MOS管特性介绍

MOS管

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在数字电路中，NMOS管栅极给高电平导通，PMOS管栅极给低电平导通

MOS管增强型和耗尽型区别

增强型：Ugs电压为零时，lds=0的管子（MOS管完全截止，没有漏电流）

耗尽型：Ugs电压为零时，lds≠0的管子（MOS管不完全截止，有漏电流）

增强型NMOS管工作原理

1、首先通过MOS管的结构图可知，有两个N型半导体，一个P型半导体，则会形成两个方向相反的PN结；衬底B与源极S是相连的，也就是说可以把图中绿色的部分都看成源极S，栅极G与源极S（绿色）中间夹着绝缘层，组成了一个电容，这就是寄生电容Cgs

2、若在源极S和栅极G之间加上电压，源极S负向电压，栅极G正向电压，这样电子从源极S流到两个N型半导体之间集聚，当电子集聚得够多时，就形成了一个N沟道，连接两边的N型半导体，两个N型半导体就导通了，此时，在漏极D加上电压，与源极S形成电压差，就会有电流流过，MOS管相当于导通

如果源极S加正电压，栅极G加负电压，则两个N型半导体之间积攒的是空穴而不是电子，这样就加强了P型半导体，就更不会导通

增强型PMOS管工作原理

PMOS管与NMOS管类似，只不过是两个P型半导体，绿色的是N型半导体，此时源极S就要加正向电压，栅极G加负向电压，这样电子在栅极上集聚，空穴就会在两个P型半导体之间集聚，集聚够多了就形成P沟道，两个P型半导体就会导通，漏极D加电压同样会形成电流，PMOS管导通

增强型NMOS管输入输出特性曲线

输出特性曲线

开启电压 -> Ugs(th)
预夹断轨迹 -> Ugd=Ugs(th)=Ugs-Uds -> Uds = Ugs - Ugs(th)

1、夹断区： Ugs < Ugs(th)，此时ld = 0

2、可变电阻区： Ugs>=Ugs(th)，Uds <(Ugs - Ugs(th))，此时ld随Uds的增大而增大

3、恒流区： Ugs>=Ugs(th)，Uds >= (Ugs - Ugs(th))，此时ld大小仅仅取决于Ugs

输入特性曲线

Ugs < Ugs(th)时，ld = 0

Ugs > Ugs(th)时，Uds为一常量时，Ugs越大，ld越大

增强型NMOS管应用说明

实际应用时，NMOS管常作低端驱动（下管）与开关使用，此时，MOS管工作在夹断区与可变电阻区。

夹断区， ld=0，此时，功率P=ld * Uds=0

可变电阻区，Uds相对很小，功率P=ld*Uds相对也很小

增强型PMOS管输入输出特性曲线

输出特性曲线

开启电压： Ugs(th)，为负压

预夹断轨迹： Ugd=Ugs(th)=Ugs-Uds -> Uds = Ugs - Ugs(th)

1、夹断区： lUgs| < lUgs(th)|，此时 ld = 0

2、可变电阻区：|Ugs >= |Ugs(th)|，|Udsl < (Ugs - Ugs(th)，此时ld随Uds的增大而增大

3、恒流区： |Ugs| >= lUgs(th)，|Udsl > = (Ugs - Ugs(th))，此时ld大小仅仅取决于Ugs

输入特性曲线

lUgsl < |Ugs(th)|时，ld = 0

lUgsl > |Ugs(th)|时，Uds为一常量时，|Ugs|越大，ld越大

增强型PMOS管应用说明

实际应用时，PMOS管常作高端驱动与开关使用，此时，PMOS管工作在夹断区与可变电阻区。

夹断区，ld=0，此时，功率P=ld * Uds = 0

可变电阻区，Uds相对很小，功率P=ld*Uds相对也很小

MOS管如何判断三个极

MOS管有 三个引脚名称：G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。

MOS管如何区别N、P沟道

寄生二极管的方向如何判断

MOS管开关条件

N沟道：Ug（栅级电压）>Us（源极电压）时导通，简单认为Ug=Us时截止

P沟道：Ug（栅级电压）<Us（源极电压）时导通，简单认为Ug=Us时截止