的程序/数据
- CPU可直接访问,速度快
- 半导体器件构成,价格高
- 容量有限
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外存
- 辅助存储器,主机外部
- 存放大量/长期保存的数据
- 海量,速度慢
- 磁表面存储器组成
- 需专用驱动设备
随机存取存储器(RAM)
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特点:`随机读写,掉电丢失
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动态RAM(DRAM)
- 一个位存储单元由一个晶体管和一个电容组成
- 电容电荷会泄露,需刷新充电,降低内存速度
- 高密度,低功耗,低价格
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静态RAM (SRAM)
- 一个位存储单元由4或6个晶体管组成
- TimW10.08
- 数据由触发器记忆,不需要刷新电路,速度快(适合高速缓存)
- 芯片占用空间多,芯片内存较小,价格昂贵
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SRAM芯片2114
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存储容量为1024X4
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18个引脚:
- 10根地址线A9~A0
- 4根数据线I/O4~I/O1
- 片选CS*
- 读写WE*
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SRAM芯片6264
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存储容量为8K×8
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28个引脚:
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13根地址线A12一A0
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8根数据线D7~D0
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片选CS1*、CS2
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读写WE*、OE*
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只读存储器(ROM)
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特点:只能读出,断电保护
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ROM
- 永不更改,适用于大批量生产
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PROM
- 熔丝工艺,一次写入,不能更改
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EPROM
- 紫外线擦除,可多次擦写
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EEPROM
- 电擦写,使用方便
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EPROM芯片2716
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存储容量为2KX8
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24个引脚:
- 11根地址线A10~A0
- 8根数据线DO7~DO0
- 片选/编程CE*/PGM
- 读写OE*
- 编程电压Vpp
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EPROM芯片2764
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存储容量为8K×8
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28个引脚:
- 13根地址线A12~A0
- 8根数据线D7~D0
- 片选CE*
- 编程PGM*
- 读写OE*
- 编程电压Vpp
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存储器性能指标
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存储容量
- 表达形式:存储单元个数*每单元的二进制个数
- 存储器可容纳的二进制信息容量,一般以字节为单位
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存取速度
- 存取时间:接收到CPU地址信息到完成一次读写所需的最大时间
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功耗
- 包括有效功耗和待机功耗
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可靠性
- 平均故障间隔时间(100万小时)
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性价比
CPU与存储器的连接(重点内容)
基本方法:
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三总线对应相连
- 存储芯片的数据线
- 存储芯片的地址线
- 存储芯片的片选端
- 存储芯片的读写控制线
注意事项:
- CPU总线负载能力
- 时序的配合
- 控制信号的连接
存储芯片数据线的连接
位扩展:
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存储器芯片的位数不能满足存储器要求的情况,需在位数方向扩展。
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若芯片的数据线正好8根,一次可从芯片中访问到8位数据,全部数据线与系统的8位数据总线相连;
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若芯片的数据线不足8根,一次不能从一个芯片中访问到8位数据,需利用多个芯片扩充数据位。
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这种扩充方式简称“位扩展”,即“位并联”。
- 多个存储芯片的数据线连接于系统数据总线的不同位
- 这些芯片应被看作是一个整体,称为“芯片组”
字扩展
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存储系统常需利用多个存储芯片扩充容量,也就是扩充了地址范围;
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进行“字扩展”,需要利用存储芯片的片选端对多个存储芯片(组)进行寻址;
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这种寻址方法,主要通过将存储器芯片的片选端与系统的高位地址线相关联来实现;
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字扩展可以利用外加译码器控制芯片的片选(CS)输入端实现
- 各片RAM对应的数据线、读/写线对应并联;
- 低位地址线也并联起来;
- 要增加的高位地址线,通过译码器译码,将其输出分别接至各片的片选控制端。
存储芯片地址线的连接
芯片地址线通常应全部与系统的低位地址总线相连
寻址时,这部分地址的译码是在存储芯片内完成的,我们称为“片内译码”
片选端的连接( 1 )
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方法一:片选端常有效
- 简单易行,但无法再扩充,且会出现“地址重复”(一个存储单元对应多个存储地址)
片选端的连接( 2 )
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方法二:线选法
- 只用高位地址线进行芯片的译码,且每根负责选中一个芯片(组)
- 构成简单,但地址空间严重浪费,且必然会出现地址重复
片选端的连接( 3 )
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方法三:译码法
- 采用全译码,每个存储单元的地址都是唯一的,不存在地址重复
- 译码电路可能比较复杂
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译码芯片74LS138
链接举例
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例1.扩展两片6164(8K×8)RAM组成16KB RAM系统
- 线选法:结构简单,但地址有重叠
- 线选法:结构简单,但地址有重叠
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例2.试确定EPROM27128的的地址范围
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例3.用4片1K×8芯片构成4KB RAM系统
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译码法:
- 全译码:地址唯一
- 部分译码