电子元器件的基本介绍

电阻

电阻，常用R来表示，是一种限流元件，安装在电路中，对其所在之路的电流进行限制。

• 当一个电压U1太高的时候，可以用两只电阻构成分压电路，降低电压为U2，U2符合电阻分压公式U2=U1*R2/(R1+R2)，这种电阻在电路中一般称为分压电阻。
• 一般是当流过一只元器件的电流太大时，可以用一只电阻与之并联，起到分流作用，符合电流分流公式：I=I1+I2，这种电阻在电路中一般称为分流电阻。
• 在LC谐振电路中接入电阻R1，可以降低Q值，起阻尼作用，这种电阻在电路中一般称为阻尼电阻。

1、类型

在电路中，按照安装方式，可将电阻分为：直插电阻、贴片电阻、印刷电阻。

1.1 直插电阻

直插电阻体积小，但是相对于贴片元件，其对电流的承受能力更强，适合在一些高电流的恶略条件下工作，一般用在大功率产品上。且安装稳定，不易脱落。

1.2 贴片电阻

贴片电阻体积小巧，通常尺寸只有大饼-----上的芝麻的大小，其工作功率较小，最高通常只有1W，其重量和体积往往只有直插件组的十分之一。
其工作可靠性好，成本低，可实现自动化焊接，提升生产效率；
但其安装牢固性差，往往在元件遭受外来冲击时容易脱落，因此其对产品的生产质量和工作环境有所要求。

2、参数

电阻的主要参数有：精度、温度系数、功率等；

2.1 精度

电阻常见的精度有：

项目	Value
L=±0.01％	P=±0.02％
W=±0.05％	B=±0.1％
C=±0.25％	D=±0.5％
F=±1％	G=±2％
J=±5％	K=±10％
M=±20％	N=±30％

2.2 温度系数

温度系数的单位为PPM（百万分之一），大多数情况下，电阻的阻值会随温度的上升而上升。
示例：阻值为100kΩ，200PPM的电阻，在环境温度上升1℃的情况下，
其阻值会上升：
温度系数 * 阻值 * 百万分之一 = 上升的阻值
200 * 100*10^3 * 1/10^6 = 20Ω

2.3 功率

由功率公式：P=I² * R 可知，**电阻的功率通常决定的是通过电阻的最大电流**。

如一个阻值为10Ω，功率为10W的电阻，其允许通过的最大电流为1A。
但在实际使用中，需要对其乘以一个相应的安全系数，通常取0.8或0.6，即限制示例电阻的最大通过电流为0.8A或0.6A。

3、电阻参数认读

3.1 贴片电阻

3.1.1 阻值

贴片电阻上会标识三位数或四位数，通常标识四位数的贴片电阻精度更高，为1%，而三位数的贴片电阻精度则为5%。

贴片电阻的前2/3位为有效数字，最后一位为10的幂，即在前面的有效数字后面会多X个0。
示例：103 = 10 * 10^3 = 10000Ω = 10k Ω。

特殊的：1。10Ω一下会采用aRb或者aRbc的形式进行标注
示例：3R24 = 3.24Ω；6R8=6.8Ω。

电容

1、电容的基本概念

电容的作用：电容的作用就是充电、放电
电容就像水杯一样，水杯越大，装的水越多。电容的尺寸越大，容量也越大。

1.1 电容的单位

电容的单位是F，法拉，这是个超大的单位，一般电容达不到这么大。基本单位为pF、nF和uF。1F=10^12pF

但是法拉并不是电容的绝对容量，而是相对值，代表相同电压下能放出去多少电。即每放出一定的电量，电压下降一个定值。
由此可以理解，电容中存储的电量是“容值x电压”。这个电压指的是耐压值，就是电容最高能充电充到多少伏。

电量和容值成正比，和电压成正比，和体积也成正比，价格嘛，也是越大越贵。

1.2 电容的符号

• 固定电容（没有极性）
• ②-⑥：都是有极性的电容。钽（tan，三声）电容，常用图②，铝电容（上述实物图的贴片电容中的圆柱电容）和一些美国的电容常用图③-④，国标的电解电容（上述实物图的电解电容）常用图⑤-⑥。
• ⑦：半可变电容。
• ⑧：全可变电容。

2、电容的分类

2.1 有极性电容

有极性电容的正负极不能反解，接反电容容易爆炸。

2.1.1 液态电容

特点：

• 容值高、电压高、尺寸大、高频性能差、使用寿命一般、有正负极之分。
• 通常用在电源稳压上。

譬如我们常用的铝电容，全称是铝电解电容是一种有极性电容。在电源附近经常看到它作为储能作用。

2.1.1.1 电容容量判别方法

• 直标法：上图，容量68微法，耐压值400V。
• 数字表示法：方法同电阻，单位皮法。
• 字母表示法：如3n3，就是3.3nf；4u7，就是4.7uf；100n，就是100nf。

2.1.1.2 电容极性判断方法

• 有标志的是负极。
• 腿长的是正极。
  
  

2.1.2 固态电解电容

钽电容也属于电解电容的一种，使用金属钽替代了电解液，属于固态电解电容的一种。

• 容值高、电压低、尺寸小、高温特性好、使用寿命长、有正负极之分等特点。

通常用于低电压紧凑型设备的电源滤波和音频滤波。

2.1.2.1 钽电容极性判断方法

• 有标志的是正极。
  

2.2 无极性电容

2.2.1 陶瓷电容

陶瓷电容又称为瓷片电容。

• 容值小、电压高、尺寸小、高频性能好、不区分正负极的特点。

陶瓷电容通常用于去耦、滤波等场景。

3、电容的参数

3.1 容值

• 一般陶瓷电容最小有0.5pF的，常用的0402电容最大一般是10uF10V，0805的电容最大一般是47uF10V。
• 电解电容都是10uF起步，没有nF这么小的，常用的最大可以到10000uF左右。

电容选型的时候：

• 推荐0402最大选4.7uF，0603最大选10uF，0805最大选22uF。
• 电解电容，也是一样的，先选定容值和耐压值，然后去规格书上找常用的尺寸。

陶瓷电容标不下容值，一般通体黄色或褐色。
电解电容的容值一般按照实际值标注在外壳上，如220uF 25V的信息。
钽电容的容值标在电容表面，用和电阻一样的标注方式，单位是pF。例如226，就是22x10^6pF=22uF。

3.2 精度

电容的精度普遍都不高。
陶瓷电容精度高一些的有5%的（J档），普通的10%（K档）、20%（M档），还有些+80%～-20%（Z档）。pF级别的5%比较多，nF级别的10%比较多，uF级别的普遍都是20%。电解电容普遍也都是20%。

3.2.1 为什么不用高精度电容？

因为电容大部分时候是用来给电源稳压的，容值差一点不影响使用效果。
偶尔有射频匹配和滤波网络需要用到pF级别的电容，5%也足够用了，不足以对滤波器的频点造成影响。

3.3 尺寸

电容的尺寸：

• 对于陶瓷电容和钽电容，其尺寸和电阻一样，小尺寸的用英制，0201、0402、0603、0805。
• 大尺寸的用公制，如2520、3525等。
• 对于柱状的电解电容，一般是用“直径x高度”的方式来描述尺寸。

因此硬件设计的时候，要考虑预留的电容的尺寸尽可能的大。如果你预留6x11的位置，一般最大也就用100uF 25V的了，想换小的节省成本没有问题，但想换大的就很难了，电容厂家做不出来6x11的470uF 25V的电容。同样的问题在陶瓷电容上也需要注意，例如预留一个0805的电容，一般最大也就能贴22uF 6.3V的了，想要更大容值或更高电压就很难找到物料了。

3.4 封装和功率

功率和散热都与封装有关。功率选大了，成本会高，造成浪费；功率选小了，电阻发热会很严重。 功率在0.125w之下的一般选0805封装(贴片电容)。

4、电容的检测

4.1 电容好坏的判断

万用表拨到蜂鸣档，分别接触被测电容的2端引脚，若听到一声响，说明是好的，反之是坏的。（长时间触碰也是一声响，只是分别触碰响声的持续时间不同罢了）

4.2 电容容量的测量

• 万用表拨到电容档，将电容插入检测孔，可看到测量值和标称值大致相等。认为正常。
• 测量不区分极性，但是焊到电路板上要区分，弄错了容易导致电容爆炸

5、硬件设计的时候，应该考虑的因素

5.1 电容的耐压值

在弱电领域主要有4V、6.3V、10V、16V、20V、25V、35V、50V这些档位。上百伏的电容主要用在强电上。耐压值的选择非常非常重要，选错了会有生命危险。

5.1.1 如果把25V的电容，用在50V的电源上，会怎么样？

• 陶瓷电容有机会扛得住，也可能被烧掉短路了。
• 电解电容一般扛不住，直接击穿短路或干脆爆炸了。
• 钽电容一定扛不住，升起一团烟火就烧掉了。

5.2 硬件设计时，电容选择的经验做法

硬件设计选择电容的时候，务必要考虑清楚线路的最高电压，通常是折半使用。就是电容耐压值要达到线路电压的2倍或更多。
例如：5V电源上的电容要选择10V的，而不是6.3V的。20V的电源上的电容要选择50V的电容，而不是35V的。

• 陶瓷电容可以选择略小一些的，因为陶瓷电容对高压的耐受能力比较好。
• 钽电容一定要严格按照2倍以上来选择，因为钽电容比较容易被击穿。
• 电解电容推荐使用2倍以上，以避免供应商品质控制不严格带来的隐患。

5.3 电容的方向

• 陶瓷电容不分正负极.
• 电解电容和钽电容都有正负极的区分。

如果接反了，就会击穿然后起火或者爆炸。
不巧的是，电解电容和钽电容都是对称的，正反都能焊接。在硬件设计的时候，要从原理图、PCB上明确区分电解电容和钽电容的正负极，不能画反了。SMT贴片的时候也要注意不能反着贴。

5.4 电容串并联

• 电容器串联后，总容量减小，耐压值增加。这里注意：串联要将一个电容器的头接上一个电容器的尾。
• 电容器并联后，总容量增加，耐压值不变。

6、电容的使用经验

（1）在电源和负载之间一定要有一个电容用来储能滤波。
（2）如果负载的电流在150mA以下，这个储能电容一般选择220uF或330uF或是更大的。
（3）实际选取的电容一般会比计算得到的大10~50倍，譬如计算得到的是68uF，实际可能会使用680uF。 因为电解电容的误差比较大，所以一般会选择比较大的。
（4）在电源附近的电容有储能的作用，还有滤波的作用，但是储能用的电容的容值一般比较大，所以一般它只能虑除低频波；因此在储能电容的附近还会加一个容值非常小的电容，用来虑除高频波。储能电容一般使用电解电容，而虑高频的电容一般是小的瓷片电容，一般选用104电容。
（5）在1uF以上的电容一般选用电解电容，因为电解电容的容量比较大，虽然精度不高。
大容量的话只能选择电解电容；小容量的一般选择瓷片电容（一般是贴片式的也有插件式的，这两种封装在功能上没有任何的区别，仅仅在画PCB的时候需要考虑，譬如如果这个板子对高度有要求，就可以选择贴片的）。

瓷片电容的特点： 容量小但精度高；瓷片电容和电解电容一般在电源部分配合使用。瓷片电容没有极性，电解电容有极性，有加号的一端一定要接正极，反接会使电源短路，电容会爆炸，瓷片电容一般用来滤高频波。
（6）瓷片电容的容值一般是：几皮法到几百纳法之间，譬如：33皮法、68皮法、47皮法、100皮法、200皮法、220皮法、 470皮法、860皮法、1000皮法=1纳法（102电容）、2.2纳法、4.7纳法、10纳法（103电容）、100纳法（104）等等。当电源来了一个很高的电压脉冲（高的dv/dt，也就是电压的变化率很大，高的dv/dt会对后面的电路造成很大的电磁干扰）之后，就可以经过瓷片电容，从而不会对后面的电路造成影响。浪涌电流：高的di/dt；尖峰电压：高的dv/dt。一般选择104电容来滤除高频。
（7）电容的容抗=1/(2πfC)：f指的是电源的频率，C指的是电容的容值；频率越大，容抗越小。
（8）带宽：任何一个电路都是工作在一定的频率范围之内的，这个频率范围就叫做这个电路的带宽。大于或是小于这个带宽电路都可能不会正常工作。电路中肯定是有很多电容的，根据电容容抗的计算公式可以看出，频率过高或过低都会使电容工作不同的特性，也就是电路板是不稳定的，从这个角度也需要有这个带宽的存在。
（9）电压：选耐压值多大的电容，耐压值一般选取电容两端电压的1.5倍（取一些余量，可以增长电容的使用寿命），譬如电容正极的电压是50v，那可以选择耐压值为75v的电容。

7、电容的作用

• 旁路
• 去藕
• 滤波
• 储能
  电源稳压、去耦、滤波、去干扰、射频调谐、最后才是储能。

电感

1、电感的基本概念

电感是闭合回路的一种属性，他是描述由于线圈中电流的变化，在本线圈中或另外一个线圈中引起的感应电动势效应的电流参数。电感是自感和互感的总称，提供电感的器件称为电感器。

电感器具有阻止交流电通过而让直流电顺利通过的特性，频率越高，线圈阻抗越大。因此，电感器的主要功能是对交流信号进行隔离、滤波或与电容器、电阻器等组成谐振电路。

1.1 自感和互感

1.1.1 自感

当通过闭合回路的电流改变的时候，会出现感应电动势来抵制电流的变化，称为自感。

1.1.2 互感

当两个感应线圈相互靠近的时候，一个电感线圈中的磁场变化将影响另一个电感线圈，这种影响称为互感。互感的大小取决于电感线圈的自感与两个电感线圈的耦合程度。

1.1.3 电感电压和感应电动势

电感电压： u（t）=L di/dt。
当电压和电流参考方向关联(同向)时，P>0,吸收能量。
当电压和电流参考方向不关联(不同向)时，P<0,释放能量。
电感自感电动势：ε＝-L di/dt。

1.1.4 如何理解电感电压和电感自感电动势公式不同？

从本质上讲，电感的电压就是其自感电动势。那么为什么两者公式有正负号之差呢？
因为自感电动势等同于电池，方向是从正极指向负极，与电流的方向相反。
电感电压公式首先就是假定电流和电压方向关联，即参考方向一致，这样一来，电感的公式就与电感自感电动势有一个负号之差了。但无论怎样，最核心的基础就是 楞次定律，感应电动势的总是阻碍原电流的变。 如下图，当电流突然减小为0时，电感电压的方向为红色标注。

1.1.5 从能量的角度理解感应电动势的方向

当电流增大时，可知外部电源输出功率有增大的趋势。
又因电感有储能作用，此时电感有吸收能量的趋势。
可以认为外部电压不变，吸收能量的结果就是减小电流，即阻碍电流的增加。这时电感相当于一个被充电的电池，其电动势为从A到B。
实际上，电感这种“充电电池”作用是阻碍不了电流的增大，最终被“充电的电池能量”转换为磁场能（电流）了。
当电流减小时或突然降为0时，那么电感的电池作用又显现了，磁能要转换为电能，这个电能就是电压（反向电动势），因为它有阻碍电流减小的趋势，它势必通过反向电动势（好比电池电压）来给外部电路供能量，否则它的能量怎么办？
根据**P＝UI，如果I很小，则U很大，**也就是说假如电路短路，电感电流突然变为0，则电感的感应电动势会非常大，其中能量也只能通过辐射消耗了。因为这时电感的电动势（电池）释放能量的趋势是维持电流的不变，所以感应电流的趋势是从A到B，感应电动势的方向则是从B到A。

1.2、电感的作用

• 滤波、振荡、 延迟、限波。俗称：通直流，阻交流。
• 筛选信号、过滤噪声、稳定电流及抑制电磁波干扰等
• 能量转换，能量转移
• 能量存储

通直流：所谓的通直流，是指在直流电路中，电感的作用相当于一根导线，不起任何作用。
阻交流：在交流电路中，电感会有阻抗，即XL，整个电路的电流会变小，对交流有一定的阻碍作用。

电感在电路最常见的作用就是与电容一起，组成LC滤波电路。电容具有“阻直流，通交流”的特性，而电感则有“通直流，阻交流”的功能
如果把伴有许多干扰信号的直流电通过LC滤波电路，那么，交流干扰信号将被电感变成热能消耗掉;变得比较纯净的直流。电流通过电感时，其中的交流干扰信号也被变成磁感和热能，频率较高的最容易被电感阻抗，这就可以抑制较高频率的干扰信号。

1.3、电感的大小

电感在电路中常用L表示，单位：亨利（H），千进制。
符号：L、FB、TF、B、BD、CHOK、COK。

1亨（H）= 1000毫亨（mH）
1毫亨（mH）= 1000微亨（uH）

1.4、电感的标识

添加磁体或者铁芯会增加电感量。

1.5、电感的分类

• 空心电感： 空心线圈。
• 铁心电感： 用在电力变压器，扼流圈等。
• 贴片电感、保险电感等。

2、电感的特性

2.1 电感的能量转换、转移、存储。

电感也是一种储能元件，它可以把电能转化为磁能储存起来，也可以把磁能转换为电能释放出来。
目前，使用的电感有两种：电感线圈和贴片电感。

2.2 电感的通低频阻高频。

频率越低电感产生的感抗越小，所以容易通过。
而频率越高，电感产生的感抗越大所以阻碍越强。

2.3 遏流。

通过电感线圈的电流发生变化的时候，电感线圈就会产生一个感应电动势，这个感应电动势的方向总是阻碍电流的变化。

• 若电流以增长的趋势通过电感，电感会产生一个上正下负的感应电动势来阻碍电流的增长。
• 若电流以减少的趋势通过电感，电感会产生一个上负下正的感应电动势来阻碍电流的减弱。

简单来说，当线圈中有电流通过时，会在线圈中形成感应电磁场，而感应电磁场又会在线圈中产生感应电流来抵制通过线圈中的电流。因此，我们把这种电流与线圈之间的相互作用称其为电的感抗。也就是电路中的电感。

只要电流变化（包括交流电和脉冲），就会产生电感、感抗。

3、电感的检测

3.1 电感常见的故障

• 电阻值增大、断路。

3.1 电感好坏的判断

1、首先满足基本条件：万用表拨到蜂鸣档，不管正负极，测量电感2端，蜂鸣器响。
2、注意电感的精确数值，与电路要求一致就是好的。

数字万用表在0.03以下，电阻值绝对为0。而超过0.03以上，有些会发出蜂鸣响声，但是电阻值不是绝对为0。

二极管

1、概述

二极管是一种用锗（zhě）或者硅半导体材料做成的，半导体材料导电性能在常温下介于导体和绝缘体之间，一百多年前就有这个东西了，是半导体器件家族中的元老了。
常见的二极管有很多种：整流二极管、稳压二极管、光电二极管、开关二极管等。

2、PN结

上面所述的二极管都有一个共同的性能：单向导电性。即电流只能从二极管的阳极进去，负极出去，反过来就不行了。
为什么二极管具有单向导电性？因为PN结，它阻止了电流逆流。

2.1 什么是PN结

• P型半导体：
  在“锗”（zhe，三声）的本征半导体中掺入杂质因素“铟”（yin，一声），形成P型（Positive）半导体，具有带正电的特性。
• N型半导体：
  在“硅”的本征半导体中掺入杂质因素“锑”（ti，一声），形成N型（Negative）半导体，具有带负电的特性。
  

自然界中的物质，按照不同的导电性能分为了导体、半导体和绝缘体，半导体材料导电性能介于导体和绝缘体之间。
常用的半导体材料有四价硅和锗（zhě）。什么是四价啊，就是最外层有四个电子。
纯净的半导体又称为本征半导体，其导电能力较差，不能直接用来制造半导体器件。
在本征半导体一边中用扩散工艺掺入三价元素（硼），另一边掺入五价元素（磷），就是把原来少量的硅原子或者锗原子替代了。

三价元素（硼），最外层只有三个电子，然而硅和锗有外层有四个电子，少了一个怎么办呀？那就形成了空穴，这个就是P型半导体。于是，P型半导体就成为了含空穴浓度较高的半导体。
五价元素（磷）有五个电子，多一个怎么办？多出的一个电子几乎不受束缚，它就自由了，叫它自由电子，这个就是N型半导体。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体。

2.2 扩撒运动

扩散运动：浓度高的往浓度低的扩散
P型半导体和N型半导体结合后，P区内空穴和N区内自由电子多称为多子，P区内自由电子和N区内空穴几乎为零称为少子，在它们的交界处就出现了自由电子和空穴的浓度差。

• P区的空穴浓度比N区高，空穴就往N区扩散。
• N区的自由电子浓度比P区高，自由电子往P区扩散。
• P区的空穴和N区的自由电子就可能相遇，然后复合。

P区和N区里面的杂质离子不能任意移动，为啥呀？因为杂质离子被周围的硅原子或者锗原子束缚了。
在P和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，在这个区域内，多子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗殆尽了。
看动图理解
这个内电场一方面阻止了扩散运动的进行，扩散就不容易进行下去；另一方面使空穴（少子）从N区往P区漂移，自由电子从P区往N区漂移，慢慢的空间电荷区就稳定了。
总结来说多子运动叫做扩散运动，少子运动就是漂移运动，当两种运动达到动态平衡就产生了PN结。在PN结加上相应的电级引线和管壳，就构成了半导体二极管。由P区引出的电极成为了正极，由N区引出的电极成为了负极。

3、导通与截止

PN结加正向导通电压。

• P区引脚加电源正极，N区引脚连接电源负极。
• 电流方向由P区流向N区与PN 结内部的内电场相反，当电压大于内电场电压时，外部的电源抵消了其内电场。

内电场抵消了，有利于扩散运动的进行，空间电荷区慢慢变成了P区和N区，当空间电荷区越来越薄，直到最薄的时候这时候会形成一个扩散电流，这时候二极管也就导通了，这时候的电压称为导通电压。

PN结加反向截止电压。

• 把P区引脚加电源负极，N区引脚连接电源正极。
• 这时候电流流动的方向和内电场的方向相同，增强了内电场使得空间电荷区变宽。
• 空穴会被拉向P区的方向，电子会被拉向N区的方向，从而阻止了扩散运动，形成了反向漏电流，由于电流非常小，这就是截止状态。

反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁，这时候的电压成为击穿电压，这时候二极管就没用了。

二极管加正向偏置电压

• 死区OA区，由于正向电压比较小，二极管不导通，几乎没有电流，呈高阻状态，此时二极管两端的电压为死区电压，硅二极管为0.5V（锗管为0.1v）。
• 当正向电压高于一定的数值后，二极管中的电流随着电压的升高而增大，二极管导通，这时候的电压称为导通电压，也叫门槛电压。

硅管导通电压为0.6V（锗管为0.2v），导通时二极管两端的电压保持不变，硅管0.7V（锗管为0.3v），这时候称为正向压降。

4、二极管伏安特性曲线

PN结处不施加电压

• 内部处于平衡状态，多子扩散运动等于少子漂移运动，电流i=0

PN结外加正向电压

• u < Uon(正常开启电压)时，正向电流i约等于0。
• u > Uon(正常开启电压)时，正向电流i随电压u呈指数增长。

PN结外加反向电压

• |u| < |Ubr|(反向击穿电压)时，反向电流i = Is,Is很小，通常忽略不计
• |u| > |Ubr|(反向击穿电压)时，反向电流i j急剧增加，称之为反向击穿，此原理制成稳压管、TVS管等；

5、二极管分类

5.1 二极管

PN结两端引出2根电级，就形成了二极管。

5.2二极管符号

5.3、通用二级管

5.3.1、通用开关二极管

• 特点：电流小、工作频率高
• 选型依据：正向电流、正向压降、功耗，反向最大电压，反向恢复时间，封装等

上图是一个上电自动复位电路，低电平复位，BAS316为通用开关二极管

• 上电过程，电容C1刚开始是导通状态，充电，此时NRST是低电平，单片机复位，当C1充满后相当于断路，VDD通过R1流入NRST，NRST为高电平，单片机正常工作。
• D1为电源断电的时候为C1提供迅速放电回路，路径为C1->D1->VDD->GND，将自身的储存的电能放掉，保证再次上电时候可以复位单片机

5.3.2、通用整流二极管

• 特点：电流大、工作频率低
• 选型依据：正向电流、正向压降、功耗，反向最大电压，反向恢复时间，封装等

将交流电，经桥路整流，再滤波成直流电

5.3.3、发光二极管

当电子与空穴复合时能辐射出可见光，PN结掺杂不同的化合物发出的光也不同，比如说镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等。然后加上引脚，用环氧树脂封装起来，通上正向电压发光二极管就这样发光了。

5.3.4 肖特基二极管

肖特基二极管不是利用PN结原理制作而成的，而是贵金属A为正极，以N型半导体为负极.
利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件

• 优点：开关频率高，正向压降低（低至0.2V，电流越大，压降越大）
• 缺点：反向击穿电压低，反向漏电流偏大（温度越高，漏电流越大）
• 应用场合：适合于在低压、高频、大电流，比如BUCK降压的续流二极管，BOOST升压的隔离二极管等。
• 选型依据：正向电流、正向压降、功耗，反向最大电压，反向恢复时间，封装等

应用于电源防反接，当电源反接的时候，二极管将回路阻断，使得构不成回路

稳压管两端接在NMOS管的GS点上，当Vin输入过大时，S点的电压过大，就会将稳压管D5导通，D5将GS稳定在5.1V，防止损坏NMOS管。大概稳压管的反向电流为5/100k = 0.005mA，满足要求（I反向电流为5mA）

USB电源和5-28V直流电源相互隔离，此处应注意，5V-28V电源通电的时候，电流同样会通过D5通路回流，有漏电流通过，上面也说过，肖特基二极管漏电流比较大，但不影响电脑的U口即可使用。

5.3.5 稳压二极管

稳压二极管利用了二极管反向击穿的特性，稳压二极管都是串联在电路中，当稳压二极管被击穿，尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压上下。

稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内，端电压几乎不变，表现出稳压特性。

反向电流Izt，实际使用时，不可以超过反向电流值，需要串联电阻使用。

5.3.6 TVS管

全程瞬变电压抑制二极管。
在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品，其电路符号和普通的稳压二极管相同。
当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能以极高的速度使其阻抗骤然降低，同时吸收一个大电流，将其两端间的电压钳位在一个预定的数值上，从而确保后面的电路元件免受瞬态高能量的冲击而损坏。

• 双向TVS管正反特性相同，使用时不需要注意方向，并联在电路中可以抑制浪涌
• 向TVS管正反特性不同，正向导通压降很低，没法做浪涌保护，我们需要使用反向击穿部分的特性，并联在电路中时，正极接单向TVS管的负极。

双向TVS管应用于电源输入，抑制浪涌。

此处如果使用单向TVS管，必须放置在防反接肖特基D12后面，否则的话，电源反接，单向TVS管刚好正接，正向导通电流很大，将烧毁单向TVS管。

6、二极管检测

6.1 好坏判断

首先使用二极管档或者电阻档检测两只脚的电阻值，然后交换表笔再测一次，若2次阻值不相等，说明二级管基本正常。（好坏判断基本取决于二极管有无正反向电阻，一般来说正反向电阻差值越大越好）（这不就是阻挡层嘛，测它单向导电的特性）。

• 正反向电阻均为零，即二极管被击穿。（短路）
• 正反向电阻无穷大，二极管断路。
• 正反向电阻差值很小，二极管性能不良。

6.2 正负极判断

分别测量二极管的两端，测得一组有读数一组无读数。

• 有读数，红表笔所测的一端为二极管的正极，黑表笔的一端为负极。

三极管

参考链接1：电子技术基础之三极管
参考链接2：晶体三极管工作原理及放大作用详解
参考链接3：NPN和PNP三极管原理以及应用电路设计
参考链接4：三极管工作原理介绍(动画图解)

1、基本概念

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，
排列方式有PNP和NPN两种。
b：基级
c：集电极
e：发射级

NPN型：电流从b、c流入，从e流出。

• 用B-E的电流Ib控制C-E的电流Ic。
• E位的电级最低，且正常放大时通常C位电位最高，即Vc>Vb>Ve。

PNP型：电流从e流入，从b、c流出

• 用E-B的电流Ib控制E-C的电流Ic。
• E位的电级最高，且正常放大时通常C位电位最低，即Vc<Vb<Ve。

PNP与NPN型传感器其实就是利用三极管的饱和和截止，输出两种状态，属于开关型传感器。
输出信号是截然相反的，即高电平和低电平。NPN输出是低电平0，PNP输出的是高电平1。

2、晶体三极管的工作原理

2.1 产生Icc

2.1.1 阶段一设想

假设你有一个NPN管，我们就按照下图的方式先给他加一个电压，按理说，我们希望有Ic，即要有电子从三极管的发射区流出，这样我们才能有Ic，但是，不妨想一想，这能实现吗？？

答案： 不能。
如果我们想在Ic那条支路上确实有电流经过，那么就得有电子往上走，而为了实现这一目的，就必须有足够的电子从发射区往上流，但是由于PN结是存在壁垒的，这导致发射区的电子无法往上流动，也就是说，Ic = 0。

2.1.2 阶段二改进

尝试着在侧边再给一个电压试试：

这里我们要令 Ucc >> Ubb （原因后文会解释）。
由于Ucc >> Ubb，而下端是相当于接地的，所以，对于上面的PN结，相当于反偏，对于下面的PN结相当于正偏。
对于PN结来说。

• 正偏(P-N)促进扩散运动，下方发射区的电子就会往上运动。
• 会有一些（或者是非常非常少的）电子与空穴复合，形成一些微小的电流从P区那条支路流出。

微小，原因有两点。

• 基区很薄
• 一开始的空穴的数量就很少

绝大多数的电子流向上方，第一个目的实现了，产生了Icc

2.2 三极管内部的电流关系

（1）发射区电流 ：I(E) = I(EN) + I(EP)

• 从发射区开始分析电流：

由于在基极加了一个电压远小于Ucc的电源，所以下方的PN结正偏，有利于扩散运动的进行。
那么发射区的多子（电子）往基区移动，形成电流I(EN)；
那么基区的空穴（多子）往下移动，形成电流I(EP)；
I(E) = I(EN) + I(EP)

（2）集电区电流 ：I(c）= I(CN) + I(CBO)

• 从集电区开始分析电流：

由于上面的PN结是反偏，有利于漂移运动。
那么基区的少子（电子）会向集电区运动，产生电流I(CN)；
那么集电区的少子（空穴）会向基区运动，产生电流I(CBO)；
I(c）= I(CN) + I(CBO)

（3）基区电流 ：I(B）= I(BN) + I(EP) - I(CBO)

• 从基区开始分析电流：

发射区的电子会运动至基区，会有很少一部分的电子会和基区的空穴复合，形成复合电子流I(BN)。
再考虑到基区空穴向下运动的电流I(EP)。
反饱和电流I(CBO)。
I(B）= I(BN) + I(EP) - I(CBO)

（4）反向饱和电流
二极管中：
如果给它加反向电压，反向电压在某一个范围内变化，反向电流（即此时通过二极管的电流）基本不变，好像通过二极管的电流饱和了一样，这个电流就叫反向饱和电流。
其他器件中也有类似的情况，其根本在于PN结的单向导电性。
反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的，
同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加）。
当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。
在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，这时的电流就是反向饱和电流。

3、三极管的输入输出特征曲线

参考链接：三极管的输入输出的特性曲线
三极管有三个脚，组成了输入和输出的两个端，所以三极管有输入和输出两个特性曲线图。

输入特性曲线：

• 三极管的基级输入电流ib和发射结电压Ube之间的关系。

输出特性曲线：

• 给特定的基极电流ib下，研究集电极电流ic与uce之间的电压关系。

3.1、三极管输入伏安特性曲线测试方法

实验设置：
将uce的电压设置为5v，改变ube的电压，测量ib的电流与ube的关系，得到如下图所示的ib与ube的关系曲线图；图中还测试了uce电压是否对ib与ube的的关系特性曲线是否有关：

实验结果：

• 除了uce=0V的曲线比较特殊之外，其余的曲线基本重合。
• 这些曲线重合的就是三极管的输入伏安特性曲线图，ib与uce的电压无关，因为大多数的三极管都是工作电压uce>0的情况下。

根据图中曲线可以得出如下的表达式：

ut 被称为热电压，是一个与温度成正比的值，在27℃时约为26mv。
Is称为反向饱和电流，每个三极管的值都不一样，但是很小。
当ube趋于无穷小的时候ib趋向于-Is；
当ube>ut的时候表达式才近似成为一个指数表达式。
基本情况下当ube>0.7V的时候，三极管的电流ib才呈现较为明显的电流。

3.2、三极管输出伏安特性曲线测试方法

ib一定的时候，集电极电流ic与uce之间的关系。

理想输出伏安特性曲线图与实际的输出特性曲线图如下图所示：

• 理想情况下，应该如上图2-4所示，集电极电流ic应该至于基极电流ib成正比，而与加在集电极电压和发射极电压无关。

• 实际情况下： 不同颜色给三极管标明了不同区域有着不同的状态。

（1）放大状态 – 中心空白区域
三极管的电流ic几乎不受uce电压的控制满足公式ic = βib。
（2）饱和状态 – 黄色区域
集电极电流ic随着uce的电压增大而增大成正比关系。
一般认为uce<uces，属于饱和区，其中uces称为三极管的饱和压降，是饱和区和放大区的分界电压，一般为0.3V。
从图中也可以看出当ib增加的时候，饱和压降uces也会跟着上升。
（3）截止区 – 离横轴最下边ib=0的那条线
当ib=0的时候ic并未等于0，而是存在与uce相关的漏电流，所以定义当ib=0的区域为截止区，几乎没有任何电流的流进与流出，像开关关闭一样。

3.3 总结

• 放大区，集电极电流ic恒等于基极电流ib的\beta倍，与电压uce无关。
• 饱和区，集电极电流ic会跟随着uce电压的增大而增大，近似为线性。
• 放大区和饱和区的界限是三极管的饱和电压uces，当uce>uces时候便是放大区，该饱和电压还与基极电流ib成正比。
• 截止区，当ib=0的时候，三极管关断，几乎无电流的流进与流出，常常使用时该状态做电子开关使用。