逻辑门电路

晶体管开关特性

双极型晶体管反相器

• 判断是否饱和: $$\begin{gathered} I_B>I_{BS} \\ {I}_{BS}=\frac{I_{CS}}{\beta } \\ {I}_{CS}=\frac{V_{CC}-V_{CES}}{R_C}=\frac{V_{CC}}{R_C} \end{gathered}$$
• 饱和深度: $$S=\frac{I_B}{\beta }$$

晶体管反相器负载能力

• 灌电流负载: 当输出为低电平时, $$I_{LImax}\le \beta I_B-I_{R_C}=\beta I_B-\frac{E_C}{R_C}$$. 当输出为高电平时, 灌电流不影响
• 拉电流负载: 当输出为高电平时, $$I_{LOmax}\le I_{R_c}=\frac{E_C-(E_q+v_D)}{R_c}$$
  当输出为低电平时, 拉电流不影响.

TTL集成逻辑门

• 开门电平$V_{ON}$: 开门电平是保证$V{T}_4$饱和导通, 与非门达到稳定输出低电平时的最小输入高电平, $V_{ON}$越接近$V_{TH}$, 器件噪声容限越大, 抗干扰能力越强.
• 关门电平$V_{OFF}$: 关门电平时保证$V{T}_4$截至, 使与非门的输出为高电平的最小值时, 对应允许输入低电平的最大值. $V_{OFF}$越接近$V_{TH}$, 器件噪声容限越大, 抗干扰能力越强.
• 噪声容限$V_{NL},V_{NH}$:
  $$\begin{gathered} V_{NH}=V_{OHmin}-V_{ON} \\ {V}_{NL}=V_{OFF}-V_{OLmax} \end{gathered}$$
• 扇出系数: 一个逻辑门能够驱动同类型逻辑门的个数, 用$N_o$表示.
  注: 计算可驱动TTL与非门数量时, 应考虑输入电流与端口数的关系. 对于某3输入端口TTL与非门来说, 若3个与输入端都是低电平, 则$R_1$上电压不变, 电流不变, 流到三个发射极的总电流不变, 即每个输入端的输入电流为原来的1/3. 当3个输入端都为高电平时, 由于每个等效晶体管的发射机有各自的电流通路, 每个输入端的高电平电流与单个输入端为高电平时的电流相同. 对于或非门, 无论高低电平均需考虑端口数量
  $$R_L\le \frac{V_{CC}^{\prime }-V_{OHmin}}{n{I}_{OH}+m{I}_H}$$
  $$R_L\ge \frac{V_{CC}^{\prime }-V_{OL}}{I_{OLmax}-m^{\prime }{I}_{IL}}$$
• OC门: 集电极开路门电路, 支持线与功能.
• ECL门支持线或功能, 速度快
  客观题知识点:
• 双极性晶体管集成逻辑门的工作速度高, 驱动能力强, 功耗大, 集成度稍低.
• MOS继承逻辑门特点是集成度高, 功耗较低, 工作速度较低, 强抗干扰能力
• ECL门工作在放大区和浅截止区, 故工作速度很快, 具有较强的驱动能力, 可以实现线或功能
• ECL门抗干扰能力弱, 噪声容限低, 功耗较大
• $I^{2}L$门电路集成度高, 低功耗
• $I^{2}L$门电路工作速度较低(因为PNP是横向晶体管, 电流增益低; NPN晶体管的结电容较大; 属于饱和型电路
• $I^{2}L$抗干扰能力弱.